на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 476.61 грн |
10+ | 402.57 грн |
50+ | 331.46 грн |
100+ | 291.61 грн |
250+ | 281.65 грн |
500+ | 257.07 грн |
1000+ | 221.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP65H150G4PS Transphorm
Description: TRANSPHORM - TP65H150G4PS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, 8 nC, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 8nC, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperGaN Series, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm.
Інші пропозиції TP65H150G4PS за ціною від 240.15 грн до 371.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TP65H150G4PS | Виробник : TRANSPHORM |
Description: TRANSPHORM - TP65H150G4PS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, 8 nC, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 8nC Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|