VT6Z2T2R

VT6Z2T2R ROHM


2644418.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
197+3.8 грн
Мінімальне замовлення: 197
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VT6Z2T2R ROHM

Description: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 150mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: VMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції VT6Z2T2R за ціною від 3.8 грн до 36.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
VT6Z2T2R VT6Z2T2R Виробник : ROHM 2644418.pdf Description: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
197+3.8 грн
Мінімальне замовлення: 197
VT6Z2T2R VT6Z2T2R Виробник : ROHM Semiconductor vt6z2.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT NPN PNP 50V 0.1A 6PIN
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.42 грн
12+ 26.97 грн
100+ 14.61 грн
500+ 9.96 грн
1000+ 7.71 грн
2500+ 6.58 грн
8000+ 5.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
VT6Z2T2R VT6Z2T2R Виробник : Rohm Semiconductor vt6z2.pdf Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A 6VMT
товар відсутній