Продукція > TOSHIBA > TK10P60W,RVQ(S
TK10P60W,RVQ(S

TK10P60W,RVQ(S Toshiba

335docget.jsptypedatasheetlangenpidtk10p60w.jsptypedatasheetlangenpi.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
194+60.25 грн
220+ 52.97 грн
250+ 46.57 грн
262+ 42.95 грн
500+ 37.6 грн
1000+ 34.18 грн
Мінімальне замовлення: 194
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK10P60W,RVQ(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK10P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm.

Інші пропозиції TK10P60W,RVQ(S за ціною від 51.42 грн до 119.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK10P60W,RVQ(S TK10P60W,RVQ(S Виробник : TOSHIBA 3621094.pdf Description: TOSHIBA - TK10P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+119.97 грн
10+ 102.83 грн
100+ 83.46 грн
500+ 65.04 грн
2000+ 51.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK10P60W,RVQ(S TK10P60W,RVQ(S Виробник : TOSHIBA 3621094.pdf Description: TOSHIBA - TK10P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+119.97 грн
10+ 102.83 грн
100+ 83.46 грн
500+ 65.04 грн
2000+ 51.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK10P60W,RVQ(S TK10P60W,RVQ(S Виробник : Toshiba 335docget.jsptypedatasheetlangenpidtk10p60w.jsptypedatasheetlangenpi.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній