US6T9TR

US6T9TR ROHM Semiconductor


datasheet?p=US6T9&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR PNP
на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.72 грн
10+ 37.66 грн
100+ 24.44 грн
500+ 19.26 грн
1000+ 14.88 грн
3000+ 12.22 грн
9000+ 11.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис US6T9TR ROHM Semiconductor

Description: TRANS 2PNP 30V 1A 6UMT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 400mW, Current - Collector (Ic) (Max): 1A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 320MHz, Supplier Device Package: UMT6.

Інші пропозиції US6T9TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
US6T9TR US6T9TR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=US6T9&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS 2PNP 30V 1A 6UMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: UMT6
товар відсутній