Продукція > AGILENT > Всі товари виробника AGILENT (1413) > Сторінка 24 з 24

Виробник: Agilent
Оптрон HCPL-2201, Виробник: Agilent   HCPL-2201.pdf Оптрони

Виробник: Agilent
Высокоскоростная двухканальная оптопара, ТТЛ совместимая   HCPL-2630.pdf Оптрони

Виробник: Agilent
DIP8 двухканальная оптопара Оптрони

Виробник: Agilent
DIP8 Hermetically sealed, transistor output optocoupler for analog and digital applications Оптрони

Виробник: Agilent
ИМС DIP8 Изолирующий усилитель Оптрони

Виробник: Agilent
ИМС DIP8 High CMR isolation amplifier for motor control circuit designers Оптрони

Виробник: Agilent
ИМС DIP8 Изолирующий усилитель Оптрони

Виробник: Agilent
Светодиод красный AlGaAs 654nm; Iv=530mcd, 15°, выводы аксиальные, d2mm   Світлодіоди звичайні

Виробник: Agilent
Транзисторная сборка биполярная SO8 Silicon Bipolar MMIC 5 GHz Active Double Balanced Mixer/IF Amp Us=(4...8)V; Is=(0,01…0,016)A; Pd=0,3W   Транзисторні збірки біполярні

Виробник: Agilent
Транзисторная сборка биполярная SO8 Silicon Bipolar MMIC 5 GHz Active Double Balanced Mixer/IF Amp Us=(7...13)V; Is=(0,04…0,065)A; Pd=1,2W Транзисторні збірки біполярні

Виробник: Agilent
Транз. сб. пол. P86 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,045A; f=4GHz; 11dBm   INA-10386.pdf Транзисторні збірки біполярні

Виробник: Agilent
Транзисторная сборка биполярная ВЧ 0,1...6 GHz, P1dB=12,5 dBm, Nf=3,0 dB, Gp=23,0 dB @ 1,0 GHz MSA-0836-BLK.pdf Транзисторні збірки біполярні

Виробник: Agilent
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT363 Uceo=5,5V; Ic=0,032A; f=10GHz; Pdmax=0,15W; hfe=150 AT-32063-TR1.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ

Виробник: Agilent
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT143 Ft=7 GHz; Ga=13 dB, P1dB=17 dBm, Nf=1,8 dB at 2 GHz at41411.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ

Виробник: Agilent
Транз. Біпол. ВЧ Ft=8 GHz; Ga=14 dB, P1dB=19 dBm, Nf=1,7 dB at 2 GHz, корпус 35 micro -X AT-41435.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ

Виробник: Agilent
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT323 Uceo=12V; Ic=0,05A; Pdmax=0,225W AT-41532-TR1.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ

Виробник: Agilent
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT323 Uceo=12V; Ic=0,05A; Pdmax=0,225W AT-41532-TR1.pdf Транзистори біполярні

Виробник: Agilent
НВЧ малошум. підсилювач 6-20 ГГц, Gss=22dB, Nf=2,5dB, P1dB=10dBm AMMP-6220-BLK.pdf Транзистори польові

Виробник: Agilent
НВЧ малошум. підсилювач 6-20 ГГц, Gss=22dB, Nf=2,5dB, P1dB=10dBm AMMP-6220-BLK.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ

Виробник: Agilent
Транз. Пол. НВЧ GaAs FET; 0,5-12GHz; 36 micro -X package; @(4.0 GHz, 4V, 70 mA): P-1dB=20 dBm, G1db=12 dB, Nf=0.5 dB; Idss=130 mA ATF-10136.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ

Виробник: Agilent
Транз. Пол. НВЧ GaAs FET; 0,5-12GHz; 36 micro -X package; @(4.0 GHz, 4V, 70 mA): P-1dB=20 dBm, G1db=12 dB, Nf=0.5 dB; Idss=130 mA ATF-10136.pdf Транзистори польові

Виробник: Agilent
Транз. Пол. НВЧ GaAs FET; 0,5-12GHz; 36 micro -X package; @(4.0 GHz, 4V, 70 mA): P-1dB=20 dBm, G1db=12 dB, Nf=0.8 dB; Idss=130 mA ATF-10236.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ

Виробник: Agilent
Транз. Пол. НВЧ GaAs FET 2-16 GHz P1dB=18 dBm at 12 GHz, Gss=9 dB ATF-26884.pdf Транзистори польові

Виробник: Agilent
Транз. Пол. НВЧ GaAs FET 2-16 GHz P1dB=18 dBm at 12 GHz, Gss=9 dB ATF-26884.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ

Виробник: Agilent
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; 0.45-10GHz; SOT343; @(2.0 GHz, 4V, 15 mA): P-1dB=11.0 dBm, G-1dB=11.0 dB, IP3=21.0 dBm, Nf=0.4 dB; Idss=40..80 mA; PAE= ATF-35143-TR1.pdf Транзистори польові

Виробник: Agilent
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; 0.45-10GHz; SOT343; @(2.0 GHz, 4V, 15 mA): P-1dB=11.0 dBm, G-1dB=11.0 dB, IP3=21.0 dBm, Nf=0.4 dB; Idss=40..80 mA; PAE= ATF-35143-TR1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ

Виробник: Agilent
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; 2-18GHz; 77; @(12.0 GHz, 1.5V, 10 mA): P-1dB=5.0 dBm, G-1dB=12.0 dB, IP3=, Nf=0.5 dB; Idss=15..45 mA; PAE= ATF-36077-STR.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ

Виробник: Agilent
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; 2-18GHz; 77; @(12.0 GHz, 1.5V, 10 mA): P-1dB=5.0 dBm, G-1dB=12.0 dB, IP3=, Nf=0.5 dB; Idss=15..45 mA; PAE= ATF-36077-TR1.pdf Транзистори польові

Виробник: Agilent
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; 2-18GHz; 77; @(12.0 GHz, 1.5V, 10 mA): P-1dB=5.0 dBm, G-1dB=12.0 dB, IP3=, Nf=0.5 dB; Idss=15..45 mA; PAE= ATF-36077-TR1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ

Виробник: Agilent
Транз. Пол. НВЧ PHEMT; 0.05-6GHz; SOT89; @(2.0 GHz, 4,5V, 200 mA): P-1dB=27 dBm, IP3=42 dBm, Nf=1.5 dB; Idss=0,49 mA ATF-52189-BLK.pdf Транзистори польові

Виробник: Agilent
Транз. Пол. НВЧ PHEMT; 0.05-6GHz; SOT89; @(2.0 GHz, 4,5V, 200 mA): P-1dB=27 dBm, IP3=42 dBm, Nf=1.5 dB; Idss=0,49 mA ATF-52189-BLK.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ

Виробник: Agilent
Транз. Пол. НВЧ PHEMT; 0.45-6GHz; SOT343; @(2.0 GHz, 3V, 60 mA): P-1dB=20.4 dBm, IP3=36.2 dBm, Nf=0.5 dB; Idss=1 mkA ATF-54143-TR1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ

Виробник: Agilent
Транз. Пол. НВЧ PHEMT; 0.45-6GHz; SOT343; @(2.0 GHz, 3V, 60 mA): P-1dB=20.4 dBm, IP3=36.2 dBm, Nf=0.5 dB; Idss=1 mkA ATF-54143-TR1.pdf Транзистори польові