Продукція > QORVO > Всі товари виробника QORVO (4471) > Сторінка 73 з 75

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 63 68 69 70 71 72 73 74 75  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
UJ3D06520TS UJ3D06520TS Qorvo UJ3D06520TS_Data_Sheet-3177203.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V/20A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+429.95 грн
25+ 360.32 грн
100+ 276.74 грн
250+ 239.48 грн
500+ 202.9 грн
1000+ 192.55 грн
UJ3D06520TS UJ3D06520TS Qorvo DS_UJ3D06520TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 6111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376.25 грн
50+ 287.08 грн
100+ 246.07 грн
500+ 205.27 грн
1000+ 175.76 грн
2000+ 165.5 грн
UJ3D06530TS UJ3D06530TS Qorvo UJ3D06530TS_Data_Sheet-3177213.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V/30A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.83 грн
25+ 349.21 грн
100+ 280.88 грн
1000+ 280.19 грн
UJ3D06530TS UJ3D06530TS Qorvo DS_UJ3D06530TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 990pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 370 µA @ 650 V
на замовлення 7896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+550.94 грн
10+ 479.21 грн
100+ 396.72 грн
500+ 324.2 грн
1000+ 304.6 грн
UJ3D06560KSD UJ3D06560KSD Qorvo Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 740 µA @ 650 V
на замовлення 6469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+700.25 грн
30+ 565.4 грн
UJ3D06560KSD UJ3D06560KSD Qorvo UJ3D06560KSD_Data_Sheet-3177167.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V/60A,SIC,DIODE,DUAL,G3,TO247-3
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1192.43 грн
25+ 1037.3 грн
100+ 781.23 грн
250+ 661.14 грн
600+ 625.95 грн
3000+ 614.22 грн
5400+ 594.89 грн
UJ3D1202TS UJ3D1202TS Qorvo da008686 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 109pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22 µA @ 1200 V
на замовлення 17979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.24 грн
50+ 127.39 грн
100+ 104.82 грн
500+ 83.24 грн
1000+ 70.62 грн
2000+ 67.09 грн
5000+ 63.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1202TS UJ3D1202TS Qorvo UJ3D1202TS_Data_Sheet-3177187.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/2A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.08 грн
25+ 141.27 грн
100+ 109.04 грн
250+ 93.86 грн
500+ 80.06 грн
1000+ 75.91 грн
5000+ 73.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1202TS UJ3D1202TS QORVO 3750914.pdf Description: QORVO - UJ3D1202TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 12 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.26 грн
10+ 137.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
UJ3D1205TS UJ3D1205TS Qorvo da008687 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 1200 V
на замовлення 36235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.57 грн
50+ 194.3 грн
100+ 166.54 грн
500+ 138.93 грн
1000+ 118.96 грн
2000+ 112.01 грн
5000+ 105.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1210K2 UJ3D1210K2 Qorvo UJ3D1210K2_Data_Sheet-3177193.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/10A,SIC,DIODE,G3,TO247-2
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+417.87 грн
25+ 364.29 грн
100+ 273.98 грн
250+ 232.57 грн
600+ 229.12 грн
3000+ 223.6 грн
5400+ 219.46 грн
UJ3D1210K2 UJ3D1210K2 Qorvo da008688 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 7251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+431.5 грн
30+ 328.91 грн
120+ 281.91 грн
510+ 235.17 грн
1020+ 201.36 грн
2010+ 189.6 грн
UJ3D1210KS UJ3D1210KS Qorvo da008689 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+454.64 грн
10+ 368 грн
100+ 297.7 грн
500+ 248.34 грн
1000+ 212.64 грн
2000+ 200.22 грн
UJ3D1210KS UJ3D1210KS Qorvo UJ3D1210KS_Data_Sheet-3177153.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/10A,SIC,DIODE,G3,TO247-3
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+487.12 грн
25+ 475.4 грн
100+ 336.78 грн
250+ 290.54 грн
600+ 253.97 грн
1200+ 241.55 грн
UJ3D1210KSD UJ3D1210KSD Qorvo UJ3D1210KSD_Data_Sheet-3177154.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/10A,SIC,DIODE,DUAL,G3,TO247-3
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+518.52 грн
25+ 482.54 грн
100+ 352.66 грн
250+ 298.83 грн
600+ 278.81 грн
3000+ 276.05 грн
5400+ 271.22 грн
UJ3D1210KSD UJ3D1210KSD Qorvo da008690 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 5328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.13 грн
10+ 397.26 грн
100+ 328.88 грн
500+ 268.75 грн
1000+ 252.51 грн
UJ3D1210TS UJ3D1210TS QORVO da008691 Description: QORVO - UJ3D1210TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+491.61 грн
5+ 435.87 грн
10+ 380.12 грн
50+ 332.13 грн
100+ 287.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1210TS UJ3D1210TS Qorvo UJ3D1210TS_Data_Sheet-3177155.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/10A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+436.39 грн
25+ 421.43 грн
100+ 301.59 грн
250+ 285.02 грн
500+ 242.24 грн
1000+ 214.63 грн
3000+ 213.94 грн
UJ3D1210TS UJ3D1210TS Qorvo da008691 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 9056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.39 грн
50+ 223.8 грн
100+ 191.83 грн
500+ 176.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1220K2 UJ3D1220K2 Qorvo DS_UJ3D1220K2.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 810pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 1200 V
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+667.4 грн
10+ 550.95 грн
100+ 459.14 грн
UJ3D1220K2 UJ3D1220K2 Qorvo UJ3D1220K2_Data_Sheet-3177204.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/20A,SIC,DIODE,G3,TO247-2
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+697.26 грн
25+ 621.43 грн
100+ 456.87 грн
250+ 391.99 грн
600+ 366.46 грн
3000+ 359.56 грн
5400+ 349.9 грн
UJ3D1220KSD UJ3D1220KSD Qorvo da008693 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1020pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V
на замовлення 1823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+774.16 грн
30+ 594.93 грн
120+ 532.3 грн
510+ 440.77 грн
1020+ 396.69 грн
UJ3D1220KSD UJ3D1220KSD Qorvo UJ3D1220KSD_Data_Sheet-3177214.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/20A,SIC,DIODE,DUAL,G3,TO247-3
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+825.28 грн
25+ 717.46 грн
100+ 540.37 грн
250+ 457.56 грн
600+ 434.09 грн
3000+ 425.12 грн
5400+ 412.01 грн
UJ3D1250K UJ3D1250K Qorvo UJ3D1250K_Data_Sheet-3177215.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/50A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-247-3L
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1903.38 грн
10+ 1668.25 грн
30+ 1267.77 грн
270+ 1081.43 грн
UJ3D1250K UJ3D1250K Qorvo da008694 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
на замовлення 6788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1075.76 грн
30+ 944.83 грн
UJ3D1250K2 UJ3D1250K2 Qorvo da008695 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
на замовлення 15260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1530.4 грн
30+ 1221.51 грн
120+ 1145.16 грн
510+ 917.07 грн
UJ3D1725K2 UJ3D1725K2 Qorvo UJ3D1725K2_Data_Sheet-3177156.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1700V/25A,SIC,DIODE,G3,TO247-2
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1294.68 грн
25+ 1126.19 грн
100+ 848.86 грн
250+ 718.43 грн
600+ 680.47 грн
3000+ 666.67 грн
5400+ 646.65 грн
UJ3D1725K2 UJ3D1725K2 Qorvo da008696 Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 25A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1700 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+760.72 грн
30+ 614.19 грн
UJ3N065025K3S UJ3N065025K3S Qorvo UJ3N065025K3S_Data_Sheet-3177128.pdf JFET 650V/25mO,SIC,JFET,G3,TO247-3
на замовлення 440 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+1571.66 грн
25+ 1367.46 грн
100+ 1030.36 грн
250+ 872.32 грн
600+ 826.09 грн
3000+ 808.83 грн
5400+ 784.68 грн
UJ3N065025K3S UJ3N065025K3S Qorvo da008697 Description: JFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 650 V
Current Drain (Id) - Max: 85 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Power - Max: 441 W
Resistance - RDS(On): 33 mOhms
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1313.16 грн
30+ 1023.96 грн
120+ 963.72 грн
UJ3N065080K3S UJ3N065080K3S QORVO 3750932.pdf Description: QORVO - UJ3N065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.068 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+617.8 грн
5+ 560.51 грн
10+ 502.45 грн
50+ 435.64 грн
100+ 373.6 грн
250+ 315.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3N065080K3S UJ3N065080K3S Qorvo UJ3N065080K3S_Data_Sheet-3177169.pdf JFET 650V/80mOhms,SIC,JFET,G3,TO247-3
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+591.79 грн
25+ 515.08 грн
100+ 388.54 грн
250+ 328.5 грн
600+ 311.25 грн
3000+ 305.04 грн
5400+ 296.07 грн
UJ3N065080K3S UJ3N065080K3S Qorvo da008698 Description: JFET N-CH 650V 32A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 650 V
Current Drain (Id) - Max: 32 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Power - Max: 190 W
Resistance - RDS(On): 95 mOhms
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+561.39 грн
30+ 431.4 грн
120+ 386 грн
UJ3N120035K3S UJ3N120035K3S Qorvo UJ3N120035K3S_Data_Sheet-3177188.pdf JFET 1200V/35mO,SIC,JFET,G3,TO247-3
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2338.97 грн
25+ 1911.9 грн
100+ 1558.31 грн
250+ 1330.57 грн
600+ 1315.39 грн
3000+ 1307.11 грн
5400+ 1289.16 грн
UJ3N120035K3S UJ3N120035K3S Qorvo da008699 Description: JFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2145pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 63 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 429 W
Resistance - RDS(On): 45 mOhms
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1854.39 грн
30+ 1480.35 грн
120+ 1387.85 грн
510+ 1111.42 грн
UJ3N120065K3S UJ3N120065K3S Qorvo da008700 Description: JFET N-CH 1.2KV 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1008pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 34 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 254 W
Resistance - RDS(On): 55 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 µA @ 1200 V
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1093.67 грн
30+ 852.55 грн
120+ 802.4 грн
510+ 682.43 грн
UJ3N120065K3S UJ3N120065K3S Qorvo UJ3N120065K3S_Data_Sheet-3177157.pdf JFET 1200V/65mOhms,SIC,JFET,G3,TO247-3
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1326.89 грн
25+ 1153.97 грн
100+ 869.56 грн
250+ 735.68 грн
600+ 697.03 грн
3000+ 683.23 грн
5400+ 662.53 грн
UJ3N120070K3S UJ3N120070K3S Qorvo UJ3N120070K3S_Data_Sheet-3177158.pdf JFET 1200V/70mOhms,SIC,JFET,G3,TO247-3
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1224.64 грн
25+ 1064.28 грн
100+ 801.93 грн
250+ 679.09 грн
600+ 643.2 грн
3000+ 630.09 грн
5400+ 611.46 грн
UJ3N120070K3S UJ3N120070K3S QORVO 3750934.pdf Description: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1197.66 грн
5+ 1117.92 грн
10+ 1038.18 грн
50+ 900.05 грн
100+ 771.09 грн
250+ 652.97 грн
UJ3N120070K3S UJ3N120070K3S Qorvo da008701 Description: JFET N-CH 1200V 33.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 33.5 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 254 W
Resistance - RDS(On): 90 mOhms
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1022.75 грн
30+ 797.44 грн
120+ 750.53 грн
510+ 638.31 грн
UJ4C075018K3S UJ4C075018K3S Qorvo da008702 Description: SICFET N-CH 750V 81A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 5766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1261.64 грн
30+ 983.51 грн
120+ 925.65 грн
510+ 787.25 грн
UJ4C075018K3S UJ4C075018K3S Qorvo UJ4C075018K3S_Data_Sheet-3177132.pdf MOSFET 750V/18mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1509.66 грн
25+ 1313.49 грн
100+ 989.65 грн
250+ 837.13 грн
600+ 792.96 грн
3000+ 777.09 грн
5400+ 752.93 грн
UJ4C075018K4S UJ4C075018K4S Qorvo DS_UJ4C075018K4S.pdf Description: SICFET N-CH 750V 81A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1272.1 грн
10+ 1078.76 грн
100+ 932.99 грн
500+ 793.49 грн
UJ4C075018K4S UJ4C075018K4S QORVO 3971379.pdf Description: QORVO - UJ4C075018K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1514.31 грн
5+ 1383.47 грн
10+ 1252.63 грн
50+ 1118.59 грн
100+ 990.74 грн
250+ 850.05 грн
UJ4C075018K4S UJ4C075018K4S Qorvo UJ4C075018K4S_Data_Sheet-3177194.pdf MOSFET 750V/18mOhms,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1574.88 грн
25+ 1284.13 грн
100+ 1030.36 грн
250+ 884.06 грн
600+ 836.44 грн
5400+ 830.23 грн
10200+ 817.8 грн
UJ4C075023B7S UJ4C075023B7S Qorvo UJ4C075023B7S_Data_Sheet-3177178.pdf JFET 750V/23mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1209.34 грн
25+ 1052.38 грн
100+ 792.96 грн
250+ 670.81 грн
500+ 635.61 грн
2400+ 622.5 грн
4800+ 603.86 грн
UJ4C075023K3S UJ4C075023K3S Qorvo UJ4C075023K3S_Data_Sheet-3177134.pdf JFET 750V/23mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1227.86 грн
25+ 1068.25 грн
100+ 804.69 грн
250+ 680.47 грн
600+ 644.58 грн
3000+ 631.47 грн
5400+ 612.15 грн
UJ4C075023K3S UJ4C075023K3S Qorvo da008705 Description: 750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1011.56 грн
30+ 788.55 грн
120+ 742.17 грн
510+ 631.2 грн
UJ4C075023K4S UJ4C075023K4S Qorvo UJ4C075023K4S_Data_Sheet-3177159.pdf JFET 750V/23mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1262.48 грн
25+ 1099.21 грн
100+ 828.16 грн
250+ 700.48 грн
600+ 663.22 грн
3000+ 650.79 грн
5400+ 630.09 грн
UJ4C075023K4S UJ4C075023K4S Qorvo da008706 Description: 750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1040.67 грн
30+ 811.33 грн
120+ 763.62 грн
510+ 649.44 грн
UJ4C075023K4S UJ4C075023K4S QORVO 3971380.pdf Description: QORVO - UJ4C075023K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1228.63 грн
5+ 1150.44 грн
10+ 1072.25 грн
50+ 929.52 грн
100+ 796.3 грн
250+ 673.54 грн
UJ4C075023L8S UJ4C075023L8S Qorvo UJ4C075023L8S_Data_Sheet-3402384.pdf MOSFET 750V/23mOhms,SICFET,G4,TOLL
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1383.25 грн
25+ 1158.73 грн
100+ 888.89 грн
250+ 770.88 грн
500+ 652.17 грн
1000+ 592.82 грн
6000+ 580.4 грн
UJ4C075033B7S UJ4C075033B7S Qorvo UJ4C075033B7S_Data_Sheet-3177170.pdf MOSFET 750V/33mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+887.28 грн
25+ 771.43 грн
100+ 581.09 грн
250+ 492.06 грн
500+ 465.84 грн
2400+ 456.87 грн
4800+ 443.06 грн
UJ4C075033K3S UJ4C075033K3S Qorvo UJ4C075033K3S_Data_Sheet-3177216.pdf MOSFET 750V/33mOhms,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+899.35 грн
25+ 782.54 грн
100+ 589.37 грн
250+ 498.96 грн
600+ 472.74 грн
3000+ 463.77 грн
5400+ 449.27 грн
UJ4C075033K3S UJ4C075033K3S Qorvo da008708 Description: 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+733.84 грн
30+ 571.99 грн
120+ 538.34 грн
UJ4C075033K4S UJ4C075033K4S QORVO 3971381.pdf Description: QORVO - UJ4C075033K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+942.18 грн
5+ 867.86 грн
10+ 793.54 грн
50+ 687.97 грн
100+ 589.27 грн
250+ 499.02 грн
UJ4C075033K4S UJ4C075033K4S Qorvo UJ4C075033K4S_Data_Sheet-3177179.pdf JFET 750V/33mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+934.78 грн
25+ 813.49 грн
100+ 612.84 грн
250+ 518.98 грн
600+ 490.68 грн
3000+ 481.02 грн
5400+ 466.53 грн
UJ4C075033K4S UJ4C075033K4S Qorvo da008709 Description: 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+770.42 грн
30+ 600.53 грн
120+ 565.21 грн
510+ 480.7 грн
1020+ 440.92 грн
UJ4C075033L8S UJ4C075033L8S Qorvo UJ4C075033L8S_Data_Sheet-3402368.pdf MOSFET 750V/33mOhms,SICFET,G4,TOLL
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1071.66 грн
25+ 897.62 грн
100+ 688.75 грн
250+ 596.96 грн
500+ 505.18 грн
1000+ 459.63 грн
6000+ 449.97 грн
UJ4C075044B7S UJ4C075044B7S Qorvo DS_UJ4C075044B7S.pdf Description: 750V/44MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+483.81 грн
1600+ 419.3 грн
Мінімальне замовлення: 800
UJ3D06520TS UJ3D06520TS_Data_Sheet-3177203.pdf
UJ3D06520TS
Виробник: Qorvo
Schottky Diodes & Rectifiers 650V/20A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+429.95 грн
25+ 360.32 грн
100+ 276.74 грн
250+ 239.48 грн
500+ 202.9 грн
1000+ 192.55 грн
UJ3D06520TS DS_UJ3D06520TS.pdf
UJ3D06520TS
Виробник: Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 6111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+376.25 грн
50+ 287.08 грн
100+ 246.07 грн
500+ 205.27 грн
1000+ 175.76 грн
2000+ 165.5 грн
UJ3D06530TS UJ3D06530TS_Data_Sheet-3177213.pdf
UJ3D06530TS
Виробник: Qorvo
Schottky Diodes & Rectifiers 650V/30A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+442.83 грн
25+ 349.21 грн
100+ 280.88 грн
1000+ 280.19 грн
UJ3D06530TS DS_UJ3D06530TS.pdf
UJ3D06530TS
Виробник: Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 990pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 370 µA @ 650 V
на замовлення 7896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+550.94 грн
10+ 479.21 грн
100+ 396.72 грн
500+ 324.2 грн
1000+ 304.6 грн
UJ3D06560KSD
UJ3D06560KSD
Виробник: Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 740 µA @ 650 V
на замовлення 6469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+700.25 грн
30+ 565.4 грн
UJ3D06560KSD UJ3D06560KSD_Data_Sheet-3177167.pdf
UJ3D06560KSD
Виробник: Qorvo
Schottky Diodes & Rectifiers 650V/60A,SIC,DIODE,DUAL,G3,TO247-3
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1192.43 грн
25+ 1037.3 грн
100+ 781.23 грн
250+ 661.14 грн
600+ 625.95 грн
3000+ 614.22 грн
5400+ 594.89 грн
UJ3D1202TS da008686
UJ3D1202TS
Виробник: Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 109pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22 µA @ 1200 V
на замовлення 17979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+164.24 грн
50+ 127.39 грн
100+ 104.82 грн
500+ 83.24 грн
1000+ 70.62 грн
2000+ 67.09 грн
5000+ 63.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1202TS UJ3D1202TS_Data_Sheet-3177187.pdf
UJ3D1202TS
Виробник: Qorvo
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/2A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+169.08 грн
25+ 141.27 грн
100+ 109.04 грн
250+ 93.86 грн
500+ 80.06 грн
1000+ 75.91 грн
5000+ 73.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1202TS 3750914.pdf
UJ3D1202TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1202TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 12 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+184.26 грн
10+ 137.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
UJ3D1205TS da008687
UJ3D1205TS
Виробник: Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 1200 V
на замовлення 36235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+254.57 грн
50+ 194.3 грн
100+ 166.54 грн
500+ 138.93 грн
1000+ 118.96 грн
2000+ 112.01 грн
5000+ 105.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1210K2 UJ3D1210K2_Data_Sheet-3177193.pdf
UJ3D1210K2
Виробник: Qorvo
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/10A,SIC,DIODE,G3,TO247-2
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+417.87 грн
25+ 364.29 грн
100+ 273.98 грн
250+ 232.57 грн
600+ 229.12 грн
3000+ 223.6 грн
5400+ 219.46 грн
UJ3D1210K2 da008688
UJ3D1210K2
Виробник: Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 7251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+431.5 грн
30+ 328.91 грн
120+ 281.91 грн
510+ 235.17 грн
1020+ 201.36 грн
2010+ 189.6 грн
UJ3D1210KS da008689
UJ3D1210KS
Виробник: Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+454.64 грн
10+ 368 грн
100+ 297.7 грн
500+ 248.34 грн
1000+ 212.64 грн
2000+ 200.22 грн
UJ3D1210KS UJ3D1210KS_Data_Sheet-3177153.pdf
UJ3D1210KS
Виробник: Qorvo
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/10A,SIC,DIODE,G3,TO247-3
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+487.12 грн
25+ 475.4 грн
100+ 336.78 грн
250+ 290.54 грн
600+ 253.97 грн
1200+ 241.55 грн
UJ3D1210KSD UJ3D1210KSD_Data_Sheet-3177154.pdf
UJ3D1210KSD
Виробник: Qorvo
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/10A,SIC,DIODE,DUAL,G3,TO247-3
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+518.52 грн
25+ 482.54 грн
100+ 352.66 грн
250+ 298.83 грн
600+ 278.81 грн
3000+ 276.05 грн
5400+ 271.22 грн
UJ3D1210KSD da008690
UJ3D1210KSD
Виробник: Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 5328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+456.13 грн
10+ 397.26 грн
100+ 328.88 грн
500+ 268.75 грн
1000+ 252.51 грн
UJ3D1210TS da008691
UJ3D1210TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+491.61 грн
5+ 435.87 грн
10+ 380.12 грн
50+ 332.13 грн
100+ 287.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1210TS UJ3D1210TS_Data_Sheet-3177155.pdf
UJ3D1210TS
Виробник: Qorvo
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/10A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+436.39 грн
25+ 421.43 грн
100+ 301.59 грн
250+ 285.02 грн
500+ 242.24 грн
1000+ 214.63 грн
3000+ 213.94 грн
UJ3D1210TS da008691
UJ3D1210TS
Виробник: Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 9056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+293.39 грн
50+ 223.8 грн
100+ 191.83 грн
500+ 176.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1220K2 DS_UJ3D1220K2.pdf
UJ3D1220K2
Виробник: Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 810pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 1200 V
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+667.4 грн
10+ 550.95 грн
100+ 459.14 грн
UJ3D1220K2 UJ3D1220K2_Data_Sheet-3177204.pdf
UJ3D1220K2
Виробник: Qorvo
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/20A,SIC,DIODE,G3,TO247-2
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+697.26 грн
25+ 621.43 грн
100+ 456.87 грн
250+ 391.99 грн
600+ 366.46 грн
3000+ 359.56 грн
5400+ 349.9 грн
UJ3D1220KSD da008693
UJ3D1220KSD
Виробник: Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1020pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V
на замовлення 1823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+774.16 грн
30+ 594.93 грн
120+ 532.3 грн
510+ 440.77 грн
1020+ 396.69 грн
UJ3D1220KSD UJ3D1220KSD_Data_Sheet-3177214.pdf
UJ3D1220KSD
Виробник: Qorvo
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/20A,SIC,DIODE,DUAL,G3,TO247-3
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+825.28 грн
25+ 717.46 грн
100+ 540.37 грн
250+ 457.56 грн
600+ 434.09 грн
3000+ 425.12 грн
5400+ 412.01 грн
UJ3D1250K UJ3D1250K_Data_Sheet-3177215.pdf
UJ3D1250K
Виробник: Qorvo
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/50A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-247-3L
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1903.38 грн
10+ 1668.25 грн
30+ 1267.77 грн
270+ 1081.43 грн
UJ3D1250K da008694
UJ3D1250K
Виробник: Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
на замовлення 6788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1075.76 грн
30+ 944.83 грн
UJ3D1250K2 da008695
UJ3D1250K2
Виробник: Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
на замовлення 15260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1530.4 грн
30+ 1221.51 грн
120+ 1145.16 грн
510+ 917.07 грн
UJ3D1725K2 UJ3D1725K2_Data_Sheet-3177156.pdf
UJ3D1725K2
Виробник: Qorvo
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V/25A,SIC,DIODE,G3,TO247-2
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1294.68 грн
25+ 1126.19 грн
100+ 848.86 грн
250+ 718.43 грн
600+ 680.47 грн
3000+ 666.67 грн
5400+ 646.65 грн
UJ3D1725K2 da008696
UJ3D1725K2
Виробник: Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 25A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1700 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+760.72 грн
30+ 614.19 грн
UJ3N065025K3S UJ3N065025K3S_Data_Sheet-3177128.pdf
UJ3N065025K3S
Виробник: Qorvo
JFET 650V/25mO,SIC,JFET,G3,TO247-3
на замовлення 440 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1571.66 грн
25+ 1367.46 грн
100+ 1030.36 грн
250+ 872.32 грн
600+ 826.09 грн
3000+ 808.83 грн
5400+ 784.68 грн
UJ3N065025K3S da008697
UJ3N065025K3S
Виробник: Qorvo
Description: JFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 650 V
Current Drain (Id) - Max: 85 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Power - Max: 441 W
Resistance - RDS(On): 33 mOhms
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1313.16 грн
30+ 1023.96 грн
120+ 963.72 грн
UJ3N065080K3S 3750932.pdf
UJ3N065080K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3N065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.068 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+617.8 грн
5+ 560.51 грн
10+ 502.45 грн
50+ 435.64 грн
100+ 373.6 грн
250+ 315.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3N065080K3S UJ3N065080K3S_Data_Sheet-3177169.pdf
UJ3N065080K3S
Виробник: Qorvo
JFET 650V/80mOhms,SIC,JFET,G3,TO247-3
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+591.79 грн
25+ 515.08 грн
100+ 388.54 грн
250+ 328.5 грн
600+ 311.25 грн
3000+ 305.04 грн
5400+ 296.07 грн
UJ3N065080K3S da008698
UJ3N065080K3S
Виробник: Qorvo
Description: JFET N-CH 650V 32A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 650 V
Current Drain (Id) - Max: 32 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Power - Max: 190 W
Resistance - RDS(On): 95 mOhms
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+561.39 грн
30+ 431.4 грн
120+ 386 грн
UJ3N120035K3S UJ3N120035K3S_Data_Sheet-3177188.pdf
UJ3N120035K3S
Виробник: Qorvo
JFET 1200V/35mO,SIC,JFET,G3,TO247-3
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2338.97 грн
25+ 1911.9 грн
100+ 1558.31 грн
250+ 1330.57 грн
600+ 1315.39 грн
3000+ 1307.11 грн
5400+ 1289.16 грн
UJ3N120035K3S da008699
UJ3N120035K3S
Виробник: Qorvo
Description: JFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2145pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 63 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 429 W
Resistance - RDS(On): 45 mOhms
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1854.39 грн
30+ 1480.35 грн
120+ 1387.85 грн
510+ 1111.42 грн
UJ3N120065K3S da008700
UJ3N120065K3S
Виробник: Qorvo
Description: JFET N-CH 1.2KV 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1008pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 34 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 254 W
Resistance - RDS(On): 55 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 µA @ 1200 V
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1093.67 грн
30+ 852.55 грн
120+ 802.4 грн
510+ 682.43 грн
UJ3N120065K3S UJ3N120065K3S_Data_Sheet-3177157.pdf
UJ3N120065K3S
Виробник: Qorvo
JFET 1200V/65mOhms,SIC,JFET,G3,TO247-3
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1326.89 грн
25+ 1153.97 грн
100+ 869.56 грн
250+ 735.68 грн
600+ 697.03 грн
3000+ 683.23 грн
5400+ 662.53 грн
UJ3N120070K3S UJ3N120070K3S_Data_Sheet-3177158.pdf
UJ3N120070K3S
Виробник: Qorvo
JFET 1200V/70mOhms,SIC,JFET,G3,TO247-3
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1224.64 грн
25+ 1064.28 грн
100+ 801.93 грн
250+ 679.09 грн
600+ 643.2 грн
3000+ 630.09 грн
5400+ 611.46 грн
UJ3N120070K3S 3750934.pdf
UJ3N120070K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1197.66 грн
5+ 1117.92 грн
10+ 1038.18 грн
50+ 900.05 грн
100+ 771.09 грн
250+ 652.97 грн
UJ3N120070K3S da008701
UJ3N120070K3S
Виробник: Qorvo
Description: JFET N-CH 1200V 33.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 33.5 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 254 W
Resistance - RDS(On): 90 mOhms
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1022.75 грн
30+ 797.44 грн
120+ 750.53 грн
510+ 638.31 грн
UJ4C075018K3S da008702
UJ4C075018K3S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 750V 81A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 5766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1261.64 грн
30+ 983.51 грн
120+ 925.65 грн
510+ 787.25 грн
UJ4C075018K3S UJ4C075018K3S_Data_Sheet-3177132.pdf
UJ4C075018K3S
Виробник: Qorvo
MOSFET 750V/18mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1509.66 грн
25+ 1313.49 грн
100+ 989.65 грн
250+ 837.13 грн
600+ 792.96 грн
3000+ 777.09 грн
5400+ 752.93 грн
UJ4C075018K4S DS_UJ4C075018K4S.pdf
UJ4C075018K4S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 750V 81A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1272.1 грн
10+ 1078.76 грн
100+ 932.99 грн
500+ 793.49 грн
UJ4C075018K4S 3971379.pdf
UJ4C075018K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075018K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1514.31 грн
5+ 1383.47 грн
10+ 1252.63 грн
50+ 1118.59 грн
100+ 990.74 грн
250+ 850.05 грн
UJ4C075018K4S UJ4C075018K4S_Data_Sheet-3177194.pdf
UJ4C075018K4S
Виробник: Qorvo
MOSFET 750V/18mOhms,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1574.88 грн
25+ 1284.13 грн
100+ 1030.36 грн
250+ 884.06 грн
600+ 836.44 грн
5400+ 830.23 грн
10200+ 817.8 грн
UJ4C075023B7S UJ4C075023B7S_Data_Sheet-3177178.pdf
UJ4C075023B7S
Виробник: Qorvo
JFET 750V/23mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1209.34 грн
25+ 1052.38 грн
100+ 792.96 грн
250+ 670.81 грн
500+ 635.61 грн
2400+ 622.5 грн
4800+ 603.86 грн
UJ4C075023K3S UJ4C075023K3S_Data_Sheet-3177134.pdf
UJ4C075023K3S
Виробник: Qorvo
JFET 750V/23mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1227.86 грн
25+ 1068.25 грн
100+ 804.69 грн
250+ 680.47 грн
600+ 644.58 грн
3000+ 631.47 грн
5400+ 612.15 грн
UJ4C075023K3S da008705
UJ4C075023K3S
Виробник: Qorvo
Description: 750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1011.56 грн
30+ 788.55 грн
120+ 742.17 грн
510+ 631.2 грн
UJ4C075023K4S UJ4C075023K4S_Data_Sheet-3177159.pdf
UJ4C075023K4S
Виробник: Qorvo
JFET 750V/23mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1262.48 грн
25+ 1099.21 грн
100+ 828.16 грн
250+ 700.48 грн
600+ 663.22 грн
3000+ 650.79 грн
5400+ 630.09 грн
UJ4C075023K4S da008706
UJ4C075023K4S
Виробник: Qorvo
Description: 750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1040.67 грн
30+ 811.33 грн
120+ 763.62 грн
510+ 649.44 грн
UJ4C075023K4S 3971380.pdf
UJ4C075023K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075023K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1228.63 грн
5+ 1150.44 грн
10+ 1072.25 грн
50+ 929.52 грн
100+ 796.3 грн
250+ 673.54 грн
UJ4C075023L8S UJ4C075023L8S_Data_Sheet-3402384.pdf
UJ4C075023L8S
Виробник: Qorvo
MOSFET 750V/23mOhms,SICFET,G4,TOLL
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1383.25 грн
25+ 1158.73 грн
100+ 888.89 грн
250+ 770.88 грн
500+ 652.17 грн
1000+ 592.82 грн
6000+ 580.4 грн
UJ4C075033B7S UJ4C075033B7S_Data_Sheet-3177170.pdf
UJ4C075033B7S
Виробник: Qorvo
MOSFET 750V/33mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+887.28 грн
25+ 771.43 грн
100+ 581.09 грн
250+ 492.06 грн
500+ 465.84 грн
2400+ 456.87 грн
4800+ 443.06 грн
UJ4C075033K3S UJ4C075033K3S_Data_Sheet-3177216.pdf
UJ4C075033K3S
Виробник: Qorvo
MOSFET 750V/33mOhms,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+899.35 грн
25+ 782.54 грн
100+ 589.37 грн
250+ 498.96 грн
600+ 472.74 грн
3000+ 463.77 грн
5400+ 449.27 грн
UJ4C075033K3S da008708
UJ4C075033K3S
Виробник: Qorvo
Description: 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+733.84 грн
30+ 571.99 грн
120+ 538.34 грн
UJ4C075033K4S 3971381.pdf
UJ4C075033K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075033K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+942.18 грн
5+ 867.86 грн
10+ 793.54 грн
50+ 687.97 грн
100+ 589.27 грн
250+ 499.02 грн
UJ4C075033K4S UJ4C075033K4S_Data_Sheet-3177179.pdf
UJ4C075033K4S
Виробник: Qorvo
JFET 750V/33mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+934.78 грн
25+ 813.49 грн
100+ 612.84 грн
250+ 518.98 грн
600+ 490.68 грн
3000+ 481.02 грн
5400+ 466.53 грн
UJ4C075033K4S da008709
UJ4C075033K4S
Виробник: Qorvo
Description: 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+770.42 грн
30+ 600.53 грн
120+ 565.21 грн
510+ 480.7 грн
1020+ 440.92 грн
UJ4C075033L8S UJ4C075033L8S_Data_Sheet-3402368.pdf
UJ4C075033L8S
Виробник: Qorvo
MOSFET 750V/33mOhms,SICFET,G4,TOLL
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1071.66 грн
25+ 897.62 грн
100+ 688.75 грн
250+ 596.96 грн
500+ 505.18 грн
1000+ 459.63 грн
6000+ 449.97 грн
UJ4C075044B7S DS_UJ4C075044B7S.pdf
UJ4C075044B7S
Виробник: Qorvo
Description: 750V/44MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+483.81 грн
1600+ 419.3 грн
Мінімальне замовлення: 800
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 63 68 69 70 71 72 73 74 75  [ Наступна Сторінка >> ]