Продукція > TOSHIBA > TK65A10N1,S4X(S
TK65A10N1,S4X(S

TK65A10N1,S4X(S Toshiba


1811docget.jsplangenpidtk65a10n1typedatasheet.jsplangenpidtk65a10n1ty.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
41+286.99 грн
84+ 139.53 грн
92+ 126.67 грн
114+ 99.24 грн
Мінімальне замовлення: 41
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK65A10N1,S4X(S Toshiba

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; 45W; TO220FP, Mounting: THT, Case: TO220FP, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 148A, On-state resistance: 4.8mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 45W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 81nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, кількість в упаковці: 850 шт.

Інші пропозиції TK65A10N1,S4X(S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK65A10N1,S4X(S TK65A10N1,S4X(S Виробник : Toshiba 1811docget.jsplangenpidtk65a10n1typedatasheet.jsplangenpidtk65a10n1ty.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK65A10N1,S4X(S TK65A10N1,S4X(S Виробник : TOSHIBA TK65A10N1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 148A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 850 шт
товар відсутній
TK65A10N1,S4X(S TK65A10N1,S4X(S Виробник : TOSHIBA TK65A10N1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 148A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній