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| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
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FMV30N60S1 | FUJI ELECTRIC |
Description: FUJI ELECTRIC - FMV30N60S1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.106 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VLA517-01R | FUJI ELECTRIC |
Description: FUJI ELECTRIC - VLA517-01R - Galvanisch isolierter Gate-Treiber für IGBTs oder MOSFETs, 4A, SIP-15 IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 60 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): - Verlustleistung Pd: - Bauform - Transistor: SIP Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: - Anzahl der Pins: 15 Produktpalette: - IGBT-Konfiguration: Einfach Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 4 Betriebstemperatur, max.: 60 SVHC: To Be Advised |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| FMV30N60S1 |
Виробник: FUJI ELECTRIC
Description: FUJI ELECTRIC - FMV30N60S1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.106 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
Description: FUJI ELECTRIC - FMV30N60S1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.106 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 719.53 грн |
| 5+ | 605.26 грн |
| 10+ | 502.83 грн |
| 50+ | 414.25 грн |
| VLA517-01R |
Виробник: FUJI ELECTRIC
Description: FUJI ELECTRIC - VLA517-01R - Galvanisch isolierter Gate-Treiber für IGBTs oder MOSFETs, 4A, SIP-15
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 60
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: SIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Anzahl der Pins: 15
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Einfach
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 60
SVHC: To Be Advised
Description: FUJI ELECTRIC - VLA517-01R - Galvanisch isolierter Gate-Treiber für IGBTs oder MOSFETs, 4A, SIP-15
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 60
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: SIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Anzahl der Pins: 15
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Einfach
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 60
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику
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