Продукція > TOSHIBA > TK6A80E,S4X(S
TK6A80E,S4X(S

TK6A80E,S4X(S TOSHIBA

TK6A80E.pdf Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 18A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.64 грн
10+ 87.88 грн
12+ 72.65 грн
31+ 68.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK6A80E,S4X(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK6A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 1.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції TK6A80E,S4X(S за ціною від 82.2 грн до 143.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK6A80E,S4X(S TK6A80E,S4X(S Виробник : TOSHIBA TK6A80E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 18A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 199 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+143.07 грн
3+ 124.17 грн
10+ 105.45 грн
12+ 87.18 грн
31+ 82.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK6A80E,S4X(S TK6A80E,S4X(S Виробник : TOSHIBA 3934749.pdf Description: TOSHIBA - TK6A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 1.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+143.07 грн
10+ 108.05 грн
50+ 92.4 грн
Мінімальне замовлення: 6
TK6A80E,S4X(S TK6A80E,S4X(S Виробник : Toshiba 6024docget.jsplangenpidtk6a80etypedatasheet.jsplangenpidtk6a80etypeda.pdf Trans MOSFET N-CH Si 800V 6A
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK6A80E,S4X(S TK6A80E,S4X(S Виробник : Toshiba 6024docget.jsplangenpidtk6a80etypedatasheet.jsplangenpidtk6a80etypeda.pdf Silicon N-Channel MOS
товар відсутній