STGB30H60DLFB STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB30H60DLFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 650V HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 187.04 грн |
| 500+ | 163.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGB30H60DLFB STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H60DLFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 260W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: 650V HB, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).
Інші пропозиції STGB30H60DLFB за ціною від 118.24 грн до 229.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STGB30H60DLFB | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H60DLFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 650V HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
на замовлення 806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGB30H60DLFB | Виробник : STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed |
на замовлення 811 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STGB30H60DLFB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
STGB30H60DLFB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
STGB30H60DLFB | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/146ns Switching Energy: 393µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 149 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STGB30H60DLFB | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/146ns Switching Energy: 393µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 149 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STGB30H60DLFB | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; D2PAK Type of transistor: IGBT Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |