на замовлення 5154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 153.44 грн |
| 10+ | 126.04 грн |
| 100+ | 87.02 грн |
| 500+ | 74.4 грн |
| 1000+ | 63.04 грн |
| 2000+ | 57.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -60A; Idm: -120A; 100W; DPAK, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -60A, Pulsed drain current: -120A, Power dissipation: 100W, Case: DPAK, Gate-source voltage: -20...10V, On-state resistance: 14.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 156nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TJ60S06M3L(T6L1,NQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| TJ60S06M3L(T6L1,NQ | Виробник : TOSHIBA |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -60A; Idm: -120A; 100W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -60A Pulsed drain current: -120A Power dissipation: 100W Case: DPAK Gate-source voltage: -20...10V On-state resistance: 14.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 156nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
TJ60S06M3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK-3 |
товар відсутній |
|
| TJ60S06M3L(T6L1,NQ | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -60A; Idm: -120A; 100W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -60A Pulsed drain current: -120A Power dissipation: 100W Case: DPAK Gate-source voltage: -20...10V On-state resistance: 14.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 156nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |