Продукція > TOSHIBA > TK3P80E,RQ
TK3P80E,RQ

TK3P80E,RQ Toshiba

TK3P80E_datasheet_en_20140917-1649626.pdf Виробник: Toshiba
MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.05 грн
10+ 64.24 грн
100+ 43.51 грн
500+ 36.8 грн
1000+ 30.02 грн
2000+ 28.23 грн
4000+ 26.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK3P80E,RQ Toshiba

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TK3P80E,RQ за ціною від 28.86 грн до 72.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK3P80E,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK3P80E_datasheet_en_20140917.pdf?did=14695&prodName=TK3P80E Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+72.57 грн
10+ 57.22 грн
100+ 44.53 грн
500+ 35.42 грн
1000+ 28.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK3P80E,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK3P80E_datasheet_en_20140917.pdf?did=14695&prodName=TK3P80E Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товар відсутній