STGB10NC60KDT4 STMicroelectronics
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 279+ | 41.77 грн |
| 288+ | 40.47 грн |
| 297+ | 35 грн |
| 500+ | 33.59 грн |
| 1000+ | 33.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGB10NC60KDT4 STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 20A 65W D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 22 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: D2PAK, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns, Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off), Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 19 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 65 W.
Інші пропозиції STGB10NC60KDT4 за ціною від 31.17 грн до 104.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STGB10NC60KDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STGB10NC60KDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 20A 65W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 22 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off) Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 65 W |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STGB10NC60KDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBT Transistors N-channel MOSFET |
на замовлення 1051 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STGB10NC60KDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 20A 65W D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 22 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off) Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 65 W |
на замовлення 1892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
STGB10NC60KDT4 Код товару: 155948 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
 |
STGB10NC60KDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
STGB10NC60KDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
STGB10NC60KDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| STGB10NC60KDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
| STGB10NC60KDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 65W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
| STGB10NC60KDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 65W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |