Продукція > PJM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PJM
на замовлення 920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJM2301PSA-SPJSEMITransistor P-Channel MOSFET; -20V; 12V; 180mOhm; -2A; 0,7W; -55°C~150°C; Odpowiednik: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; SP000702486; PJM2301PSA-S SOT23 PJSEMI TPJM2301PSA-S PJS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 200
PJM600PJM03+ DIP8
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJM600CD
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJMA1000F-12Cosel USA, Inc.Description: AC/DC CONVERTER 12V 1008W
Packaging: Bulk
Power (Watts): 1008W
Features: Adjustable Output, PFC, Universal Input
Size / Dimension: 9.45" L x 5.91" W x 2.40" H (240.0mm x 150.1mm x 61.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO
Efficiency: 85%
Voltage - Output 1: 12V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 84 A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26275.96 грн
PJMA1000F-12CoselModular Power Supplies AC-DC Medical Power Supply, Enclosed type,1000W 12V 84A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+28536.45 грн
5+ 27252.68 грн
10+ 22933.49 грн
25+ 22167.66 грн
50+ 21403.17 грн
100+ 20638.67 грн
250+ 20133.23 грн
PJMA1000F-24CoselModular Power Supplies AC-DC Medical Power Supply, Enclosed type,1000W 24V 42A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+28536.45 грн
5+ 27252.68 грн
10+ 22933.49 грн
25+ 22167.66 грн
50+ 21403.17 грн
100+ 20638.67 грн
250+ 20133.23 грн
PJMA1000F-24Cosel USA, Inc.Description: AC/DC CONVERTER 24V 1008W
Packaging: Bulk
Power (Watts): 1008W
Features: Adjustable Output, PFC, Universal Input
Size / Dimension: 9.45" L x 5.91" W x 2.40" H (240.0mm x 150.1mm x 61.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO
Efficiency: 88%
Voltage - Output 1: 24V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 42 A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26275.96 грн
PJMA1000F-36Cosel USA, Inc.Description: AC/DC CONVERTER 36V 1008W
Power (Watts): 1008W
Features: Adjustable Output, PFC, Universal Input
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 9.45" L x 5.91" W x 2.40" H (240.0mm x 150.1mm x 61.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO
Efficiency: 88%
Voltage - Output 1: 36V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 28 A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26275.96 грн
5+ 24511.84 грн
PJMA1000F-36CoselModular Power Supplies AC-DC Medical Power Supply, Enclosed type,1000W 36V 28A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+28536.45 грн
5+ 27252.68 грн
10+ 22933.49 грн
25+ 22167.66 грн
50+ 21403.17 грн
100+ 20638.67 грн
250+ 20133.23 грн
PJMA1000F-48CoselModular Power Supplies AC-DC Medical Power Supply, Enclosed type,1000W 48V 21A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+28536.45 грн
5+ 27252.68 грн
10+ 22933.49 грн
25+ 22167.66 грн
50+ 21403.17 грн
100+ 20638.67 грн
250+ 20133.23 грн
PJMA1000F-48Cosel USA, Inc.Description: AC/DC CONVERTER 48V 1008W
Power (Watts): 1008W
Features: Adjustable Output, PFC, Universal Input
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 9.45" L x 5.91" W x 2.40" H (240.0mm x 150.1mm x 61.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO
Efficiency: 88%
Voltage - Output 1: 48V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 21 A
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26275.96 грн
5+ 24511.84 грн
10+ 23721.18 грн
PJMA1500F-12CoselSwitching Power Supplies 1500W 12V 125A Medical, Enclosed
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+40286.66 грн
5+ 38429.9 грн
10+ 32301.2 грн
25+ 31187.09 грн
50+ 30072.98 грн
100+ 29337.79 грн
250+ 29337.12 грн
PJMA1500F-24CoselSwitching Power Supplies 1536W 24V 64A Medical, Enclosed
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+40286.66 грн
5+ 38429.9 грн
10+ 32301.2 грн
25+ 31187.09 грн
50+ 30072.98 грн
100+ 29337.79 грн
250+ 29337.12 грн
PJMA1500F-36CoselSwitching Power Supplies 1512W 36V 42A Medical, Enclosed
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+40286.66 грн
5+ 38429.9 грн
10+ 32301.2 грн
25+ 31187.09 грн
50+ 30072.98 грн
100+ 29337.12 грн
PJMA1500F-48Cosel Europe GmbHPJMA1500F-48
товар відсутній
PJMA1500F-48CoselSwitching Power Supplies 1536W 48V 32A Medical, Enclosed
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+40286.66 грн
5+ 38429.9 грн
10+ 32301.2 грн
25+ 31187.09 грн
50+ 30072.98 грн
100+ 29338.45 грн
250+ 29337.12 грн
PJMA300F-24CoselSwitching Power Supplies 300W 24V 12.5A Medical
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10653.19 грн
5+ 10177.06 грн
10+ 8568.59 грн
20+ 8287.57 грн
50+ 8006.54 грн
100+ 7725.52 грн
200+ 7585.01 грн
PJMA300F-48CoselSwitching Power Supplies 302.4W 48V 6.3A Medical
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10540.54 грн
5+ 10220.71 грн
10+ 8322.2 грн
20+ 8199 грн
50+ 7922.63 грн
100+ 7643.61 грн
200+ 7504.43 грн
PJMA600F-12Cosel USA, Inc.Description: AC/DC CONVERTER 12V 600W
Power (Watts): 600W
Features: Adjustable Output, PFC, Universal Input
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 8.46" L x 4.72" W x 2.40" H (214.9mm x 119.9mm x 61.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO
Efficiency: 84%
Voltage - Output 1: 12V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 50 A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13710.67 грн
PJMA600F-12CoselModular Power Supplies AC-DC Medical Power Supply, Enclosed type, 600W, 12V 50A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
PJMA600F-24Cosel USA, Inc.Description: AC/DC CONVERTER 24V 600W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14289.12 грн
PJMA600F-24CoselModular Power Supplies AC-DC Medical Power Supply, Enclosed type, 600W 24V 25A
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
PJMA600F-36Cosel USA, Inc.Description: AC/DC CONVERTER 36V 601W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13779.1 грн
PJMA600F-36CoselModular Power Supplies AC-DC Medical Power Supply, Enclosed type, 600W 36V 16.7A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+13323.48 грн
5+ 12721.13 грн
10+ 10705.58 грн
25+ 10347.97 грн
PJMA600F-48CoselModular Power Supplies AC-DC Medical Power Supply, Enclosed type, 600W 48V 12.5A
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
PJMA600F-48Cosel Europe GmbHAC-DC Power Supplies Medical Type
товар відсутній
PJMB050N10NS2_R2_00601PanjitInfineon
товар відсутній
PJMB130N65EC-R2PanjitMOSFET TO-263/MOS/TO/NFET-650DCMNH
товар відсутній
PJMB130N65EC-T0PanjitMOSFET
товар відсутній
PJMB130N65EC_R2_00601PanjitMOSFET 650V 130mohm 29A Easy to driver SJ MOSFET
товар відсутній
PJMB210N65EC-R2PanjitMOSFET TO-263/MOS/TO/NFET-650DCMNH
товар відсутній
PJMB210N65EC_R2_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1412 pF @ 400 V
товар відсутній
PJMB210N65EC_R2_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMB210N65EC_R2_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMB210N65EC_R2_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1412 pF @ 400 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+145.51 грн
10+ 116.33 грн
100+ 92.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMB210N65EC_R2_00601PanjitMOSFET 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+158.49 грн
10+ 129.42 грн
100+ 89.9 грн
250+ 83.24 грн
500+ 75.25 грн
800+ 63.8 грн
2400+ 61 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMB390N65EC-R2PanjitMOSFET TO-263/MOS/TO/NFET-650DCMNH
товар відсутній
PJMB390N65EC_R2_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.52 грн
10+ 141.65 грн
100+ 113.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMB390N65EC_R2_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
On-state resistance: 390mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 87.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
товар відсутній
PJMB390N65EC_R2_00601PanjitMOSFET 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+158.49 грн
10+ 129.42 грн
100+ 89.9 грн
250+ 83.24 грн
500+ 75.25 грн
800+ 63.8 грн
2400+ 61 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMB390N65EC_R2_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
On-state resistance: 390mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 87.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMB390N65EC_R2_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
товар відсутній
PJMB390N65EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
On-state resistance: 390mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 87.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
товар відсутній
PJMB390N65EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
On-state resistance: 390mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 87.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMBZ12A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorPJMBZ12A-AU-R1 Transil diodes - arrays
товар відсутній
PJMBZ12A-AU_R1_007A1PanjitESD Suppressors / TVS Diodes ESD,8.5V,Uni,2CH
товар відсутній
PJMBZ15A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorPJMBZ15A-AU-R1 Transil diodes - arrays
товар відсутній
PJMBZ15V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJMBZ15V-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Automotive
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 25W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.49 грн
17+ 16.44 грн
100+ 8.01 грн
500+ 6.27 грн
1000+ 4.36 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJMBZ15V-AU_R1_000A1PanjitESD Suppressors / TVS Diodes 12V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.03 грн
18+ 17.77 грн
100+ 7.53 грн
1000+ 4.4 грн
3000+ 3.8 грн
9000+ 2.93 грн
24000+ 2.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJMBZ15V-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Automotive
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 25W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJMBZ15V-AU_R2_000A1PanjitESD Suppressors / TVS Diodes /UL/TR/13"/HF/12K/SOT-23/TVS/ESD/SOT/TEA-02GL/TEA02GL-QI01/PJ///
товар відсутній
PJMBZ15VD
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJMBZ15VT/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJMBZ15V_R1_00001Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 25W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.33 грн
19+ 15.33 грн
100+ 7.73 грн
500+ 5.91 грн
1000+ 4.39 грн
Мінімальне замовлення: 13
PJMBZ15V_R1_00001PanjitESD Suppressors / TVS Diodes 12V ESD Protection UNI
товар відсутній
PJMBZ15V_R1_00001Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 25W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.09 грн
6000+ 3.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJMBZ15V_R1_10001PanjitESD Suppressors / TVS Diodes UL/TR/7"/RoHS/3K/SOT-23/TVS/ESD/SOT/TEA-02GL/TEA02GL-QI01/PJ///
товар відсутній
PJMBZ15V_R2_00001PanjitESD Suppressors / TVS Diodes /UL/TR/13"/HF/12K/SOT-23/TVS/ESD/SOT/TEA-02GL/TEA02GL-QI01/PJ///
товар відсутній
PJMBZ15V_R2_10001PanjitESD Suppressors / TVS Diodes 12V ESD Protection UNI
товар відсутній
PJMBZ18A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorPJMBZ18A-AU-R1 Transil diodes - arrays
товар відсутній
PJMBZ18A-AU_R1_007A1PanjitESD Suppressors / TVS Diodes ESD,14.5V,Uni,2CH
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.43 грн
16+ 19.61 грн
100+ 8.59 грн
1000+ 5.86 грн
3000+ 5.26 грн
9000+ 4.59 грн
24000+ 4.53 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJMBZ27A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorPJMBZ27A-AU-R1 Transil diodes - arrays
товар відсутній
PJMBZ27A-AU_R1_007A1PanjitESD Suppressors / TVS Diodes ESD,22V,Uni,2CH
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
12+27.43 грн
16+ 19.61 грн
100+ 8.59 грн
1000+ 5.86 грн
3000+ 5.26 грн
9000+ 4.59 грн
24000+ 4.53 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJMBZ27V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJMBZ27V-AU_R1_000A1PanjitZener Diodes 22V ESD Protection UNI
товар відсутній
PJMBZ27V-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; SOT23; reel,tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
товар відсутній
PJMBZ27V-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; SOT23; reel,tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
PJMBZ27V-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.65 грн
15+ 19.15 грн
100+ 10.84 грн
500+ 6.73 грн
1000+ 5.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
PJMBZ27V-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJMBZ27V-AU_R2_000A1PanjitZener Diodes /US/TR/13"/HF/12K/SOT-23/TVS/ESD/SOT/TEA-02GL/TEA02GL-QI01/PJ///
товар відсутній
PJMBZ27V-AU_R2_000A1PanJit SemiconductorPJMBZ27V-AU-R2 Transil diodes - arrays
товар відсутній
PJMBZ27VC
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJMBZ27V_R1_00001Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
товар відсутній
PJMBZ27V_R1_00001PanjitZener Diodes 22V ESD Protection UNI
товар відсутній
PJMBZ27V_R1_00001Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
товар відсутній
PJMBZ27V_R1_10001PanjitZener Diodes US/TR/7"/RoHS/3K/SOT-23/TVS/ESD/SOT/TEA-02GL/TEA02GL-QI01/PJ///
товар відсутній
PJMBZ27V_R2_00001PanjitZener Diodes /US/TR/13"/HF/12K/SOT-23/TVS/ESD/SOT/TEA-02GL/TEA02GL-QI01/PJ///
товар відсутній
PJMBZ27V_R2_10001PanjitESD Suppressors / TVS Diodes 22V ESD Protection UNI
товар відсутній
PJMBZ33A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorCategory: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 31.35÷34.65V; 40W; double,common anode; SOT23
Application: automotive industry
Breakdown voltage: 31.35...34.65V
Leakage current: 50nA
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: ESD protection
Peak pulse power dissipation: 40W
Max. off-state voltage: 26V
Semiconductor structure: common anode; double
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMBZ33A-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: ESD,26V, SOT-23,UNI,2CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 870mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 31.35V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.71 грн
6000+ 5.38 грн
9000+ 4.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJMBZ33A-AU_R1_007A1PanjitESD Suppressors / TVS Diodes ESD,26V,Uni,2CH
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.43 грн
16+ 19.61 грн
100+ 8.59 грн
1000+ 5.86 грн
3000+ 5.26 грн
9000+ 4.59 грн
24000+ 4.53 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJMBZ33A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorCategory: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 31.35÷34.65V; 40W; double,common anode; SOT23
Application: automotive industry
Breakdown voltage: 31.35...34.65V
Leakage current: 50nA
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: ESD protection
Peak pulse power dissipation: 40W
Max. off-state voltage: 26V
Semiconductor structure: common anode; double
товар відсутній
PJMBZ33A-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: ESD,26V, SOT-23,UNI,2CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 870mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 31.35V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.93 грн
16+ 17.69 грн
100+ 8.91 грн
500+ 7.41 грн
1000+ 5.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJMBZ5V6
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJMBZ5V6A-AU_R1_007A1PanjitESD Suppressors / TVS Diodes ESD,3V,Uni,2CH
на замовлення 8997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.43 грн
16+ 19.61 грн
100+ 8.59 грн
1000+ 5.86 грн
3000+ 5.26 грн
9000+ 4.59 грн
24000+ 4.53 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJMBZ5V6A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorPJMBZ5V6A-AU-R1 Transil diodes - arrays
товар відсутній
PJMBZ6V2
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJMBZ6V2A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorPJMBZ6V2A-AU-R1 Transil diodes - arrays
товар відсутній
PJMBZ6V8
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJMBZ6V8A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorPJMBZ6V8A-AU-R1 Transil diodes - arrays
товар відсутній
PJMBZ6V8A-AU_R1_007A1PanjitESD Suppressors / TVS Diodes ESD,4.5V,Uni,2CH
товар відсутній
PJMBZ9V1A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorCategory: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 8.65÷9.56V; 24W; double,common anode; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 8.65...9.56V
Peak pulse power dissipation: 24W
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 6V
Features of semiconductor devices: ESD protection
Leakage current: 0.3µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMBZ9V1A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorCategory: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 8.65÷9.56V; 24W; double,common anode; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 8.65...9.56V
Peak pulse power dissipation: 24W
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 6V
Features of semiconductor devices: ESD protection
Leakage current: 0.3µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товар відсутній
PJMBZ9V1A-AU_R1_007A1PanjitESD Suppressors / TVS Diodes ESD,6V,Uni,2CH
товар відсутній
PJMD280N60E1_L2_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMD280N60E1_L2_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMD360N60EC-L2PanjitMOSFET TO-252AA/MOS/TO/NFET-600SMNH
товар відсутній
PJMD360N60EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.18 грн
10+ 153.72 грн
100+ 124.35 грн
500+ 103.73 грн
1000+ 88.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMD360N60EC_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMD360N60EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+92.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJMD360N60EC_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMD360N60EC_L2_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.66 грн
10+ 170.78 грн
25+ 140.51 грн
100+ 120.53 грн
250+ 113.87 грн
500+ 107.22 грн
1000+ 91.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMD390N65EC_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
On-state resistance: 390mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 87.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMD390N65EC_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
On-state resistance: 390mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 87.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
товар відсутній
PJMD390N65EC_L2_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.66 грн
10+ 170.78 грн
25+ 140.51 грн
100+ 120.53 грн
250+ 113.87 грн
500+ 107.22 грн
1000+ 91.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMD390N65EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+510.74 грн
10+ 444.23 грн
100+ 367.78 грн
500+ 300.54 грн
1000+ 261.76 грн
PJMD390N65EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+279.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJMD580N60E1-L2PanjitMOSFET TO-252AA/MOS/TO/NFET-600SMNH
товар відсутній
PJMD580N60E1_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 54W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 54W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMD580N60E1_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 54W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 54W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMD600N65E1_L2_00001PanJit SemiconductorPJMD600N65E1-L2 SMD N channel transistors
товар відсутній
PJMD900N60EC-L2PanjitMOSFET TO-252AA/MOS/TO/NFET-600SMNH
товар відсутній
PJMD900N60EC_L2_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.52 грн
10+ 107.22 грн
100+ 74.58 грн
250+ 68.59 грн
500+ 62.53 грн
1000+ 53.14 грн
2500+ 50.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMD900N60EC_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 9.7A; 47.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 9.7A
Power dissipation: 47.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMD900N60EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 400 V
на замовлення 5835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.55 грн
10+ 105.79 грн
100+ 84.23 грн
500+ 66.88 грн
1000+ 56.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMD900N60EC_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 9.7A; 47.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 9.7A
Power dissipation: 47.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMD900N60EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJMD990N65EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+276.87 грн
Мінімальне замовлення: 6000
PJMD990N65EC_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 9.5A
Mounting: SMD
Case: TO252AA
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 990mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMD990N65EC_L2_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.52 грн
10+ 107.22 грн
100+ 74.58 грн
250+ 68.59 грн
500+ 62.53 грн
1000+ 53.14 грн
2500+ 50.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMD990N65EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.69 грн
10+ 439.52 грн
100+ 363.84 грн
500+ 297.34 грн
1000+ 258.97 грн
2000+ 250.21 грн
PJMD990N65EC_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 9.5A
Mounting: SMD
Case: TO252AA
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 990mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
PJMF099N60EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: ITO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF099N60EC_T0_00601PanjitMOSFET 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
1+566.38 грн
10+ 478.64 грн
50+ 376.92 грн
100+ 346.95 грн
250+ 326.31 грн
500+ 305.66 грн
1000+ 275.03 грн
PJMF099N60EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 99M / 39A/ EASY TO DRIVER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 400 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+521.54 грн
50+ 401.13 грн
100+ 358.9 грн
500+ 297.19 грн
1000+ 267.47 грн
PJMF099N60EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: ITO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF120N60EC-T0PanjitMOSFET ITO-220AB-F/MOS/NFET-600FCTMNH
товар відсутній
PJMF120N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 33W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF120N60EC_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+480.14 грн
10+ 405.12 грн
25+ 319.65 грн
100+ 294.34 грн
250+ 277.03 грн
500+ 259.71 грн
1000+ 245.73 грн
PJMF120N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 33W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF120N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.58 грн
10+ 364.46 грн
100+ 303.72 грн
500+ 251.49 грн
1000+ 226.34 грн
2000+ 212.09 грн
PJMF130N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
на замовлення 2023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.58 грн
10+ 364.46 грн
100+ 303.72 грн
500+ 251.49 грн
1000+ 226.34 грн
2000+ 212.09 грн
PJMF130N65EC_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+480.14 грн
10+ 405.12 грн
25+ 319.65 грн
100+ 294.34 грн
250+ 277.03 грн
500+ 259.71 грн
1000+ 245.73 грн
PJMF130N65EC_T0_006A1PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: ITO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF130N65EC_T0_006A1PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: ITO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF190N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.46 грн
10+ 152.89 грн
100+ 123.72 грн
500+ 103.2 грн
1000+ 88.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF190N60E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF190N60E1_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.22 грн
10+ 172.31 грн
25+ 141.84 грн
100+ 121.2 грн
250+ 114.54 грн
500+ 107.88 грн
1000+ 98.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF190N60E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF190N60E1_T0_00201PanjitMOSFET 600V 190mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.22 грн
10+ 172.31 грн
25+ 141.84 грн
100+ 121.2 грн
250+ 114.54 грн
500+ 107.88 грн
1000+ 98.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF210N65EC-T0PanjitMOSFET ITO-220AB-F/MOS/NFET-650FCTMNH
товар відсутній
PJMF210N65EC_T0_00601PanjitMOSFET 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+158.49 грн
10+ 129.42 грн
100+ 89.24 грн
250+ 82.58 грн
500+ 75.25 грн
1000+ 63.8 грн
2500+ 61 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF210N65EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 32W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF210N65EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1412 pF @ 400 V
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+145.51 грн
50+ 112.54 грн
100+ 92.6 грн
500+ 73.53 грн
1000+ 62.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF210N65EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 32W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF280N60E1-T0PanjitMOSFET ITO-220AB-F/MOS/NFET-600FCTMNH
товар відсутній
PJMF280N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 926 pF @ 400 V
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+152.72 грн
50+ 118.37 грн
100+ 97.39 грн
500+ 77.34 грн
1000+ 65.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF280N60E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 34W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF280N60E1_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+166.26 грн
10+ 137.08 грн
100+ 94.56 грн
250+ 87.24 грн
500+ 79.25 грн
1000+ 71.92 грн
2000+ 62.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF280N60E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 34W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF280N60E1_T0_00201PanjitMOSFET 600V 280mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+166.26 грн
10+ 137.08 грн
100+ 94.56 грн
250+ 87.24 грн
500+ 79.25 грн
1000+ 71.92 грн
2000+ 62.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF280N65E1-T0PanjitMOSFET ITO-220AB-F/MOS/NFET-650FCTMNH
товар відсутній
PJMF280N65E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; Idm: 41.4A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 35.7W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF280N65E1_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
товар відсутній
PJMF280N65E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; Idm: 41.4A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 35.7W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF280N65E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 400 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.96 грн
50+ 127.78 грн
100+ 105.14 грн
500+ 83.49 грн
1000+ 70.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF280N65E1_T0_00201PanjitMOSFET 650V 280mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.02 грн
10+ 148.57 грн
100+ 102.55 грн
250+ 95.23 грн
500+ 85.91 грн
1000+ 77.91 грн
2000+ 67.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF360N60E1-T0PanjitMOSFET ITO-220AB-F/MOS/NFET-600FCTMNH
товар відсутній
PJMF360N60E1_T0_00001PanjitMOSFET 600V/ 360mohm Super Junction Easy version Gen.1
товар відсутній
PJMF360N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V/ 360MOHM SUPER JUNCTION EAS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 717 pF @ 400 V
товар відсутній
PJMF360N60E1_T0_00201PanjitMOSFET 600V/ 360mohm Super Junction Easy versio
товар відсутній
PJMF360N60EC-T0PanjitMOSFET ITO-220AB-F/MOS/NFET-600FCTMNH
товар відсутній
PJMF360N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.26 грн
10+ 360.58 грн
100+ 300.48 грн
500+ 248.81 грн
1000+ 223.93 грн
2000+ 209.83 грн
PJMF360N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF360N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF360N60EC_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.31 грн
10+ 186.86 грн
25+ 153.83 грн
100+ 131.19 грн
250+ 124.53 грн
500+ 117.2 грн
1000+ 106.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF380N65E1-T0PanjitMOSFET
товар відсутній
PJMF380N65E1_T0_00001PanjitMOSFET 650V/ 380mohm Super Junction Easy version Gen.1
товар відсутній
PJMF380N65E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V/ 380MOHM SUPER JUNCTION EAS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 769 pF @ 400 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.59 грн
10+ 109.81 грн
100+ 87.4 грн
500+ 69.41 грн
1000+ 58.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMF380N65E1_T0_00201PanjitMOSFET 650V/ 380mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.72 грн
10+ 124.06 грн
100+ 85.24 грн
250+ 79.25 грн
500+ 71.92 грн
1000+ 65.06 грн
2000+ 56.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMF390N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.46 грн
10+ 167.52 грн
100+ 135.56 грн
500+ 113.08 грн
1000+ 96.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF390N65EC_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.31 грн
10+ 186.86 грн
25+ 153.83 грн
100+ 131.19 грн
250+ 124.53 грн
500+ 117.2 грн
1000+ 106.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF390N65EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 29.5W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
On-state resistance: 390mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 29.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
товар відсутній
PJMF390N65EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 29.5W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
On-state resistance: 390mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 29.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF580N60E1-T0PanjitMOSFET ITO-220AB-F/MOS/NFET-600FCTMNH
товар відсутній
PJMF580N60E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 28W
Power dissipation: 28W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 24A
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.58Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF580N60E1_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
товар відсутній
PJMF580N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 400 V
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.5 грн
50+ 85.05 грн
100+ 67.38 грн
500+ 53.6 грн
1000+ 43.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMF580N60E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 28W
Power dissipation: 28W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 24A
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.58Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товар відсутній
PJMF580N60E1_T0_00201PanjitMOSFET 600V 580mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.87 грн
10+ 96.49 грн
100+ 65.66 грн
500+ 55.27 грн
1000+ 47.21 грн
2000+ 40.02 грн
10000+ 39.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMF600N65E1-T0PanjitMOSFET ITO-220AB-F/MOS/NFET-650FCTMNH
товар відсутній
PJMF600N65E1_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.53 грн
10+ 101.09 грн
100+ 69.92 грн
250+ 64.4 грн
500+ 58.47 грн
1000+ 52.94 грн
2000+ 46.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMF600N65E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 554 pF @ 400 V
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.66 грн
10+ 89.49 грн
100+ 71.25 грн
500+ 56.58 грн
1000+ 48 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMF600N65E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; Idm: 21.9A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Pulsed drain current: 21.9A
Power dissipation: 32W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF600N65E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; Idm: 21.9A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Pulsed drain current: 21.9A
Power dissipation: 32W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF600N65E1_T0_00201PanjitMOSFET 650V 600mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.53 грн
10+ 101.09 грн
100+ 69.92 грн
250+ 64.4 грн
500+ 58.47 грн
1000+ 52.94 грн
2000+ 46.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMF900N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V/ 900MOHM SUPER JUNCTION EAS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.6 грн
10+ 69.51 грн
100+ 54.07 грн
500+ 43.01 грн
1000+ 35.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
PJMF900N60E1_T0_00001PanjitMOSFET 600V/ 900mohm Super Junction Easy version Gen.1
товар відсутній
PJMF900N60E1_T0_00201PanjitMOSFET 600V/ 900mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.56 грн
10+ 77.35 грн
100+ 52.34 грн
500+ 44.35 грн
1000+ 37.83 грн
2000+ 32.16 грн
10000+ 32.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
PJMF900N60EC_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.5 грн
10+ 124.83 грн
100+ 85.91 грн
250+ 79.25 грн
500+ 72.59 грн
1000+ 65.66 грн
2000+ 56.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMF900N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 400 V
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.46 грн
10+ 167.66 грн
100+ 135.68 грн
500+ 113.19 грн
1000+ 96.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF900N65E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V/ 900MOHM SUPER JUNCTION EAS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 400 V
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.37 грн
10+ 74.43 грн
100+ 57.87 грн
500+ 46.04 грн
1000+ 37.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
PJMF900N65E1_T0_00201PanjitMOSFET 650V/ 900mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.55 грн
10+ 83.48 грн
100+ 56.01 грн
500+ 47.41 грн
1000+ 40.49 грн
2000+ 34.36 грн
10000+ 34.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
PJMF990N65EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 22.5W
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 990mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 22.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 9.5A
Mounting: THT
товар відсутній
PJMF990N65EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 22.5W
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 990mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 22.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 9.5A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF990N65EC_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.5 грн
10+ 124.83 грн
100+ 85.91 грн
250+ 79.25 грн
500+ 72.59 грн
1000+ 65.66 грн
2000+ 56.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMF990N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.35 грн
10+ 114.39 грн
100+ 91.03 грн
500+ 72.29 грн
1000+ 61.33 грн
2000+ 58.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMH040N60EC_T0_00201PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMH040N60EC_T0_00201PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMH074N60FRCPanjitMOSFET 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+591.24 грн
10+ 499.32 грн
30+ 393.57 грн
120+ 360.94 грн
270+ 340.29 грн
510+ 318.98 грн
1020+ 287.02 грн
PJMH074N60FRC-T0PanjitMOSFET TO-247AD-3LD/NFET-600CTUMNH
товар відсутній
PJMH074N60FRCH_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 74M / 53A/ FAST RECOVERY Q
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+543.15 грн
30+ 417.94 грн
120+ 373.94 грн
510+ 309.64 грн
1020+ 278.68 грн
PJMH074N60FRCH_T0_00601PanjitMOSFET 600V 74mohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
товар відсутній
PJMH074N60FRC_T0_00601PanjitMOSFET 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+575.7 грн
10+ 513.1 грн
30+ 400.23 грн
120+ 368.26 грн
270+ 348.95 грн
510+ 320.98 грн
1020+ 279.03 грн
PJMH074N60FRC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; Idm: 117A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 446W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 74mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMH074N60FRC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; Idm: 117A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 446W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 74mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMH074N60FRC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 74MOHM / 53A/ FAST RECOVER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3871 pF @ 400 V
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+529.47 грн
10+ 460.74 грн
30+ 439.33 грн
120+ 358 грн
270+ 341.91 грн
510+ 311.74 грн
1020+ 267.06 грн
PJMH120N60EC-T0PanjitMOSFET TO-247AD-3LD/NFET-600CTUMNH
товар відсутній
PJMH120N60EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 235W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMH120N60EC_T0_00601PanjitMOSFET 600V 120mohm 30A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+362.05 грн
10+ 302.5 грн
30+ 252.39 грн
120+ 212.43 грн
270+ 202.44 грн
510+ 189.13 грн
1020+ 161.82 грн
PJMH120N60EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 120MOHM / 30A/ EASY TO DRI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 400 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.53 грн
10+ 288.09 грн
30+ 272.39 грн
120+ 221.53 грн
270+ 210.17 грн
510+ 188.59 грн
1020+ 156.44 грн
PJMH120N60EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 235W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMH190N60E1_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 190MOHM / 20.6A/ EASY TO D
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.49 грн
10+ 226.21 грн
25+ 213.85 грн
100+ 173.93 грн
250+ 165.01 грн
500+ 148.07 грн
1000+ 124.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMH190N60E1_T0_00601PanJit SemiconductorPJMH190N60E1-T0 THT N channel transistors
товар відсутній
PJMH190N60E1_T0_00601PanjitMOSFET 600V 190mohm 20.6A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.17 грн
10+ 209.07 грн
30+ 173.81 грн
120+ 146.51 грн
270+ 139.85 грн
510+ 129.86 грн
1020+ 111.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP099N60EC_T0_00601PanjitMOSFET 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+553.95 грн
10+ 467.92 грн
50+ 368.93 грн
100+ 338.96 грн
250+ 318.98 грн
500+ 299.01 грн
1000+ 269.7 грн
PJMP099N60EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 99M / 39A/ EASY TO DRIVER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 308W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+510.02 грн
50+ 392.36 грн
100+ 351.07 грн
500+ 290.7 грн
1000+ 261.63 грн
2000+ 245.16 грн
PJMP120N60EC-T0PanjitMOSFET TO-220AB-L/MOS/NFET-600CTMNH
товар відсутній
PJMP120N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 400 V
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.26 грн
10+ 360.58 грн
100+ 300.47 грн
500+ 248.81 грн
1000+ 223.93 грн
PJMP120N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 235W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMP120N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 235W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMP120N60EC_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+474.7 грн
10+ 401.29 грн
25+ 316.32 грн
100+ 291.01 грн
250+ 273.7 грн
500+ 256.39 грн
1000+ 243.07 грн
PJMP130N65EC-T0PanjitMOSFET TO-220AB-L/MOS/NFET-650FCTMNH
товар відсутній
PJMP130N65EC_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+474.7 грн
10+ 401.29 грн
25+ 316.32 грн
100+ 291.01 грн
250+ 273.7 грн
500+ 256.39 грн
1000+ 243.07 грн
PJMP130N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.26 грн
10+ 360.58 грн
100+ 300.47 грн
500+ 248.81 грн
1000+ 223.93 грн
2000+ 209.83 грн
PJMP210N65EC-T0PanjitMOSFET TO-220AB-L/MOS/NFET-650CTMNH
товар відсутній
PJMP210N65EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 150W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMP210N65EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 150W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMP210N65EC_T0_00601PanjitMOSFET 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+158.49 грн
10+ 129.42 грн
100+ 89.24 грн
250+ 82.58 грн
500+ 75.25 грн
1000+ 63.8 грн
2500+ 61 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP210N65EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1412 pF @ 400 V
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+145.51 грн
50+ 112.54 грн
100+ 92.6 грн
500+ 73.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP360N60EC-T0PanjitMOSFET TO-220AB-L/MOS/NFET-600CTMNH
товар відсутній
PJMP360N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.18 грн
50+ 145.08 грн
100+ 124.34 грн
500+ 103.73 грн
1000+ 88.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP360N60EC_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.87 грн
10+ 182.27 грн
25+ 149.17 грн
100+ 128.53 грн
250+ 120.53 грн
500+ 113.87 грн
1000+ 103.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP360N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220ABL
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220ABL
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 18.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 23A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товар відсутній
PJMP360N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220ABL
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220ABL
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 18.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 23A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMP390N65EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO220ABL
Case: TO220ABL
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
On-state resistance: 390mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 87.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
товар відсутній
PJMP390N65EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO220ABL
Case: TO220ABL
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
On-state resistance: 390mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 87.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMP390N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.12 грн
10+ 202.21 грн
100+ 165.69 грн
500+ 132.36 грн
1000+ 111.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP390N65EC_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.87 грн
10+ 182.27 грн
25+ 149.17 грн
100+ 128.53 грн
250+ 120.53 грн
500+ 113.87 грн
1000+ 103.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP900N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 400 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.99 грн
10+ 177.03 грн
100+ 143.22 грн
500+ 119.47 грн
1000+ 102.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP900N60EC_T0_00001PanjitMOSFET 600V/ 360mohm Super Junction Easy version Gen.1.5
товар відсутній
PJMP900N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 9.7A; 47.5W; TO220ABL
Mounting: THT
Pulsed drain current: 9.7A
Power dissipation: 47.5W
Gate charge: 8.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220ABL
On-state resistance: 0.9Ω
товар відсутній
PJMP900N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 9.7A; 47.5W; TO220ABL
Mounting: THT
Pulsed drain current: 9.7A
Power dissipation: 47.5W
Gate charge: 8.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220ABL
On-state resistance: 0.9Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMP990N65EC_T0_00001PanjitMOSFET 650V/ 990mohm Super Junction Easy version Gen.1.5
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.62 грн
10+ 114.87 грн
100+ 79.91 грн
250+ 73.92 грн
500+ 67.26 грн
1000+ 60.53 грн
2000+ 52.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMP990N65EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 9.5A
Mounting: THT
Case: TO220ABL
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 990mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
товар відсутній
PJMP990N65EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 9.5A
Mounting: THT
Case: TO220ABL
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 990mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMP990N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.27 грн
10+ 106.62 грн
100+ 84.87 грн
500+ 67.39 грн
1000+ 57.18 грн
2000+ 54.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMQC040N10NS2_R2_00601Panjit International Inc.Description: 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM
товар відсутній
PJMQC040N10NS2_R2_00601Panjit International Inc.Description: 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM
товар відсутній
PJMQC040N10NS2_R2_00601PanjitESD Suppressors / TVS Diodes 100V 4.4mohm Excellect low FOM MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
2+191.12 грн
10+ 170.78 грн
100+ 119.2 грн
500+ 97.89 грн
Мінімальне замовлення: 2