TK30E06N1,S1X(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK30E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: TOSHIBA - TK30E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 73.62 грн |
13+ | 62.07 грн |
100+ | 39.05 грн |
500+ | 31 грн |
1000+ | 22.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK30E06N1,S1X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK30E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції TK30E06N1,S1X(S за ціною від 82.34 грн до 82.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TK30E06N1,S1X(S | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
на замовлення 149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
TK30E06N1,S1X(S | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
товар відсутній |
||||||
TK30E06N1,S1X(S | Виробник : TOSHIBA | TK30E06N1 THT N channel transistors |
товар відсутній |