| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AOD4130-HXY | HXY |
 Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7W; -55°C~150°C; AOD4130; AOD4130-HXY; AOD4130-MS; AOD4130-VB; AOD4130 TAOD4130 cкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
BZV55-C3V6 Код товару: 1575
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
HXY |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони Корпус: SOD-80 Напруга стабілізації Vz, В: 3,6 В Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт Монтаж: SMD Температурний коефіцієнт: -2,4 мВ/K УКТЗЕД: 8541 10 00 90 |
товару немає в наявності
|
|
||||||||
 |
IRGP4063DPBF HXY MOSFET Код товару: 219859
Додати до обраних
Обраний товар
|
HXY |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Напруга колектор-емітер Vces, В: 650 В Напруга насичення Vce, В: 1,65 В Струм колектора Ic при 25°С, А: 100 А Струм колектора Ic при 100°С, А: 50 А Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 300 Вт |
у наявності: 30 шт
|
|
| AOD4130-HXY |
|
Виробник: HXY
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7W; -55°C~150°C; AOD4130; AOD4130-HXY; AOD4130-MS; AOD4130-VB; AOD4130 TAOD4130 c
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7W; -55°C~150°C; AOD4130; AOD4130-HXY; AOD4130-MS; AOD4130-VB; AOD4130 TAOD4130 c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 15.68 грн |
| BZV55-C3V6 Код товару: 1575
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: HXY
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації Vz, В: 3,6 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -2,4 мВ/K
УКТЗЕД: 8541 10 00 90
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації Vz, В: 3,6 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -2,4 мВ/K
УКТЗЕД: 8541 10 00 90
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.60 грн |
| IRGP4063DPBF HXY MOSFET Код товару: 219859
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: HXY
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 650 В
Напруга насичення Vce, В: 1,65 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 100 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 50 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 300 Вт
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 650 В
Напруга насичення Vce, В: 1,65 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 100 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 50 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 300 Вт
у наявності: 30 шт
- 30 шт - склад
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 225.00 грн |
| 10+ | 202.00 грн |