на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 358.04 грн |
| 10+ | 323.89 грн |
| 25+ | 238.47 грн |
| 100+ | 228.5 грн |
| 250+ | 220.53 грн |
| 500+ | 211.9 грн |
| 1000+ | 191.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK110Z65Z,S1F Toshiba
Description: POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA, Supplier Device Package: TO-247-4L(T), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK110Z65Z,S1F за ціною від 397.45 грн до 459.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK110Z65Z,S1F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA Supplier Device Package: TO-247-4L(T) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|