Продукція > NVB

MOSFET SUPERFET5 FRFET, 55MOHM, D2PAK

на замовлення 386 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	496.45 грн
10+	419.67 грн
25+	330.97 грн
100+	304.33 грн
250+	286.35 грн
500+	268.37 грн
800+	241.07 грн

NVB055N60S5F

Power MOSFET, N-Channel Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	512.47 грн
26+	454.89 грн
28+	423.84 грн
100+	382.07 грн
250+	340.36 грн
500+	297.86 грн
800+	271.12 грн

Мінімальне замовлення: 23

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB072N65S3

Description: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	527.31 грн
10+	435.49 грн
100+	362.93 грн

NVB072N65S3

MOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG

на замовлення 3050 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	572.59 грн
10+	483.24 грн
25+	381.58 грн
100+	350.28 грн
250+	330.3 грн
500+	308.99 грн
800+	278.36 грн

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB072N65S3

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	453.25 грн
29+	414.97 грн
30+	394.9 грн
100+	362.33 грн
250+	323.55 грн
500+	282.26 грн

Мінімальне замовлення: 26

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	420.88 грн
10+	385.33 грн
25+	366.69 грн
100+	336.45 грн
250+	300.43 грн
500+	262.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB072N65S3

Description: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	475.86 грн
10+	422.4 грн
25+	393.57 грн
100+	354.78 грн
250+	316.05 грн
500+	276.59 грн
800+	251.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB082N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: D²PAK-3 (TO-263-3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	353.82 грн
1600+	306.64 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVB082N65S3F

MOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	616.88 грн
10+	521.53 грн
25+	411.55 грн
100+	377.59 грн
250+	355.61 грн
500+	332.97 грн
800+	299.67 грн

NVB082N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB082N65S3F

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVB082N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB082N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: D²PAK-3 (TO-263-3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	561.88 грн
10+	463.38 грн
100+	386.15 грн

NVB082N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB095N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 36A Automotive T/R

товар відсутній

NVB095N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	263.18 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVB095N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVB095N65S3F

MOSFET SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK-3

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	473.15 грн
10+	392.1 грн
100+	276.36 грн
500+	271.04 грн
800+	209.1 грн
2400+	197.12 грн

NVB095N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	435.82 грн
10+	352.46 грн
100+	285.11 грн

NVB099N65S3

MOSFET SF3 650V EASY 99MOHM, D2PAK AUTO

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	341.85 грн
10+	282.59 грн
100+	199.11 грн
500+	187.13 грн
800+	147.17 грн
2400+	142.51 грн

NVB099N65S3

Description: SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	189.77 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVB099N65S3

Single N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 30 A

товар відсутній

NVB099N65S3

Single N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 30 A Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVB099N65S3

Description: SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V

на замовлення 1408 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	314.8 грн
10+	254.1 грн
100+	205.59 грн

NVB110N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 21570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	417.09 грн
10+	337.13 грн
100+	272.71 грн

NVB110N65S3F

Power MOSFET Single N-Channel

товар відсутній

NVB110N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	251.73 грн
1600+	207.56 грн
2400+	195.44 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVB110N65S3F

MOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG

на замовлення 507 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	452.17 грн
10+	374.49 грн
25+	315.65 грн
100+	263.04 грн
250+	255.72 грн
500+	247.73 грн
800+	200.45 грн

NVB125N65S3

Description: SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	259.33 грн
10+	209.7 грн
100+	169.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB125N65S3

MOSFET SF3 650V EASY 125MOHM, D2PAK AUTO

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	282.02 грн
10+	232.81 грн
25+	197.12 грн
100+	163.82 грн
250+	159.16 грн
500+	154.5 грн
800+	124.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB125N65S3

MOSFET Power, N Channel, Automotive AEC-Q101, Easy drive, 650 V, 24 A, 125 m

товар відсутній

NVB125N65S3

Description: SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	156.63 грн
1600+	129.15 грн
2400+	121.6 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVB125N65S3

MOSFET Power, N Channel, Automotive, Easy drive, 650 V, 24 A, 125 m

товар відсутній

NVB150N65S3F

MOSFET 650V FRFET,150M

на замовлення 2430 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	299.89 грн
10+	248.89 грн
25+	203.78 грн
100+	174.48 грн
250+	164.49 грн
500+	149.17 грн
800+	124.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB150N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB150N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB150N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1999 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1523 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	276.62 грн
10+	223.57 грн
100+	180.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB150N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB150N65S3F

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVB150N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1999 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	166.96 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVB190N65S3

Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVB190N65S3F

Description: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm

на замовлення 1468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	273.42 грн
10+	205.44 грн
100+	165.84 грн
500+	135.96 грн
800+	108.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

NVB190N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

товар відсутній

NVB190N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

товар відсутній

NVB190N65S3F

на замовлення 590 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVB190N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 13552 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	252.13 грн
10+	203.87 грн
100+	164.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB190N65S3F

MOSFET SUPERFET3 650V FRFET,190M

на замовлення 4474 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	276.59 грн
10+	228.98 грн
100+	161.82 грн
800+	125.2 грн
2400+	118.54 грн
4800+	115.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB190N65S3F

Description: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 162W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.158ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm

на замовлення 1468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	165.84 грн
500+	135.96 грн
800+	108.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

NVB190N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	152.2 грн
1600+	125.5 грн
2400+	118.17 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVB190N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

товар відсутній

NVB25P06T4G

MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET

на замовлення 572 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

NVB25P06T4G

Description: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK

товар відсутній

NVB25P06T4G

Description: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK

товар відсутній

NVB260N65S3

Description: SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V

товар відсутній

NVB260N65S3

Single N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 12 A, 260 m Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVB260N65S3

Description: SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V

товар відсутній

NVB260N65S3

Single N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 12 A, 260 m

товар відсутній

NVB260N65S3

MOSFET SF3 650V EASY 260MOHM, D2PAK AUTO

на замовлення 496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.88 грн
10+	174.61 грн
100+	120.53 грн
500+	97.23 грн
800+	83.91 грн
2400+	79.25 грн
4800+	77.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB260N65S3

на замовлення 770 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVB5404NT4G

Description: ONSEMI - NVB5404NT4G - NVB5404NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 492 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

492+	125.5 грн

Мінімальне замовлення: 492

NVB5404NT4G

Description: MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	193.78 грн
10+	154.76 грн
100+	123.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB5404NT4G

Trans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB5404NT4G

MOSFET NFET D2PK 40V 129A 4.5MOH

на замовлення 719 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

NVB5405NT4G

Description: NVB5405 - SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 32 V

на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

214+	93.13 грн

Мінімальне замовлення: 214

NVB5405NT4G

Trans MOSFET N-CH 40V 16.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB5426NT4G

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

товар відсутній

NVB5860NLT4G

Description: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK

товар відсутній

NVB5860NLT4G

Trans MOSFET N-CH 60V 220A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB5860NLT4G

MOSFET NFET D2PAK 60V 169A 3MOHM

на замовлення 731 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

NVB5860NT4G

Trans MOSFET N-CH 60V 220A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB5860NT4G

Description: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK

товар відсутній

NVB60N06T4G

Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVB60N06T4G

MOSFET NFET 60V .016R TR

товар відсутній

NVB60N06T4G

Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB60N06T4G

Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

210+	95.79 грн

Мінімальне замовлення: 210

NVB6410ANT4G

MOSFET NFET D2PAK 100V 76A 13MOH

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

NVB6410ANT4G

Trans MOSFET N-CH 100V 76A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB6410ANT4G

Description: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK

товар відсутній

NVB6411ANT4G

Description: MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 72A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

175+	113.25 грн

Мінімальне замовлення: 175

NVB6411ANT4G

Description: MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 72A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVB6411ANT4G

MOSFET NFET D2PAK 100V 75A 16MO

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

NVB6411ANT4G

Trans MOSFET N-CH 100V 77A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB6412ANT4G

Trans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 548 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	101.9 грн
119+	98.43 грн
126+	92.91 грн
129+	87.5 грн
133+	78.48 грн
500+	73.19 грн

Мінімальне замовлення: 115

NVB6412ANT4G

Description: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V

товар відсутній

NVB6412ANT4G

MOSFET NFET D2PAK 100V 59A 20MO

на замовлення 1016 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

NVB6412ANT4G

Trans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB6412ANT4G

Trans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 548 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	94.62 грн
10+	91.4 грн
25+	86.27 грн
50+	81.25 грн
100+	72.87 грн
500+	67.96 грн

Мінімальне замовлення: 7

NVB6413ANT4G

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB6413ANT4G

Description: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK

товар відсутній

NVBF170LT1G

Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

NVBF170LT1G

Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

NVBF170LT1G

MOSFET Automotive Power MOSFET, 60V, 500mA, 5 Ohm, Single N-Channel, SOT-23, Logic Level. Automotive version of the MMBF170L.

товар відсутній

NVBG015N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4309.21 грн
10+	3772.52 грн
100+	3395.24 грн

NVBG015N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG015N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVBG015N065SC1

MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V

на замовлення 558 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	4565.99 грн
10+	4091.81 грн
25+	3505.48 грн
50+	3468.19 грн
100+	3201.82 грн
250+	3149.21 грн
500+	3038 грн

NVBG015N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG015N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive T/R

товар відсутній

NVBG020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	4702.88 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG020N090SC1

MOSFET 20MOHM 900V

на замовлення 716 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	4481.3 грн
10+	4027.48 грн
25+	3461.53 грн
50+	3425.57 грн
100+	3171.85 грн
250+	3083.28 грн
500+	2965.41 грн

NVBG020N090SC1

Description: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 13428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4165.14 грн
10+	3646.2 грн
100+	3281.54 грн

NVBG020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG020N090SC1

Description: ONSEMI - NVBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 477W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm

на замовлення 649 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	3725.5 грн
100+	3676.2 грн
500+	3368.52 грн

Мінімальне замовлення: 10

NVBG020N090SC1

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBG020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG020N090SC1

Description: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	3124.08 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG020N090SC1

на замовлення 649 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4390.37 грн
10+	3725.5 грн
100+	3676.2 грн
500+	3368.52 грн

NVBG020N120SC1

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive T/R

товар відсутній

NVBG020N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85415000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 749 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4365.72 грн
5+	4310.44 грн

NVBG020N120SC1

на замовлення 671 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBG020N120SC1

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG020N120SC1

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	6395.77 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG020N120SC1

Description: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	5371.03 грн
10+	4905.31 грн
25+	4771.82 грн
100+	4165 грн

NVBG020N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85415000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 468W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 749 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	4310.44 грн

Мінімальне замовлення: 10

NVBG020N120SC1

MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1

на замовлення 779 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	5833.93 грн
10+	5340.87 грн
25+	4470.42 грн
50+	4417.15 грн
100+	4158.77 грн
250+	4082.85 грн
500+	3874.41 грн

NVBG020N120SC1

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG020N120SC1

Description: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	4435.55 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG022N120M3S

Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	2652.38 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG022N120M3S

MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V

на замовлення 870 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	3865.98 грн
10+	3394.91 грн
25+	2776.95 грн
50+	2684.39 грн
100+	2591.15 грн
250+	2499.26 грн
500+	2341.43 грн

NVBG022N120M3S

Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3133.66 грн
10+	2931.34 грн
25+	2871.37 грн

NVBG022N120M3S

Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	3374.71 грн
10+	3156.83 грн
25+	3092.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

NVBG022N120M3S

SiC MOSFET 1200 V 22 mohm

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1211.23 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG022N120M3S

Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG022N120M3S

Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	2624.47 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG022N120M3S

Description: SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 800 V

товар відсутній

NVBG025N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3051.46 грн
10+	2617.96 грн
100+	2297.91 грн

NVBG025N065SC1

NVBG025N065SC1

товар відсутній

NVBG025N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,19mohm,650V Automotive AEC-Q101

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2460.25 грн

NVBG025N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	2113.58 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG025N065SC1

MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2998.93 грн
10+	2669.67 грн
25+	2244.87 грн
100+	2079.72 грн
250+	2018.45 грн
500+	1915.23 грн
800+	1885.93 грн

NVBG025N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,19mohm,650V Automotive AEC-Q101

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	2649.5 грн

Мінімальне замовлення: 5

NVBG030N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	2615.83 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG030N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG030N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2405.29 грн
10+	2063.78 грн
100+	1811.47 грн

NVBG030N120M3S

MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2612.8 грн
10+	2294.41 грн
25+	1876.61 грн
50+	1814.01 грн
100+	1751.41 грн
250+	1688.81 грн
500+	1582.93 грн

NVBG030N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG030N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1666.15 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG030N120M3S

SiC MOS D2PAK-7L 30mohm 1200V M3

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1106.34 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG040N120M3S

MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2171.5 грн
10+	1902.31 грн
25+	1542.97 грн
50+	1495.03 грн
100+	1446.41 грн
250+	1349.85 грн
500+	1233.98 грн

NVBG040N120M3S

Description: ONSEMI - NVBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 49 A, 1.2 kV, 0.0405 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.22V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 297W
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0405ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2061.09 грн
10+	1894.5 грн
100+	1742.85 грн
500+	1555.24 грн
800+	1376.69 грн
1600+	1317.78 грн

NVBG040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1862.71 грн
10+	1711.7 грн
25+	1624.27 грн

NVBG040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	2084.7 грн
10+	1948.9 грн
20+	1756.07 грн
50+	1645.84 грн

Мінімальне замовлення: 6

NVBG040N120M3S

SiC MOS D2PAK-7L 40mohm 1200V M3

товар відсутній

NVBG040N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1999.01 грн
10+	1710.48 грн
100+	1496.08 грн

NVBG040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG040N120M3S

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1894.5 грн
100+	1742.85 грн
500+	1555.24 грн
800+	1376.69 грн
1600+	1317.78 грн

Мінімальне замовлення: 10

NVBG040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	2005.99 грн
10+	1843.37 грн
25+	1749.21 грн
50+	1637.97 грн
100+	1468.7 грн

Мінімальне замовлення: 6

NVBG040N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1325.76 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG040N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

NVBG040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 66 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	2805.12 грн
10+	2734.31 грн
25+	2544.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

NVBG040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1140.53 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG040N120SC1

Description: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1715.21 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG040N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

NVBG040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG040N120SC1
Код товару: 179416

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

NVBG040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	3161.82 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG040N120SC1

на замовлення 135 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBG040N120SC1

MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2767.41 грн
10+	2578.54 грн
25+	2212.24 грн
50+	2208.24 грн
100+	2111.68 грн
250+	2110.35 грн
500+	2107.69 грн

NVBG040N120SC1

Description: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2586.1 грн
10+	2212.99 грн
100+	1935.57 грн

NVBG040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 66 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2604.76 грн
10+	2539.01 грн
25+	2362.71 грн

NVBG045N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,31mohm,650V Automotive AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1853.26 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG045N065SC1

MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V

на замовлення 1231 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2274.84 грн
10+	2067.73 грн
100+	1534.98 грн
500+	1245.3 грн
800+	1233.98 грн

NVBG045N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V

товар відсутній

NVBG045N065SC1

NVBG045N065SC1

товар відсутній

NVBG045N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,31mohm,650V Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG045N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V

товар відсутній

NVBG060N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1549.5 грн
10+	1325.7 грн
100+	1159.5 грн

NVBG060N065SC1

NVBG060N065SC1

товар відсутній

NVBG060N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,44mohm,650V Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG060N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1027.49 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG060N065SC1

MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V

товар відсутній

NVBG060N090SC1

Silicon Carbide MOSFET,60mohm,900V Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG060N090SC1

Description: MOSFET N-CH 900V 5.8/44A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V

на замовлення 1460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1970.91 грн
10+	1686.97 грн
100+	1475.47 грн

NVBG060N090SC1

на замовлення 594 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBG060N090SC1

MOSFET 60MOHM

на замовлення 1003 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2088.37 грн
10+	1828.79 грн
25+	1483.7 грн
50+	1437.75 грн
100+	1391.81 грн
250+	1298.57 грн
500+	1190.03 грн

NVBG060N090SC1

Description: MOSFET N-CH 900V 5.8/44A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1307.5 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG060N090SC1

N-Channel MOSFET

товар відсутній

NVBG060N090SC1-ENG

SiC MOS D2PAK 7L 60mohm 900V

товар відсутній

NVBG070N120M3S

MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3

на замовлення 1599 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1561.62 грн
10+	1367.76 грн
25+	1109.45 грн
50+	1074.82 грн
100+	1040.19 грн
250+	970.27 грн
500+	887.69 грн

NVBG070N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1010.78 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG070N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1778.46 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG070N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG070N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1759.74 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG070N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG075N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,6mohm,650V Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG075N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1305.3 грн
10+	1107.46 грн
100+	957.82 грн

NVBG075N065SC1

MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V

на замовлення 1594 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1424.88 грн
10+	1247.53 грн
25+	1012.89 грн
50+	980.92 грн
100+	949.62 грн
250+	885.69 грн
500+	809.78 грн

NVBG075N065SC1

SiliconCarbide MOSFET,6mohm,650V Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG075N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	901.4 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG080N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V

товар відсутній

NVBG080N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1220.48 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG080N120SC1

MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V

на замовлення 1453 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1068.27 грн
10+	928.18 грн
25+	785.14 грн
50+	741.19 грн
100+	697.9 грн
250+	676.59 грн
500+	632.64 грн

NVBG080N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1255.51 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG080N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG080N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V

на замовлення 760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1281.53 грн
10+	1134.17 грн
100+	957.89 грн

NVBG080N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG080N120SC1

на замовлення 600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBG089N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO, 89MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 970µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3598 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	390.71 грн
1600+	338.61 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG089N65S3F

MOSFET SF3 FRFET AUTO, 89MOHM, D2PAK 7L

товар відсутній

NVBG095N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,70mohm,650V Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG095N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,70mohm,650V Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG095N65S3F

MOSFET SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	442.07 грн
10+	372.96 грн
25+	295.01 грн
100+	270.37 грн
250+	254.39 грн
500+	239.07 грн
800+	215.1 грн

NVBG095N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2352 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	407.01 грн
10+	336.3 грн
100+	280.23 грн

NVBG095N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	256.78 грн
1600+	222.54 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG1000N170M1

SIC 1700V MOS 1O IN TO263

товар відсутній

NVBG160N120SC1

MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V

на замовлення 1270 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1311.45 грн
10+	1151.8 грн
25+	992.24 грн
100+	905.01 грн
250+	889.02 грн
500+	819.77 грн
800+	751.84 грн

NVBG160N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 13600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	880.64 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	824.32 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	910.32 грн
25+	902 грн

Мінімальне замовлення: 13

NVBG160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG160N120SC1

на замовлення 630 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBG160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	857.42 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG160N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 19.5A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 19.5
hazardous: false
usEccn: Unknown
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
euEccn: Unknown
Verlustleistung: 136
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

товар відсутній

NVBG160N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1275.04 грн
10+	1081.94 грн
100+	935.75 грн

NVBG160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	866.53 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	853.83 грн
10+	845.3 грн
25+	837.57 грн

NVBGS1D2N08H

Description: T8-80V IN SUZHOU D2PAK7L FOR AUT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 290A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10830 pF @ 40 V

товар відсутній

NVBGS1D2N08H

MOSFET Power MOSFET, 80 V, 1.2 mohm, 353 A, Single N-Channel D2PAK-7L (Pb-Free)

товар відсутній

NVBGS1D2N08H

Power MOSFET Single N-Channel

товар відсутній

NVBGS4D1N15MC

на замовлення 740 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBGS4D1N15MC

MOSFET MOSFET - Single N-Channel 150 V, 4.1 mohm, 185 A D2PAK7 (Pb-Free)

на замовлення 1328 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1045.74 грн
10+	945.79 грн
25+	805.12 грн
50+	778.48 грн
100+	740.52 грн
800+	659.94 грн

NVBGS4D1N15MC

Trans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBGS4D1N15MC

Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1141.78 грн
10+	1010.77 грн
25+	968.83 грн
100+	761.77 грн
250+	712.62 грн

NVBGS4D1N15MC

Trans MOSFET N-CH 150V 20A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1184.53 грн
11+	1068.13 грн
25+	1053.89 грн
50+	949.09 грн
100+	810.08 грн
250+	761.53 грн
500+	709.65 грн

Мінімальне замовлення: 10

NVBGS4D1N15MC

Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVBGS4D1N15MC

Trans MOSFET N-CH 150V 20A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1099.92 грн
10+	991.83 грн
25+	978.61 грн
50+	881.3 грн
100+	752.22 грн
250+	707.14 грн
500+	658.96 грн

NVBGS6D5N15MC

Description: MOSFET N-CH 150V 15/121A D2PAK-7

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

NVBGS6D5N15MC

NVBGS6D5N15MC

товар відсутній

NVBGS6D5N15MC

MOSFET PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR AUTOMOTIVE

товар відсутній

NVBGS6D5N15MC

MOSFET Power, Single N Channel, D2PAK7 150 V, 7 m, 121 A

товар відсутній

NVBL099N65S3

Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

NVBLS001N06C

Description: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	410.21 грн

Мінімальне замовлення: 2000

NVBLS001N06C

Description: ONSEMI - NVBLS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 422 A, 750 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 422A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 284W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm

на замовлення 481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	514.71 грн
10+	379.5 грн
100+	327.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVBLS001N06C

Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	836.48 грн
10+	711.85 грн
25+	451.8 грн

NVBLS001N06C

MOSFET NFET TOLL 60V 1.0MO

на замовлення 4531 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	792.46 грн
10+	676.99 грн
25+	492.13 грн
100+	446.84 грн
250+	445.51 грн
500+	419.54 грн
1000+	398.9 грн

NVBLS001N06C

Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товар відсутній

NVBLS001N06C

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBLS001N06C

Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	900.83 грн
16+	766.6 грн
25+	486.56 грн

Мінімальне замовлення: 13

NVBLS001N06C

Description: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4655 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	771.51 грн
10+	637.01 грн
100+	530.85 грн
500+	439.58 грн
1000+	395.62 грн

NVBLS001N06C

на замовлення 481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	379.5 грн
100+	327.95 грн

Мінімальне замовлення: 10

NVBLS001N06C

Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товар відсутній

NVBLS0D5N04CTXG

MOSFET T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.5 MOHMS MAX

на замовлення 3996 шт:

термін постачання 466-475 дні (днів)

1+	615.32 грн
10+	520 грн
25+	410.22 грн
100+	376.25 грн
250+	354.94 грн
500+	332.3 грн
1000+	299.01 грн

NVBLS0D5N04CTXG

Trans MOSFET N-CH 40V 65A T/R

товар відсутній

NVBLS0D5N04CTXG

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBLS0D5N04CTXG

Description: MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 198.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 475µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	567.65 грн
10+	468.17 грн
100+	390.15 грн
500+	323.07 грн
1000+	290.76 грн

NVBLS0D5N04CTXG

Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.0005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 300
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 198.4
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198.4
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 1890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	708.2 грн
10+	574.48 грн
100+	499.02 грн
500+	389.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVBLS0D5N04CTXG

Trans MOSFET N-CH 40V 65A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R

товар відсутній

NVBLS0D5N04CTXG

Description: MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 198.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 475µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVBLS0D5N04M8TXG

Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF

на замовлення 2089 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

NVBLS0D5N04M8TXG

Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

NVBLS0D5N04M8TXG

MOSFET NMOS TOLL 40V 0.65

на замовлення 419 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

NVBLS0D5N04M8TXG

Trans MOSFET N-CH 40V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товар відсутній

NVBLS0D5N04M8TXG

Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04M8TXG - MOSFET, N-CH, 40V, 300A, 175DEG C, 429W
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2839 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	284.62 грн

Мінімальне замовлення: 130

NVBLS0D7N04M8TXG

MOSFET NMOS TOLL 40V 1.2

на замовлення 1875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

NVBLS0D7N04M8TXG

Trans MOSFET N-CH 40V 240A Automotive 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товар відсутній

NVBLS0D7N04M8TXG

Description: NMOS TOLL 40V 1.2 MOHM

товар відсутній

NVBLS0D7N04M8TXG

Description: MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

128+	156.54 грн

Мінімальне замовлення: 128

NVBLS0D7N04M8TXG

Description: NMOS TOLL 40V 1.2 MOHM

товар відсутній

NVBLS0D7N04M8TXG

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBLS0D7N04M8TXG

Description: MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF

товар відсутній

NVBLS0D7N06C

Trans MOSFET N-CH 60V 54A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товар відсутній

NVBLS0D7N06C

Description: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF

товар відсутній

NVBLS0D7N06C

Description: ONSEMI - NVBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 470
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 314
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 314
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 560
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

NVBLS0D7N06C

Description: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF

товар відсутній

NVBLS0D7N06C

MOSFET NFET TOLL 60V 0.75MO

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	923.76 грн
10+	820.97 грн
100+	605.34 грн
500+	554.06 грн
1000+	516.1 грн
2000+	476.81 грн

NVBLS0D7N06C

Trans MOSFET N-CH 60V 54A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товар відсутній

NVBLS1D1N08H

Description: ONSEMI - NVBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 351
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 311
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

NVBLS1D1N08H

Description: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVBLS1D1N08H

MOSFET T8-80V IN TOLL

на замовлення 3266 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	534.52 грн
10+	452.6 грн
100+	327.64 грн
500+	288.35 грн
1000+	260.38 грн
2000+	247.73 грн

NVBLS1D1N08H

Single N-Channel Power MOSFET

товар відсутній

NVBLS1D1N08H

на замовлення 438 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBLS1D1N08H

Single N-Channel Power MOSFET Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBLS1D1N08H

Description: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1618 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	492.01 грн
10+	406.29 грн
100+	338.57 грн
500+	280.35 грн
1000+	252.32 грн

NVBLS1D5N10MCTXG

N-Channel Power Trench MOSFET

товар відсутній

NVBLS1D5N10MCTXG

Description: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 331W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	410.61 грн
10+	338.79 грн
100+	282.38 грн
500+	233.82 грн
1000+	210.44 грн

NVBLS1D5N10MCTXG

Description: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 331W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	218.2 грн

Мінімальне замовлення: 2000

NVBLS1D5N10MCTXG

MOSFET PTNG 100V STD TOLL

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)

1+	449.84 грн
10+	380.62 грн
25+	299.67 грн
100+	275.7 грн
250+	259.71 грн
500+	243.07 грн
1000+	218.43 грн

NVBLS1D7N08H

Trans MOSFET N-CH 80V 33A Automotive 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R

товар відсутній

NVBLS1D7N08H

Description: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 241.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 237.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	315.52 грн
10+	255 грн
100+	206.32 грн
500+	172.11 грн
1000+	147.37 грн

NVBLS1D7N08H

MOSFET T8-80V IN TOLL FOR AUTOMOTIVE

на замовлення 4923 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	370.59 грн
10+	328.54 грн
25+	253.72 грн
100+	234.41 грн
250+	218.43 грн
500+	199.11 грн
1000+	164.49 грн

NVBLS1D7N08H

Trans MOSFET N-CH 80V 33A Automotive 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R

товар відсутній

NVBLS1D7N08H

Description: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 241.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 237.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	153.55 грн

Мінімальне замовлення: 2000

NVBLS1D7N10MCTXG

MOSFET PTNG 100V STD TOLL

на замовлення 1790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	456.05 грн
10+	377.55 грн
25+	309.66 грн
100+	265.04 грн
250+	250.39 грн
500+	235.74 грн
1000+	201.78 грн

NVBLS4D0N15MC

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBLS4D0N15MC

Trans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товар відсутній

NVBLS4D0N15MC

Description: ONSEMI - NVBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 316W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm

на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	498.28 грн
500+	390.54 грн

Мінімальне замовлення: 150

NVBLS4D0N15MC

Trans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товар відсутній

NVBLS4D0N15MC

Description: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	377.27 грн

Мінімальне замовлення: 2000

NVBLS4D0N15MC

MOSFET PTNG 150V IN CEBU TOLL FOR AUTOMOTIVE

на замовлення 1141 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	770.71 грн
10+	650.95 грн
25+	550.73 грн
100+	472.15 грн
250+	464.16 грн
500+	416.21 грн
1000+	368.26 грн

NVBLS4D0N15MC

Description: ONSEMI - NVBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm

на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	787.38 грн
10+	575.97 грн
100+	498.28 грн
500+	390.54 грн

NVBLS4D0N15MC

Trans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товар відсутній

NVBLS4D0N15MC