Продукція > VISHAY SILICONIX > SQM50P08-25L_GE3
SQM50P08-25L_GE3

SQM50P08-25L_GE3 Vishay Siliconix

sqm50p08.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 80V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+93.12 грн
1600+ 76.09 грн
2400+ 72.28 грн
5600+ 65.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM50P08-25L_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CHANNEL 80V 50A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQM50P08-25L_GE3 за ціною від 69.75 грн до 195.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQM50P08-25L_GE3 SQM50P08-25L_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001222546-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM50P08-25L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+105.87 грн
250+ 90.7 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQM50P08-25L_GE3 SQM50P08-25L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm50p08.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 80V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+166.7 грн
10+ 133.13 грн
100+ 105.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM50P08-25L_GE3 SQM50P08-25L_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqm50p08.pdf MOSFET P-Channel 80V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 27309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+180.57 грн
10+ 147.43 грн
100+ 101.63 грн
250+ 94.32 грн
500+ 85.03 грн
800+ 73.73 грн
2400+ 69.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM50P08-25L_GE3 SQM50P08-25L_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001222546-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM50P08-25L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+195.98 грн
10+ 143.82 грн
50+ 128.91 грн
100+ 105.87 грн
250+ 90.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQM50P08-25L-GE3 SQM50P08-25L-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqm50p08-534693.pdf MOSFET P-Channel 80V Automotive MOSFET
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SQM50P08-25L_GE3 SQM50P08-25L_GE3 Виробник : Vishay sqm50p08.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
SQM50P08-25L_GE3 SQM50P08-25L_GE3 Виробник : Vishay sqm50p08.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній