UF3SC120016K3S Qorvo
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7824 pF @ 800 V
Description: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7824 pF @ 800 V
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3274.42 грн |
30+ | 2642.2 грн |
120+ | 2466.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3SC120016K3S Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 12V, Power Dissipation (Max): 517W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7824 pF @ 800 V.
Інші пропозиції UF3SC120016K3S за ціною від 2661.68 грн до 4369.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
UF3SC120016K3S | Виробник : UNITEDSIC |
Description: UNITEDSIC - UF3SC120016K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 Dauer-Drainstrom Id: 107 Verlustleistung Pd: 517 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7 MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 517 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016 Rds(on)-Prüfspannung: 12 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UF3SC120016K3S | Виробник : Qorvo | MOSFET 1200V/16mO,SICFET,G3,TO247-3 |
на замовлення 281 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UF3SC120016K3S | Виробник : Qorvo / UnitedSiC | MOSFET 1200V/16mOhm, SiC, N-OFF STACKED CASCODE, G3 FAST, TO-247-3L |
на замовлення 296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|