TT8M1TR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSST
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.75 грн |
| 6000+ | 10.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TT8M1TR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-TSST, Part Status: Not For New Designs.
Інші пропозиції TT8M1TR за ціною від 10.1 грн до 37.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TT8M1TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.5A 8-Pin TSST T/R |
на замовлення 2607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TT8M1TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: 8-TSST Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 6717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TT8M1TR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 1.5V Drive Nch+Pch MOSFET |
на замовлення 6668 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|