Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPW2900ENH,L1Q
TPW2900ENH,L1Q

TPW2900ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

TPW2900ENH_datasheet_en_20191030.pdf?did=30357&prodName=TPW2900ENH Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+190.42 грн
10+ 152.23 грн
100+ 121.18 грн
500+ 96.23 грн
1000+ 81.65 грн
2000+ 77.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPW2900ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-DSOP Advance, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V.

Інші пропозиції TPW2900ENH,L1Q за ціною від 79.71 грн до 206.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPW2900ENH,L1Q TPW2900ENH,L1Q Виробник : Toshiba TPW2900ENH_datasheet_en_20191030-1568571.pdf MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 5103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+206.92 грн
10+ 169.59 грн
100+ 117.57 грн
250+ 108.94 грн
500+ 98.31 грн
1000+ 93.66 грн
5000+ 79.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPW2900ENH,L1Q TPW2900ENH,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPW2900ENH_datasheet_en_20191030.pdf?did=30357&prodName=TPW2900ENH Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
товар відсутній