на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 123.22 грн |
| 25+ | 97.01 грн |
| 100+ | 69.75 грн |
| 500+ | 62.77 грн |
| 10000+ | 61.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3D06504TS Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 118pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V.
Інші пропозиції UJ3D06504TS за ціною від 55.89 грн до 175.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ3D06504TS | Виробник : Qorvo |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 118pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V |
на замовлення 22775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
UJ3D06504TS | Виробник : Qorvo / UnitedSiC |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V/4A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE |
на замовлення 1724 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|