на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 218.54 грн |
| 10+ | 181.81 грн |
| 25+ | 153.44 грн |
| 100+ | 128.2 грн |
| 250+ | 126.21 грн |
| 500+ | 116.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP80090E-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V.
Інші пропозиції SUP80090E-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP80090E-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 150V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|
 |
SUP80090E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|
 |
SUP80090E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 125W; TO220AB Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Drain current: 74A On-state resistance: 9.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Gate charge: 63nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
SUP80090E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V |
товар відсутній |
|
|
|
SUP80090E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 125W; TO220AB Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Drain current: 74A On-state resistance: 9.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Gate charge: 63nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |