.jpg "V8PAM10S-M3/I")
V8PAM10S-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SCHOTTKY 100V 2.8A DO221BC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14000+ | 7.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис V8PAM10S-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2.8A DO221BC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2.8A, Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції V8PAM10S-M3/I за ціною від 7.51 грн до 28.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
V8PAM10S-M3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2.8A DO221BC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.8A Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 18904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
V8PAM10S-M3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 8A 100V |
на замовлення 26009 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|