TP65H150G4PS

TP65H150G4PS Transphorm


TP65H150G4PS_2v1-2900652.pdf Виробник: Transphorm
MOSFET GAN FET 650V 13A TO220
на замовлення 992 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+476.61 грн
10+ 402.57 грн
50+ 331.46 грн
100+ 291.61 грн
250+ 281.65 грн
500+ 257.07 грн
1000+ 221.2 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP65H150G4PS Transphorm

Description: TRANSPHORM - TP65H150G4PS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, 8 nC, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 8nC, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperGaN Series, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm.

Інші пропозиції TP65H150G4PS за ціною від 240.15 грн до 371.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TP65H150G4PS Виробник : TRANSPHORM 4156857.pdf Description: TRANSPHORM - TP65H150G4PS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, 8 nC, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8nC
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+371.84 грн
10+ 330.11 грн
100+ 307.75 грн
500+ 274.7 грн
1000+ 240.15 грн
Мінімальне замовлення: 3