TN2425N8-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 250V 480MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 112.81 грн |
| 25+ | 89.45 грн |
| 100+ | 82.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TN2425N8-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 250V 480MA SOT89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-89-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TN2425N8-G за ціною від 79.71 грн до 122.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TN2425N8-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET 250V 3.5Ohm |
на замовлення 3238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TN2425N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.5A; 1.6W; SOT89-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
TN2425N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 250V 480MA SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
TN2425N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.5A; 1.6W; SOT89-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |