SQD100N04-3m6_GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 110.82 грн |
| 10+ | 90.9 грн |
| 100+ | 63.04 грн |
| 250+ | 58.32 грн |
| 500+ | 52.94 грн |
| 1000+ | 45.37 грн |
| 2000+ | 43.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQD100N04-3m6_GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SQD100N04-3M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 136W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції SQD100N04-3m6_GE3 за ціною від 56.65 грн до 127.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQD100N04-3M6_GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SQD100N04-3M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 136W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQD100N04-3M6_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
SQD100N04-3m6_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SQD100N04-3m6_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA |
товар відсутній |