UMH3NFHATN ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - UMH3NFHATN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach NPN, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-353
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 5.88 грн |
| 1000+ | 4.22 грн |
| 3000+ | 3.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UMH3NFHATN ROHM
Description: ROHM - UMH3NFHATN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach NPN, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-353, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UMH3NFHATN за ціною від 2.59 грн до 25.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UMH3NFHATN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
UMH3NFHATN | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - UMH3NFHATN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach NPN, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-353 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UMH3NFHATN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: UMT6 Part Status: Active Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UMH3NFHATN | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors NPN+NPN SOT-363 4.7kO Input Resist |
на замовлення 532 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UMH3NFHATN | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC88,SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC88; SOT363 Current gain: 100...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
UMH3NFHATN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: UMT6 Part Status: Active Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
UMH3NFHATN | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC88,SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC88; SOT363 Current gain: 100...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ |
товар відсутній |