Продукція > QORVO > Всі товари виробника QORVO (4455) > Сторінка 70 з 75

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 63 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
TTK1000 Qorvo RF Development Tools DWM1000 TDoA kit
товар відсутній
UF3C065030B3 UF3C065030B3 Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+861.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065030B3 UF3C065030B3 Qorvo UF3C065030B3_Data_Sheet-3177144.pdf MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1368.11 грн
25+ 1320.7 грн
100+ 994.28 грн
250+ 890.61 грн
500+ 866.37 грн
800+ 823.96 грн
2400+ 815.21 грн
UF3C065030B3 UF3C065030B3 Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1247.39 грн
10+ 1058.71 грн
100+ 915.64 грн
UF3C065030K3S UF3C065030K3S Qorvo UF3C065030K3S_Data_Sheet-3177197.pdf MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1404.24 грн
25+ 1376.44 грн
100+ 1035.34 грн
250+ 929.65 грн
600+ 916.86 грн
3000+ 912.82 грн
5400+ 908.11 грн
UF3C065030K3S UF3C065030K3S Qorvo Description: SICFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+900.77 грн
30+ 727.14 грн
UF3C065030K3S UF3C065030K3S QORVO 3750882.pdf Description: QORVO - UF3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1474.08 грн
5+ 1387.99 грн
10+ 1301.15 грн
50+ 1127.57 грн
100+ 966.39 грн
250+ 818.17 грн
UF3C065030K4S UF3C065030K4S QORVO 3750883.pdf Description: QORVO - UF3C065030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1492.2 грн
5+ 1404.6 грн
10+ 1317 грн
50+ 1141.59 грн
100+ 978.04 грн
250+ 923.02 грн
UF3C065030K4S UF3C065030K4S Qorvo UF3C065030K4S_Data_Sheet-3177006.pdf MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1552.68 грн
25+ 1350.89 грн
100+ 1017.84 грн
250+ 959.95 грн
600+ 815.89 грн
3000+ 799.06 грн
5400+ 774.15 грн
UF3C065030K4S UF3C065030K4S Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1297.64 грн
30+ 1011.19 грн
120+ 951.71 грн
510+ 809.41 грн
UF3C065030T3S UF3C065030T3S QORVO 3750884.pdf Description: QORVO - UF3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1689.3 грн
5+ 1563.19 грн
10+ 1436.32 грн
50+ 1255.19 грн
100+ 1085.49 грн
UF3C065030T3S UF3C065030T3S Qorvo UF3C065030T3S_Data_Sheet-3177172.pdf MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1756.87 грн
25+ 1472.43 грн
100+ 1128.91 грн
250+ 978.79 грн
500+ 828 грн
1000+ 784.25 грн
5000+ 745.2 грн
UF3C065030T3S UF3C065030T3S Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+877.47 грн
50+ 708.26 грн
UF3C065040B3 UF3C065040B3 Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+882.57 грн
10+ 748.34 грн
100+ 647.21 грн
UF3C065040B3 UF3C065040B3 Qorvo UF3C065040B3_Data_Sheet-3177206.pdf MOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+966.79 грн
25+ 942.91 грн
100+ 709.53 грн
250+ 663.75 грн
500+ 646.92 грн
800+ 613.93 грн
2400+ 607.88 грн
UF3C065040B3 UF3C065040B3 Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товар відсутній
UF3C065040K3S UF3C065040K3S Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+897.86 грн
30+ 700.05 грн
120+ 658.87 грн
510+ 560.36 грн
1020+ 513.99 грн
UF3C065040K3S UF3C065040K3S Qorvo UF3C065040K3S_Data_Sheet-3177024.pdf MOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+962.86 грн
25+ 872.47 грн
100+ 640.86 грн
600+ 572.2 грн
UF3C065040K3S UF3C065040K3S QORVO 3750886.pdf Description: QORVO - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+964.34 грн
5+ 907.71 грн
10+ 851.07 грн
50+ 729.27 грн
100+ 616.21 грн
250+ 603.91 грн
UF3C065040K4S UF3C065040K4S QORVO 3750887.pdf Description: QORVO - UF3C065040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1082.15 грн
5+ 1005.88 грн
10+ 928.85 грн
50+ 805 грн
100+ 690 грн
250+ 589.03 грн
UF3C065040K4S UF3C065040K4S Qorvo UF3C065040K4S_Data_Sheet-3177182.pdf MOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 3206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1094.81 грн
25+ 952.2 грн
100+ 717.6 грн
250+ 607.88 грн
600+ 575.56 грн
3000+ 563.45 грн
5400+ 546.62 грн
UF3C065040K4S UF3C065040K4S Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+915.34 грн
30+ 713.59 грн
120+ 671.61 грн
510+ 571.19 грн
1020+ 523.92 грн
UF3C065040T3S UF3C065040T3S QORVO 3750888.pdf Description: QORVO - UF3C065040T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1230.92 грн
5+ 1133.5 грн
10+ 1035.33 грн
50+ 905.28 грн
100+ 783.21 грн
250+ 679 грн
UF3C065040T3S UF3C065040T3S Qorvo UF3C065040T3S_Data_Sheet-3177146.pdf MOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1097.95 грн
25+ 876.34 грн
100+ 716.93 грн
250+ 715.58 грн
500+ 644.23 грн
1000+ 591.05 грн
5000+ 588.35 грн
UF3C065040T3S UF3C065040T3S Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+882.57 грн
50+ 687.65 грн
100+ 647.21 грн
500+ 550.44 грн
1000+ 504.88 грн
UF3C065080B3 UF3C065080B3 QORVO 3750889.pdf Description: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+564.11 грн
5+ 514.27 грн
10+ 464.43 грн
50+ 399.7 грн
100+ 339.18 грн
250+ 306.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080B3 UF3C065080B3 Qorvo UF3C065080B3_Data_Sheet-3177147.pdf MOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+542.69 грн
25+ 526.42 грн
100+ 384.38 грн
250+ 373.61 грн
500+ 372.27 грн
800+ 304.95 грн
2400+ 287.45 грн
UF3C065080B3 UF3C065080B3 QORVO 3750889.pdf Description: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+464.43 грн
50+ 399.7 грн
100+ 339.18 грн
250+ 306.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3C065080B3 UF3C065080B3 Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+265.05 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065080B3 UF3C065080B3 Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 14572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+358.27 грн
10+ 295.78 грн
100+ 255.24 грн
UF3C065080B7S UF3C065080B7S Qorvo da008632 Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+374.88 грн
1600+ 324.9 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065080B7S UF3C065080B7S Qorvo da008632 Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+594.93 грн
10+ 490.93 грн
100+ 409.14 грн
UF3C065080B7S UF3C065080B7S Qorvo UF3C065080B7S_Data_Sheet-3177034.pdf MOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 4303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+642.43 грн
25+ 623.96 грн
100+ 455.07 грн
250+ 442.95 грн
500+ 438.91 грн
800+ 360.82 грн
2400+ 360.15 грн
UF3C065080K3S UF3C065080K3S Qorvo UF3C065080K3S_Data_Sheet-3177161.pdf MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+695.05 грн
10+ 618.55 грн
120+ 444.97 грн
510+ 387.75 грн
1020+ 363.51 грн
2520+ 356.78 грн
UF3C065080K3S UF3C065080K3S Qorvo da008633 Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 12121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.49 грн
30+ 295.82 грн
120+ 274.11 грн
UF3C065080K3S UF3C065080K3S QORVO 3750890.pdf Description: QORVO - UF3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+602.62 грн
5+ 546.74 грн
10+ 490.1 грн
50+ 424.94 грн
100+ 364.42 грн
250+ 308.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080K4S UF3C065080K4S QORVO 3750891.pdf Description: QORVO - UF3C065080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+621.5 грн
5+ 564.11 грн
10+ 506.71 грн
50+ 438.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080K4S UF3C065080K4S Qorvo da008634 Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 13236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+551.97 грн
30+ 424.33 грн
120+ 379.66 грн
510+ 314.38 грн
1020+ 282.94 грн
2010+ 265.12 грн
UF3C065080K4S UF3C065080K4S Qorvo UF3C065080K4S_Data_Sheet-3177162.pdf MOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+602.38 грн
25+ 585.26 грн
100+ 426.79 грн
250+ 372.27 грн
600+ 337.93 грн
1200+ 319.08 грн
3000+ 318.41 грн
UF3C065080T3S UF3C065080T3S QORVO 3750892.pdf Description: QORVO - UF3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+656.99 грн
5+ 587.52 грн
10+ 517.29 грн
50+ 452.29 грн
100+ 391.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080T3S UF3C065080T3S Qorvo UF3C065080T3S_Data_Sheet-3177044.pdf MOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+633.01 грн
25+ 530.29 грн
100+ 407.27 грн
250+ 352.74 грн
500+ 298.89 грн
1000+ 282.73 грн
5000+ 268.6 грн
UF3C065080T3S UF3C065080T3S Qorvo da008635 Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 7559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+358.27 грн
50+ 275.45 грн
100+ 255.24 грн
UF3C120040K3S UF3C120040K3S Qorvo UF3C120040K3S_Data_Sheet-3177148.pdf MOSFET 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2387.52 грн
25+ 2077.04 грн
100+ 1565.13 грн
250+ 1324.81 грн
600+ 1254.12 грн
3000+ 1228.54 грн
5400+ 1191.52 грн
UF3C120040K3S UF3C120040K3S QORVO 3750893.pdf Description: QORVO - UF3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2295.7 грн
5+ 2161.28 грн
10+ 2026.1 грн
50+ 1755.86 грн
100+ 1504.93 грн
UF3C120040K3S UF3C120040K3S Qorvo da008636 Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 36046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1289.63 грн
30+ 1132.57 грн
UF3C120040K4S UF3C120040K4S Qorvo da008637 Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1808.83 грн
30+ 1443.98 грн
120+ 1353.75 грн
510+ 1084.11 грн
UF3C120040K4S UF3C120040K4S Qorvo UF3C120040K4S_Data_Sheet-3177198.pdf MOSFET 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2387.52 грн
25+ 2077.04 грн
100+ 1565.13 грн
250+ 1324.81 грн
600+ 1254.12 грн
3000+ 1228.54 грн
5400+ 1191.52 грн
UF3C120040K4S UF3C120040K4S QORVO 3750894.pdf Description: QORVO - UF3C120040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2295.7 грн
5+ 2161.28 грн
10+ 2026.1 грн
50+ 1755.86 грн
100+ 1504.93 грн
UF3C120080B7S UF3C120080B7S Qorvo da008638 Description: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+519.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C120080B7S UF3C120080B7S Qorvo da008638 Description: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+620.42 грн
10+ 526.06 грн
100+ 500.62 грн
UF3C120080B7S UF3C120080B7S Qorvo UF3C120080B7S_Data_Sheet-3177207.pdf MOSFET 1200V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1055.54 грн
25+ 918.14 грн
100+ 692.02 грн
250+ 584.99 грн
500+ 554.7 грн
2400+ 543.92 грн
4800+ 527.1 грн
UF3C120080K3S UF3C120080K3S Qorvo UF3C120080K3S_Data_Sheet-3177173.pdf MOSFET 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+1192.19 грн
25+ 1036.59 грн
100+ 781.55 грн
250+ 661.06 грн
600+ 626.72 грн
3000+ 613.93 грн
5400+ 595.76 грн
UF3C120080K3S UF3C120080K3S Qorvo da008639 Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 17644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+700.52 грн
30+ 565.47 грн
UF3C120080K4S UF3C120080K4S Qorvo UF3C120080K4S_Data_Sheet-3177055.pdf MOSFET 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1233.82 грн
25+ 990.91 грн
100+ 806.46 грн
250+ 723.66 грн
600+ 665.1 грн
3000+ 663.08 грн
5400+ 660.38 грн
UF3C120080K4S UF3C120080K4S Qorvo da008640 Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 16475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+973.59 грн
30+ 759.31 грн
120+ 714.65 грн
510+ 607.8 грн
1020+ 557.5 грн
UF3C120080K4S UF3C120080K4S QORVO 3750896.pdf Description: QORVO - UF3C120080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1168.24 грн
5+ 1090.46 грн
10+ 1012.67 грн
50+ 877.93 грн
UF3C120150B7S UF3C120150B7S Qorvo UF3C120150B7S_Data_Sheet-3177065.pdf MOSFET 1200V/150mOhms,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 4884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+590.6 грн
25+ 513.26 грн
100+ 387.08 грн
250+ 327.16 грн
500+ 310.33 грн
2400+ 306.97 грн
9600+ 285.43 грн
UF3C120150B7S UF3C120150B7S Qorvo da008641 Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+352.23 грн
1600+ 305.27 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C120150B7S UF3C120150B7S Qorvo da008641 Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+559.25 грн
10+ 461.26 грн
100+ 384.41 грн
UF3C120150K4S UF3C120150K4S Qorvo da008642 Description: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+660.47 грн
30+ 507.76 грн
120+ 454.3 грн
TTK1000
Виробник: Qorvo
RF Development Tools DWM1000 TDoA kit
товар відсутній
UF3C065030B3
UF3C065030B3
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+861.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065030B3 UF3C065030B3_Data_Sheet-3177144.pdf
UF3C065030B3
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1368.11 грн
25+ 1320.7 грн
100+ 994.28 грн
250+ 890.61 грн
500+ 866.37 грн
800+ 823.96 грн
2400+ 815.21 грн
UF3C065030B3
UF3C065030B3
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1247.39 грн
10+ 1058.71 грн
100+ 915.64 грн
UF3C065030K3S UF3C065030K3S_Data_Sheet-3177197.pdf
UF3C065030K3S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1404.24 грн
25+ 1376.44 грн
100+ 1035.34 грн
250+ 929.65 грн
600+ 916.86 грн
3000+ 912.82 грн
5400+ 908.11 грн
UF3C065030K3S
UF3C065030K3S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+900.77 грн
30+ 727.14 грн
UF3C065030K3S 3750882.pdf
UF3C065030K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1474.08 грн
5+ 1387.99 грн
10+ 1301.15 грн
50+ 1127.57 грн
100+ 966.39 грн
250+ 818.17 грн
UF3C065030K4S 3750883.pdf
UF3C065030K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1492.2 грн
5+ 1404.6 грн
10+ 1317 грн
50+ 1141.59 грн
100+ 978.04 грн
250+ 923.02 грн
UF3C065030K4S UF3C065030K4S_Data_Sheet-3177006.pdf
UF3C065030K4S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1552.68 грн
25+ 1350.89 грн
100+ 1017.84 грн
250+ 959.95 грн
600+ 815.89 грн
3000+ 799.06 грн
5400+ 774.15 грн
UF3C065030K4S
UF3C065030K4S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1297.64 грн
30+ 1011.19 грн
120+ 951.71 грн
510+ 809.41 грн
UF3C065030T3S 3750884.pdf
UF3C065030T3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1689.3 грн
5+ 1563.19 грн
10+ 1436.32 грн
50+ 1255.19 грн
100+ 1085.49 грн
UF3C065030T3S UF3C065030T3S_Data_Sheet-3177172.pdf
UF3C065030T3S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1756.87 грн
25+ 1472.43 грн
100+ 1128.91 грн
250+ 978.79 грн
500+ 828 грн
1000+ 784.25 грн
5000+ 745.2 грн
UF3C065030T3S
UF3C065030T3S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+877.47 грн
50+ 708.26 грн
UF3C065040B3
UF3C065040B3
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+882.57 грн
10+ 748.34 грн
100+ 647.21 грн
UF3C065040B3 UF3C065040B3_Data_Sheet-3177206.pdf
UF3C065040B3
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+966.79 грн
25+ 942.91 грн
100+ 709.53 грн
250+ 663.75 грн
500+ 646.92 грн
800+ 613.93 грн
2400+ 607.88 грн
UF3C065040B3
UF3C065040B3
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товар відсутній
UF3C065040K3S
UF3C065040K3S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+897.86 грн
30+ 700.05 грн
120+ 658.87 грн
510+ 560.36 грн
1020+ 513.99 грн
UF3C065040K3S UF3C065040K3S_Data_Sheet-3177024.pdf
UF3C065040K3S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+962.86 грн
25+ 872.47 грн
100+ 640.86 грн
600+ 572.2 грн
UF3C065040K3S 3750886.pdf
UF3C065040K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+964.34 грн
5+ 907.71 грн
10+ 851.07 грн
50+ 729.27 грн
100+ 616.21 грн
250+ 603.91 грн
UF3C065040K4S 3750887.pdf
UF3C065040K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1082.15 грн
5+ 1005.88 грн
10+ 928.85 грн
50+ 805 грн
100+ 690 грн
250+ 589.03 грн
UF3C065040K4S UF3C065040K4S_Data_Sheet-3177182.pdf
UF3C065040K4S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 3206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1094.81 грн
25+ 952.2 грн
100+ 717.6 грн
250+ 607.88 грн
600+ 575.56 грн
3000+ 563.45 грн
5400+ 546.62 грн
UF3C065040K4S
UF3C065040K4S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+915.34 грн
30+ 713.59 грн
120+ 671.61 грн
510+ 571.19 грн
1020+ 523.92 грн
UF3C065040T3S 3750888.pdf
UF3C065040T3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065040T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1230.92 грн
5+ 1133.5 грн
10+ 1035.33 грн
50+ 905.28 грн
100+ 783.21 грн
250+ 679 грн
UF3C065040T3S UF3C065040T3S_Data_Sheet-3177146.pdf
UF3C065040T3S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1097.95 грн
25+ 876.34 грн
100+ 716.93 грн
250+ 715.58 грн
500+ 644.23 грн
1000+ 591.05 грн
5000+ 588.35 грн
UF3C065040T3S
UF3C065040T3S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+882.57 грн
50+ 687.65 грн
100+ 647.21 грн
500+ 550.44 грн
1000+ 504.88 грн
UF3C065080B3 3750889.pdf
UF3C065080B3
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+564.11 грн
5+ 514.27 грн
10+ 464.43 грн
50+ 399.7 грн
100+ 339.18 грн
250+ 306.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080B3 UF3C065080B3_Data_Sheet-3177147.pdf
UF3C065080B3
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+542.69 грн
25+ 526.42 грн
100+ 384.38 грн
250+ 373.61 грн
500+ 372.27 грн
800+ 304.95 грн
2400+ 287.45 грн
UF3C065080B3 3750889.pdf
UF3C065080B3
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+464.43 грн
50+ 399.7 грн
100+ 339.18 грн
250+ 306.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3C065080B3
UF3C065080B3
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+265.05 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065080B3
UF3C065080B3
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 14572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+358.27 грн
10+ 295.78 грн
100+ 255.24 грн
UF3C065080B7S da008632
UF3C065080B7S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+374.88 грн
1600+ 324.9 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065080B7S da008632
UF3C065080B7S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+594.93 грн
10+ 490.93 грн
100+ 409.14 грн
UF3C065080B7S UF3C065080B7S_Data_Sheet-3177034.pdf
UF3C065080B7S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 4303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+642.43 грн
25+ 623.96 грн
100+ 455.07 грн
250+ 442.95 грн
500+ 438.91 грн
800+ 360.82 грн
2400+ 360.15 грн
UF3C065080K3S UF3C065080K3S_Data_Sheet-3177161.pdf
UF3C065080K3S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+695.05 грн
10+ 618.55 грн
120+ 444.97 грн
510+ 387.75 грн
1020+ 363.51 грн
2520+ 356.78 грн
UF3C065080K3S da008633
UF3C065080K3S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 12121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+384.49 грн
30+ 295.82 грн
120+ 274.11 грн
UF3C065080K3S 3750890.pdf
UF3C065080K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+602.62 грн
5+ 546.74 грн
10+ 490.1 грн
50+ 424.94 грн
100+ 364.42 грн
250+ 308.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080K4S 3750891.pdf
UF3C065080K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+621.5 грн
5+ 564.11 грн
10+ 506.71 грн
50+ 438.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080K4S da008634
UF3C065080K4S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 13236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+551.97 грн
30+ 424.33 грн
120+ 379.66 грн
510+ 314.38 грн
1020+ 282.94 грн
2010+ 265.12 грн
UF3C065080K4S UF3C065080K4S_Data_Sheet-3177162.pdf
UF3C065080K4S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+602.38 грн
25+ 585.26 грн
100+ 426.79 грн
250+ 372.27 грн
600+ 337.93 грн
1200+ 319.08 грн
3000+ 318.41 грн
UF3C065080T3S 3750892.pdf
UF3C065080T3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+656.99 грн
5+ 587.52 грн
10+ 517.29 грн
50+ 452.29 грн
100+ 391.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080T3S UF3C065080T3S_Data_Sheet-3177044.pdf
UF3C065080T3S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+633.01 грн
25+ 530.29 грн
100+ 407.27 грн
250+ 352.74 грн
500+ 298.89 грн
1000+ 282.73 грн
5000+ 268.6 грн
UF3C065080T3S da008635
UF3C065080T3S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 7559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+358.27 грн
50+ 275.45 грн
100+ 255.24 грн
UF3C120040K3S UF3C120040K3S_Data_Sheet-3177148.pdf
UF3C120040K3S
Виробник: Qorvo
MOSFET 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2387.52 грн
25+ 2077.04 грн
100+ 1565.13 грн
250+ 1324.81 грн
600+ 1254.12 грн
3000+ 1228.54 грн
5400+ 1191.52 грн
UF3C120040K3S 3750893.pdf
UF3C120040K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2295.7 грн
5+ 2161.28 грн
10+ 2026.1 грн
50+ 1755.86 грн
100+ 1504.93 грн
UF3C120040K3S da008636
UF3C120040K3S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 36046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1289.63 грн
30+ 1132.57 грн
UF3C120040K4S da008637
UF3C120040K4S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1808.83 грн
30+ 1443.98 грн
120+ 1353.75 грн
510+ 1084.11 грн
UF3C120040K4S UF3C120040K4S_Data_Sheet-3177198.pdf
UF3C120040K4S
Виробник: Qorvo
MOSFET 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2387.52 грн
25+ 2077.04 грн
100+ 1565.13 грн
250+ 1324.81 грн
600+ 1254.12 грн
3000+ 1228.54 грн
5400+ 1191.52 грн
UF3C120040K4S 3750894.pdf
UF3C120040K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2295.7 грн
5+ 2161.28 грн
10+ 2026.1 грн
50+ 1755.86 грн
100+ 1504.93 грн
UF3C120080B7S da008638
UF3C120080B7S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+519.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C120080B7S da008638
UF3C120080B7S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+620.42 грн
10+ 526.06 грн
100+ 500.62 грн
UF3C120080B7S UF3C120080B7S_Data_Sheet-3177207.pdf
UF3C120080B7S
Виробник: Qorvo
MOSFET 1200V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1055.54 грн
25+ 918.14 грн
100+ 692.02 грн
250+ 584.99 грн
500+ 554.7 грн
2400+ 543.92 грн
4800+ 527.1 грн
UF3C120080K3S UF3C120080K3S_Data_Sheet-3177173.pdf
UF3C120080K3S
Виробник: Qorvo
MOSFET 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1192.19 грн
25+ 1036.59 грн
100+ 781.55 грн
250+ 661.06 грн
600+ 626.72 грн
3000+ 613.93 грн
5400+ 595.76 грн
UF3C120080K3S da008639
UF3C120080K3S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 17644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+700.52 грн
30+ 565.47 грн
UF3C120080K4S UF3C120080K4S_Data_Sheet-3177055.pdf
UF3C120080K4S
Виробник: Qorvo
MOSFET 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1233.82 грн
25+ 990.91 грн
100+ 806.46 грн
250+ 723.66 грн
600+ 665.1 грн
3000+ 663.08 грн
5400+ 660.38 грн
UF3C120080K4S da008640
UF3C120080K4S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 16475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+973.59 грн
30+ 759.31 грн
120+ 714.65 грн
510+ 607.8 грн
1020+ 557.5 грн
UF3C120080K4S 3750896.pdf
UF3C120080K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1168.24 грн
5+ 1090.46 грн
10+ 1012.67 грн
50+ 877.93 грн
UF3C120150B7S UF3C120150B7S_Data_Sheet-3177065.pdf
UF3C120150B7S
Виробник: Qorvo
MOSFET 1200V/150mOhms,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 4884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+590.6 грн
25+ 513.26 грн
100+ 387.08 грн
250+ 327.16 грн
500+ 310.33 грн
2400+ 306.97 грн
9600+ 285.43 грн
UF3C120150B7S da008641
UF3C120150B7S
Виробник: Qorvo
Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+352.23 грн
1600+ 305.27 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C120150B7S da008641
UF3C120150B7S
Виробник: Qorvo
Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+559.25 грн
10+ 461.26 грн
100+ 384.41 грн
UF3C120150K4S da008642
UF3C120150K4S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+660.47 грн
30+ 507.76 грн
120+ 454.3 грн
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 63 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75  [ Наступна Сторінка >> ]