Продукція > SPI > SPI80N03S2L-03

SPI80N03S2L-03


SPI,P,B,80N03S2L-03.pdf Виробник:

на замовлення 5164 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPI80N03S2L-03

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SPI80N03S2L-03

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SPI80N03S2L-03 SPI80N03S2L-03 Виробник : Infineon Technologies SPI,P,B,80N03S2L-03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V
товар відсутній
SPI80N03S2L-03 SPI80N03S2L-03 Виробник : Infineon Technologies DC_DC_Selection_1-520800.pdf MOSFET N-KANAL POWER MOS
товар відсутній