WMJ80N65F2 WAYON
Виробник: WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 190ns
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 816.7 грн |
| 3+ | 327.98 грн |
| 7+ | 309.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMJ80N65F2 WAYON
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ F2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 45A, Pulsed drain current: 245A, Power dissipation: 410W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 37mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 26.2nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Reverse recovery time: 190ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції WMJ80N65F2 за ціною від 371.98 грн до 980.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WMJ80N65F2 | Виробник : WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ F2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 45A Pulsed drain current: 245A Power dissipation: 410W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Gate charge: 26.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 190ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 149 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|