| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
Мікросхема HX250030-B Hisiwell | Hisiwell | GaN MMIC Power Amplifier 8-12 GHz, Pout=45,5 dBm, Gss=29 dB, PAE=30 %, Vs=28 V, Metal-Ceramic-Package ЦАП та АЦП (аналого-цифрові, цифро-аналогові перетворювачі) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
Мікросхема підсилювач HXNM43001 Hisiwell | Hisiwell | ІМС НВЧ GaN Power Amplifier 2-6 GHz, Gss=25 dB, Pout=44,5 dBm, PAE: 40% (typ.), Vd=32 V Мікросхеми РЧ/ВЧ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
Транзистор польовий HX910P300W Hisiwell | Hisiwell | 9.0-10.0 GHz GaN Internally-matched Power Transistor, Gp=9 dB, Psat=55 dBm, PAE=40 %, Vds=+48 V, Vgs=-5 V Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| Мікросхема HX250030-B Hisiwell |
Виробник: Hisiwell
GaN MMIC Power Amplifier 8-12 GHz, Pout=45,5 dBm, Gss=29 dB, PAE=30 %, Vs=28 V, Metal-Ceramic-Package ЦАП та АЦП (аналого-цифрові, цифро-аналогові перетворювачі)
GaN MMIC Power Amplifier 8-12 GHz, Pout=45,5 dBm, Gss=29 dB, PAE=30 %, Vs=28 V, Metal-Ceramic-Package ЦАП та АЦП (аналого-цифрові, цифро-аналогові перетворювачі)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| Мікросхема підсилювач HXNM43001 Hisiwell |
Виробник: Hisiwell
ІМС НВЧ GaN Power Amplifier 2-6 GHz, Gss=25 dB, Pout=44,5 dBm, PAE: 40% (typ.), Vd=32 V Мікросхеми РЧ/ВЧ
ІМС НВЧ GaN Power Amplifier 2-6 GHz, Gss=25 dB, Pout=44,5 dBm, PAE: 40% (typ.), Vd=32 V Мікросхеми РЧ/ВЧ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| Транзистор польовий HX910P300W Hisiwell |
Виробник: Hisiwell
9.0-10.0 GHz GaN Internally-matched Power Transistor, Gp=9 dB, Psat=55 dBm, PAE=40 %, Vds=+48 V, Vgs=-5 V Транзистори польові ВЧ/НВЧ
9.0-10.0 GHz GaN Internally-matched Power Transistor, Gp=9 dB, Psat=55 dBm, PAE=40 %, Vds=+48 V, Vgs=-5 V Транзистори польові ВЧ/НВЧ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.