UMG9NTR ROHM Semiconductor
на замовлення 18174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 33.17 грн |
15+ | 20.93 грн |
100+ | 8.97 грн |
1000+ | 6.97 грн |
3000+ | 5.18 грн |
9000+ | 4.78 грн |
24000+ | 4.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UMG9NTR ROHM Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: UMT5.
Інші пропозиції UMG9NTR за ціною від 7.32 грн до 33.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
UMG9NTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: UMT5 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
UMG9NTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: UMT5 |
на замовлення 5804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
UMG9 N TR | Виробник : ROHM | SOT25/SOT353 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
UMG9 N TR | Виробник : ROHM | SOT353 |
на замовлення 5980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
UMG9NTR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR | UMG9NTR NPN SMD transistors |
товар відсутній |