на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 43.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UGB8AT Diotec Semiconductor
Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 8A; 35ns; D2PAK; Ufmax: 1V; Ifsm: 112A, Type of diode: rectifying, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 50V, Load current: 8A, Max. load current: 22A, Reverse recovery time: 35ns, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: superfast switching, Case: D2PAK, Max. forward voltage: 1V, Max. forward impulse current: 112A, Leakage current: 5µA, Kind of package: tube, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції UGB8AT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
UGB8AT | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
 Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 50V; 8A; 35ns; D2PAK; Ufmax: 1V; Ifsm: 112A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 50V Load current: 8A Max. load current: 22A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: D2PAK Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 112A Leakage current: 5µA Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
UGB8AT | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 8A; 35ns; D2PAK; Ufmax: 1V; Ifsm: 112A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 50V Load current: 8A Max. load current: 22A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: D2PAK Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 112A Leakage current: 5µA Kind of package: tube |
товар відсутній |