US6M1TR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.18 грн |
| 6000+ | 14.76 грн |
| 9000+ | 13.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис US6M1TR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TUMT6, Part Status: Active.
Інші пропозиції US6M1TR за ціною від 13.75 грн до 46.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
US6M1TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT6 Part Status: Active |
на замовлення 11980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
US6M1TR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET N+P 30 20V 1A |
на замовлення 8156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| US6M1TR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
US6M1TR Multi channel transistors |
товар відсутній |