STU3LN80K5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 102 pF @ 100 V
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 97 грн |
| 10+ | 83.52 грн |
| 100+ | 65.12 грн |
| 500+ | 50.48 грн |
| 1000+ | 39.86 грн |
| 2000+ | 37.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STU3LN80K5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 102 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STU3LN80K5 за ціною від 54.14 грн до 109.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STU3LN80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package |
на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|