TK380P60Y,RQ

TK380P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=55882&prodName=TK380P60Y Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+51.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK380P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK380P60Y,RQ за ціною від 39.46 грн до 121.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK380P60Y,RQ TK380P60Y,RQ Виробник : Toshiba TK380P60Y_datasheet_en_20161115-1115891.pdf MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 80W 590pF 9.7A
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.02 грн
10+ 94.72 грн
100+ 64.23 грн
500+ 54 грн
1000+ 44.04 грн
2000+ 41.45 грн
4000+ 39.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK380P60Y,RQ TK380P60Y,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55882&prodName=TK380P60Y Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 7735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.43 грн
10+ 104.34 грн
100+ 81.38 грн
500+ 63.09 грн
1000+ 49.81 грн
Мінімальне замовлення: 3