Продукція > TOSHIBA > TK8P25DA,RQ(S2
TK8P25DA,RQ(S2

TK8P25DA,RQ(S2 TOSHIBA

3934776.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK8P25DA,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.5 A, 0.41 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+26.53 грн
500+ 21.45 грн
1000+ 17.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK8P25DA,RQ(S2 TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK8P25DA,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.5 A, 0.41 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції TK8P25DA,RQ(S2 за ціною від 17.31 грн до 46.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK8P25DA,RQ(S2 TK8P25DA,RQ(S2 Виробник : TOSHIBA 3934776.pdf Description: TOSHIBA - TK8P25DA,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.5 A, 0.41 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+46.95 грн
21+ 35.92 грн
100+ 26.53 грн
500+ 21.45 грн
1000+ 17.31 грн
Мінімальне замовлення: 16
TK8P25DA,RQ(S2 TK8P25DA,RQ(S2 Виробник : Toshiba 4634684598779845646346845401102256tk8p25da_datasheet_en_20150803.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 7.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній