Продукція > TOSHIBA > TK33S10N1L,LQ(O
TK33S10N1L,LQ(O

TK33S10N1L,LQ(O TOSHIBA

Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+111.03 грн
5+ 93.41 грн
12+ 69.19 грн
32+ 65.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK33S10N1L,LQ(O TOSHIBA

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 125W; DPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 33A, Power dissipation: 125W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 16.2Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 33nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції TK33S10N1L,LQ(O за ціною від 78.05 грн до 133.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK33S10N1L,LQ(O TK33S10N1L,LQ(O Виробник : TOSHIBA Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 823 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.23 грн
5+ 116.4 грн
12+ 83.03 грн
32+ 78.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK33S10N1L,LQ(O Виробник : Toshiba PWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній