Продукція > ALLIANCE MEMORY > Всі товари виробника ALLIANCE MEMORY (2330) > Сторінка 11 з 39
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AS4C32M16MD1B-5BIN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16MD1B-5BIN - DRAM, 512MBIT, 200MHZ, FPBGA-60 tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile DDR1 euEccn: NLR rohsCompliant: TBA IC-Montage: Surface Mount hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FPBGA Speicherdichte: 512Mbit Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16bit directShipCharge: 25 |
на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS4C32M16MS-6BIN | Alliance Memory |
DRAM 512M 1.8V 166MHz 32Mx16 LP MSDR |
на замовлення 904 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AS4C32M16MS-6BINTR | Alliance Memory |
DRAM 512M 1.8V 166MHz 32Mx16 LP MSDR |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AS4C32M16MS-7BCN | Alliance Memory |
DRAM 512M 1.8V 133MHz 32Mx16 LP MSDR |
на замовлення 2534 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS4C32M16MSA-6BIN | Alliance Memory |
DRAM 512M 166MHz 32Mx16 Mobile LP SDRAM IT |
на замовлення 695 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AS4C32M16MSA-6BINTR | Alliance Memory |
DRAM 512M 166MHz 32Mx16 Mobile LP SDRAM IT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS4C32M16MSB-6BIN | Alliance Memory |
DRAM LPSDRAM, 512M, 32M X 16, 1.8V, 54 BALL, BGA, 8 X 8MM, 166MHZ INDUSTRIAL TEMP, B Die |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS4C32M16MSB-6BINTR | Alliance Memory |
DRAM LPSDRAM, 512M, 32M X 16, 1.8V, 54 BALL, BGA, 8 X 8MM, 166MHZ INDUSTRIAL TEMP, T&R, B Die |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AS4C32M16SA-7BCN | Alliance Memory |
DRAM SDRAM,512M,3.3V 143MHz, 32M x 16 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AS4C32M16SA-7BCNTR | Alliance Memory |
DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 COM TEMP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AS4C32M16SA-7BIN | Alliance Memory |
DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 IND TEMP |
на замовлення 347 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AS4C32M16SA-7BINTR | Alliance Memory |
DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 IND TEMP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AS4C32M16SA-7TCN | Alliance Memory |
DRAM 512M, 3.3V, 32M x 16 SDRAM |
на замовлення 692 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AS4C32M16SA-7TCNTR | Alliance Memory |
DRAM 512M, 3.3V, 32M x 16 SDRAM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AS4C32M16SA-7TIN | Alliance Memory |
DRAM 512M, 3.3V, 32M x 16 SDRAM |
на замовлення 1074 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AS4C32M16SA-7TINTR | Alliance Memory |
DRAM 512M, 3.3V, 32M x 16 SDRAM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS4C32M16SB-6TIN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16SB-6TIN - DRAM, SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 166 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 512Mbit Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit |
на замовлення 201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS4C32M16SB-6TIN | Alliance Memory |
DRAM DDP 166MHz, Industrial 512Mb SDRAM |
на замовлення 484 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AS4C32M16SB-6TIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 166MHz; 5ns; -40÷85°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 8Mx16bitx4 Operating voltage: 3.3V Clock frequency: 166MHz Access time: 5ns Case: TSOP54 II Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS4C32M16SB-6TINTR | Alliance Memory |
DRAM 512M 3.3V 133MHz 32M x 16 SDRAM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS4C32M16SB-6TINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 166MHz; 5ns; -40÷85°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 8Mx16bitx4 Operating voltage: 3.3V Clock frequency: 166MHz Access time: 5ns Case: TSOP54 II Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: reel |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS4C32M16SB-7BIN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16SB-7BIN - DRAM, SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 143 MHz, FBGA, 54 Pin(s)tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 143MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS4C32M16SB-7BIN | Alliance Memory |
DRAM SDR, 512Mb, 32M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 143MHz, Industrial Temp, B Die |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS4C32M16SB-7BIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 8Mx16bitx4 Operating voltage: 3.3V Clock frequency: 143MHz Access time: 5.4ns Case: TSOP54 II Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 348 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS4C32M16SB-7BINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; reel Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 8Mx16bitx4 Operating voltage: 3.3V Clock frequency: 143MHz Access time: 5.4ns Case: TSOP54 II Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS4C32M16SB-7BINTR | Alliance Memory |
DRAM SDR, 512Mb, 32M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 143MHz, Industrial Temp, B Die,T&R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AS4C32M16SB7BINTR | Alliance Memory | SDR, 512Mb, 32M x 16, 33V, 54ball FBGA, 143MHz, Industrial Temp, B Die,T&R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AS4C32M16SB-7TCN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16SB-7TCN - DRAM, SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 143 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 143MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS4C32M16SB-7TCN | Alliance Memory |
DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 SDRAM |
на замовлення 550 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AS4C32M16SB-7TCN | ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 8Mx16bitx4 Operating voltage: 3.3V Clock frequency: 143MHz Access time: 5.4ns Case: TSOP54 II Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray |
на замовлення 478 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AS4C32M16SB-7TCN | Alliance Memory |
Динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,3, Об'єм RAM = 512 Мбайт, Орг. пам. = 32M x 16, Тдост/Частота = 143, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-54 Очікується: 11 Од. вим: шткількість в упаковці: 108 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
AS4C32M16SB-7TCNTR | Alliance Memory |
DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 SDRAM |
на замовлення 2910 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AS4C32M16SB-7TCNTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 8Mx16bitx4 Operating voltage: 3.3V Clock frequency: 143MHz Access time: 5.4ns Case: TSOP54 II Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Kind of interface: parallel Kind of package: reel |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS4C32M16SB-7TIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 8Mx16bitx4 Operating voltage: 3.3V Clock frequency: 143MHz Access time: 5.4ns Case: TSOP54 II Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS4C32M16SB-7TIN | Alliance Memory |
DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 SDRAM |
на замовлення 506 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AS4C32M16SB-7TIN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16SB-7TIN - DRAM, SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 143 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 143MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS4C32M16SB-7TINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; reel Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 8Mx16bitx4 Operating voltage: 3.3V Clock frequency: 143MHz Access time: 5.4ns Case: TSOP54 II Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: reel |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS4C32M16SB-7TINTR | Alliance Memory |
DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 SDRAM |
на замовлення 1788 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AS4C32M16SC-7TIN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16SC-7TIN - DRAM, SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 133 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 512Mbit Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS4C32M16SC-7TIN | Alliance Memory |
DRAM 512Mb 32Mx16 3.3V 143MHz SDRAM I-Temp |
на замовлення 364 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AS4C32M16SC-7TINTR | Alliance Memory |
DRAM 512Mb 32Mx16 3.3V 143MHz SDRAM I-Temp |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AS4C32M16SM-7TCN | Alliance Memory |
DRAM 512Mb, 3.3v, 133Mhz 32M x 16 SDR |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AS4C32M16SM-7TIN | Alliance Memory |
DRAM 512Mb, 3.3v, 133Mhz 32M x 16 SDR |
на замовлення 13 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS4C32M32MD1-5BCN | Alliance Memory |
DRAM 1G, 1.8V, 200Mhz 32M x 32 Mobile DDR |
на замовлення 51 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AS4C32M32MD1-5BCNTR | Alliance Memory |
DRAM 1G, 1.8V, 200Mhz 32M x 32 Mobile DDR |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AS4C32M32MD1-5BIN | Alliance Memory |
DRAM 1G, 1.8V, 200Mhz 32M x 32 Mobile DDR |
на замовлення 317 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AS4C32M32MD1-5BINTR | Alliance Memory |
DRAM 1G, 1.8V, 200Mhz 32M x 32 Mobile DDR |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AS4C32M32MD1A-5BIN | Alliance Memory |
DRAM 1G 1.8V 32M x 32 Mobile DDR I-Temp |
на замовлення 290 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AS4C32M32MD1A-5BINTR | Alliance Memory |
DRAM 1G 1.8V 32M x 32 Mobile DDR I-Temp |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AS4C32M32MD2-25BCN | Alliance Memory |
DRAM 1G 1.2V/1.8V 400MHz 32Mx32 Mobile DDR2 |
на замовлення 242 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AS4C32M32MD2-25BCNTR | Alliance Memory |
DRAM 1G 1.2V/1.8V 400MHz 32Mx32 Mobile DDR2 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AS4C32M32MD2A-25BIN | Alliance Memory |
DRAM LPDDR2, 1G, 32M X 32, 1.2V, 134ball BGA, (A-DIE), INDUSTRIAL TEMP - Tray |
на замовлення 78 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AS4C32M32MD2A-25BINTR | Alliance Memory |
DRAM LPDDR2, 1G, 32M X 32, 1.2V, 134ball BGA, (A-DIE), INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS4C32M8D1-5TCN | Alliance Memory |
DRAM |
на замовлення 108 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AS4C32M8D1-5TCNTR | Alliance Memory |
DRAM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AS4C32M8D1-5TIN | Alliance Memory |
DRAM |
на замовлення 108 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AS4C32M8D1-5TINTR | Alliance Memory |
DRAM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AS4C32M8SA-6TIN | Alliance Memory |
DRAM SDRAM, 256M, 32M X8, 3.3V, 54 PIN TSOP II, 166MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray |
на замовлення 71 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AS4C32M8SA-6TIN | Alliance Memory |
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3.6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °С = -40...+85, tдост = 5,5 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-54 Од. вим:кількість в упаковці: 108 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 108 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AS4C32M8SA-6TINTR | Alliance Memory |
DRAM SDRAM, 256M, 32M X8, 3.3V, 54 PIN TSOP II, 166MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| AS4C32M16MD1B-5BIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16MD1B-5BIN - DRAM, 512MBIT, 200MHZ, FPBGA-60
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile DDR1
euEccn: NLR
rohsCompliant: TBA
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FPBGA
Speicherdichte: 512Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16bit
directShipCharge: 25
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16MD1B-5BIN - DRAM, 512MBIT, 200MHZ, FPBGA-60
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile DDR1
euEccn: NLR
rohsCompliant: TBA
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FPBGA
Speicherdichte: 512Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16bit
directShipCharge: 25
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AS4C32M16MS-6BIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M 1.8V 166MHz 32Mx16 LP MSDR
DRAM 512M 1.8V 166MHz 32Mx16 LP MSDR
на замовлення 904 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| AS4C32M16MS-6BINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M 1.8V 166MHz 32Mx16 LP MSDR
DRAM 512M 1.8V 166MHz 32Mx16 LP MSDR
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M16MS-7BCN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M 1.8V 133MHz 32Mx16 LP MSDR
DRAM 512M 1.8V 133MHz 32Mx16 LP MSDR
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| AS4C32M16MSA-6BIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M 166MHz 32Mx16 Mobile LP SDRAM IT
DRAM 512M 166MHz 32Mx16 Mobile LP SDRAM IT
на замовлення 695 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1534.31 грн |
| 10+ | 1402.51 грн |
| 25+ | 1181.20 грн |
| 50+ | 1153.37 грн |
| 500+ | 1152.61 грн |
| AS4C32M16MSA-6BINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M 166MHz 32Mx16 Mobile LP SDRAM IT
DRAM 512M 166MHz 32Mx16 Mobile LP SDRAM IT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M16MSB-6BIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM LPSDRAM, 512M, 32M X 16, 1.8V, 54 BALL, BGA, 8 X 8MM, 166MHZ INDUSTRIAL TEMP, B Die
DRAM LPSDRAM, 512M, 32M X 16, 1.8V, 54 BALL, BGA, 8 X 8MM, 166MHZ INDUSTRIAL TEMP, B Die
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M16MSB-6BINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM LPSDRAM, 512M, 32M X 16, 1.8V, 54 BALL, BGA, 8 X 8MM, 166MHZ INDUSTRIAL TEMP, T&R, B Die
DRAM LPSDRAM, 512M, 32M X 16, 1.8V, 54 BALL, BGA, 8 X 8MM, 166MHZ INDUSTRIAL TEMP, T&R, B Die
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M16SA-7BCN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDRAM,512M,3.3V 143MHz, 32M x 16
DRAM SDRAM,512M,3.3V 143MHz, 32M x 16
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M16SA-7BCNTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 COM TEMP
DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 COM TEMP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M16SA-7BIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 IND TEMP
DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 IND TEMP
на замовлення 347 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| AS4C32M16SA-7BINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 IND TEMP
DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 IND TEMP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M16SA-7TCN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M, 3.3V, 32M x 16 SDRAM
DRAM 512M, 3.3V, 32M x 16 SDRAM
на замовлення 692 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| AS4C32M16SA-7TCNTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M, 3.3V, 32M x 16 SDRAM
DRAM 512M, 3.3V, 32M x 16 SDRAM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M16SA-7TIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M, 3.3V, 32M x 16 SDRAM
DRAM 512M, 3.3V, 32M x 16 SDRAM
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| AS4C32M16SA-7TINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M, 3.3V, 32M x 16 SDRAM
DRAM 512M, 3.3V, 32M x 16 SDRAM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M16SB-6TIN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16SB-6TIN - DRAM, SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 166 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 512Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16SB-6TIN - DRAM, SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 166 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 512Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AS4C32M16SB-6TIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM DDP 166MHz, Industrial 512Mb SDRAM
DRAM DDP 166MHz, Industrial 512Mb SDRAM
на замовлення 484 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3626.87 грн |
| 10+ | 3307.71 грн |
| 25+ | 2784.48 грн |
| 50+ | 2715.27 грн |
| 108+ | 2258.58 грн |
| 216+ | 2257.83 грн |
| AS4C32M16SB-6TIN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 166MHz; 5ns; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Operating voltage: 3.3V
Clock frequency: 166MHz
Access time: 5ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 166MHz; 5ns; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Operating voltage: 3.3V
Clock frequency: 166MHz
Access time: 5ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M16SB-6TINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M 3.3V 133MHz 32M x 16 SDRAM
DRAM 512M 3.3V 133MHz 32M x 16 SDRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M16SB-6TINTR |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 166MHz; 5ns; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Operating voltage: 3.3V
Clock frequency: 166MHz
Access time: 5ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 166MHz; 5ns; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Operating voltage: 3.3V
Clock frequency: 166MHz
Access time: 5ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M16SB-7BIN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16SB-7BIN - DRAM, SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 143 MHz, FBGA, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 143MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16SB-7BIN - DRAM, SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 143 MHz, FBGA, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 143MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AS4C32M16SB-7BIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDR, 512Mb, 32M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 143MHz, Industrial Temp, B Die
DRAM SDR, 512Mb, 32M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 143MHz, Industrial Temp, B Die
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M16SB-7BIN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Operating voltage: 3.3V
Clock frequency: 143MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Operating voltage: 3.3V
Clock frequency: 143MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M16SB-7BINTR |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Operating voltage: 3.3V
Clock frequency: 143MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Operating voltage: 3.3V
Clock frequency: 143MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M16SB-7BINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDR, 512Mb, 32M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 143MHz, Industrial Temp, B Die,T&R
DRAM SDR, 512Mb, 32M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 143MHz, Industrial Temp, B Die,T&R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M16SB7BINTR |
Виробник: Alliance Memory
SDR, 512Mb, 32M x 16, 33V, 54ball FBGA, 143MHz, Industrial Temp, B Die,T&R
SDR, 512Mb, 32M x 16, 33V, 54ball FBGA, 143MHz, Industrial Temp, B Die,T&R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M16SB-7TCN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16SB-7TCN - DRAM, SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 143 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 143MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16SB-7TCN - DRAM, SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 143 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 143MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AS4C32M16SB-7TCN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 SDRAM
DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 SDRAM
на замовлення 550 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1974.07 грн |
| 10+ | 1803.10 грн |
| 25+ | 1518.26 грн |
| 50+ | 1481.40 грн |
| 108+ | 1440.02 грн |
| 216+ | 1430.24 грн |
| AS4C32M16SB-7TCN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Operating voltage: 3.3V
Clock frequency: 143MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Operating voltage: 3.3V
Clock frequency: 143MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1569.90 грн |
| 2+ | 1377.95 грн |
| 108+ | 1355.03 грн |
| 216+ | 1324.47 грн |
| AS4C32M16SB-7TCN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
Динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,3, Об'єм RAM = 512 Мбайт, Орг. пам. = 32M x 16, Тдост/Частота = 143, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-54 Очікується: 11 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 108 шт
Динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,3, Об'єм RAM = 512 Мбайт, Орг. пам. = 32M x 16, Тдост/Частота = 143, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-54 Очікується: 11 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 108 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 108+ | 974.76 грн |
| AS4C32M16SB-7TCNTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 SDRAM
DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 SDRAM
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1902.97 грн |
| 10+ | 1738.21 грн |
| 25+ | 1463.34 грн |
| 50+ | 1427.98 грн |
| 100+ | 1392.62 грн |
| 250+ | 1345.97 грн |
| 1000+ | 1278.26 грн |
| AS4C32M16SB-7TCNTR |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Operating voltage: 3.3V
Clock frequency: 143MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Operating voltage: 3.3V
Clock frequency: 143MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M16SB-7TIN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Operating voltage: 3.3V
Clock frequency: 143MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Operating voltage: 3.3V
Clock frequency: 143MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M16SB-7TIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 SDRAM
DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 SDRAM
на замовлення 506 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3124.80 грн |
| 10+ | 2850.01 грн |
| 25+ | 2398.52 грн |
| 50+ | 2339.09 грн |
| 108+ | 2273.63 грн |
| 216+ | 2272.88 грн |
| AS4C32M16SB-7TIN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16SB-7TIN - DRAM, SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 143 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 143MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16SB-7TIN - DRAM, SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 143 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 143MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AS4C32M16SB-7TINTR |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Operating voltage: 3.3V
Clock frequency: 143MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Operating voltage: 3.3V
Clock frequency: 143MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M16SB-7TINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 SDRAM
DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 SDRAM
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2583.23 грн |
| 10+ | 2356.84 грн |
| 25+ | 1983.97 грн |
| 50+ | 1935.07 грн |
| 1000+ | 1731.18 грн |
| AS4C32M16SC-7TIN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16SC-7TIN - DRAM, SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 133 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 512Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16SC-7TIN - DRAM, SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 133 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 512Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AS4C32M16SC-7TIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512Mb 32Mx16 3.3V 143MHz SDRAM I-Temp
DRAM 512Mb 32Mx16 3.3V 143MHz SDRAM I-Temp
на замовлення 364 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2562.16 грн |
| 10+ | 2337.81 грн |
| 25+ | 1968.17 грн |
| 50+ | 1920.02 грн |
| 108+ | 1865.85 грн |
| 216+ | 1790.62 грн |
| AS4C32M16SC-7TINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512Mb 32Mx16 3.3V 143MHz SDRAM I-Temp
DRAM 512Mb 32Mx16 3.3V 143MHz SDRAM I-Temp
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M16SM-7TCN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512Mb, 3.3v, 133Mhz 32M x 16 SDR
DRAM 512Mb, 3.3v, 133Mhz 32M x 16 SDR
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M16SM-7TIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512Mb, 3.3v, 133Mhz 32M x 16 SDR
DRAM 512Mb, 3.3v, 133Mhz 32M x 16 SDR
на замовлення 13 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| AS4C32M32MD1-5BCN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 1G, 1.8V, 200Mhz 32M x 32 Mobile DDR
DRAM 1G, 1.8V, 200Mhz 32M x 32 Mobile DDR
на замовлення 51 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| AS4C32M32MD1-5BCNTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 1G, 1.8V, 200Mhz 32M x 32 Mobile DDR
DRAM 1G, 1.8V, 200Mhz 32M x 32 Mobile DDR
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M32MD1-5BIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 1G, 1.8V, 200Mhz 32M x 32 Mobile DDR
DRAM 1G, 1.8V, 200Mhz 32M x 32 Mobile DDR
на замовлення 317 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| AS4C32M32MD1-5BINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 1G, 1.8V, 200Mhz 32M x 32 Mobile DDR
DRAM 1G, 1.8V, 200Mhz 32M x 32 Mobile DDR
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M32MD1A-5BIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 1G 1.8V 32M x 32 Mobile DDR I-Temp
DRAM 1G 1.8V 32M x 32 Mobile DDR I-Temp
на замовлення 290 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 769.79 грн |
| 10+ | 699.09 грн |
| 25+ | 595.12 грн |
| 50+ | 593.61 грн |
| AS4C32M32MD1A-5BINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 1G 1.8V 32M x 32 Mobile DDR I-Temp
DRAM 1G 1.8V 32M x 32 Mobile DDR I-Temp
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M32MD2-25BCN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 1G 1.2V/1.8V 400MHz 32Mx32 Mobile DDR2
DRAM 1G 1.2V/1.8V 400MHz 32Mx32 Mobile DDR2
на замовлення 242 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| AS4C32M32MD2-25BCNTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 1G 1.2V/1.8V 400MHz 32Mx32 Mobile DDR2
DRAM 1G 1.2V/1.8V 400MHz 32Mx32 Mobile DDR2
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M32MD2A-25BIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM LPDDR2, 1G, 32M X 32, 1.2V, 134ball BGA, (A-DIE), INDUSTRIAL TEMP - Tray
DRAM LPDDR2, 1G, 32M X 32, 1.2V, 134ball BGA, (A-DIE), INDUSTRIAL TEMP - Tray
на замовлення 78 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 603.89 грн |
| 10+ | 553.74 грн |
| 25+ | 457.43 грн |
| 50+ | 446.15 грн |
| 100+ | 428.84 грн |
| 256+ | 417.56 грн |
| 512+ | 409.28 грн |
| AS4C32M32MD2A-25BINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM LPDDR2, 1G, 32M X 32, 1.2V, 134ball BGA, (A-DIE), INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel
DRAM LPDDR2, 1G, 32M X 32, 1.2V, 134ball BGA, (A-DIE), INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M8D1-5TCN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM
DRAM
на замовлення 108 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| AS4C32M8D1-5TCNTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM
DRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M8D1-5TIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM
DRAM
на замовлення 108 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| AS4C32M8D1-5TINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM
DRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M8SA-6TIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDRAM, 256M, 32M X8, 3.3V, 54 PIN TSOP II, 166MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray
DRAM SDRAM, 256M, 32M X8, 3.3V, 54 PIN TSOP II, 166MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray
на замовлення 71 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 259.81 грн |
| 108+ | 224.96 грн |
| AS4C32M8SA-6TIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3.6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °С = -40...+85, tдост = 5,5 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-54 Од. вим:
кількість в упаковці: 108 шт
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3.6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °С = -40...+85, tдост = 5,5 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-54 Од. вим:
кількість в упаковці: 108 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C32M8SA-6TINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDRAM, 256M, 32M X8, 3.3V, 54 PIN TSOP II, 166MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel
DRAM SDRAM, 256M, 32M X8, 3.3V, 54 PIN TSOP II, 166MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.

















