Продукція > HYNIX SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника HYNIX SEMICONDUCTOR (7) > Сторінка 1 з 1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
H27U518S2CTR-BC | HYNIX SEMICONDUCTOR |
Description: HYNIX SEMICONDUCTOR - H27U518S2CTR-BC - Flash-Speicher, SLC-NAND, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, TSOP, 48 Pin(s)Bauform - Speicherbaustein: TSOP Flash-Speicher: SLC-NAND Zugriffszeit: - IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0 Versorgungsspannung, min.: 2.7 Taktfrequenz: - Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit Anzahl der Pins: 48 Speichergröße: 512 Produktpalette: 3V SLC NAND Flash Memories Versorgungsspannung, max.: 3.6 Betriebstemperatur, max.: 70 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
H57V2562GTR-75C | HYNIX SEMICONDUCTOR |
Description: HYNIX SEMICONDUCTOR - H57V2562GTR-75C - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 bit, 133 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s) DRAM-Ausführung: SDRAM Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II DRAM-Dichte: 256 Zugriffszeit: 6 Versorgungsspannung, nom.: 3.3 IC-Schnittstelle: LVTTL Betriebstemperatur, min.: 0 Taktfrequenz: 133 Anzahl der Pins: 54 Produktpalette: H57V Betriebstemperatur, max.: 70 Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 16 bit SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| H57V2562GTR-75C | Hynix Semiconductor |
Синхронная динамическая память (SDRAM) (4M x 16 bit x 4 banks, 75ns , Vdd=3.3V )... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт кількість в упаковці: 960 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| HY27UF081G2A-TPCB | Hynix Semiconductor |
Параллельная Flash-память 1Gb (128Mx8 bit включ. bad bloks, Vcc=2.7-3.6V, 0 to +70C) Pb-free... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт кількість в упаковці: 96 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
HY27UF082G2B-TPCB | HYNIX SEMICONDUCTOR |
Description: HYNIX SEMICONDUCTOR - HY27UF082G2B-TPCB - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 GB, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 48 Pin(s)Bauform - Speicherbaustein: TSOP Flash-Speicher: SLC-NAND Zugriffszeit: 20 IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: 0 Versorgungsspannung, min.: 2.7 Taktfrequenz: - Speicherkonfiguration Flash: 256M x 8 Bit Anzahl der Pins: 48 Speichergröße: 2 Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories Versorgungsspannung, max.: 3.6 Betriebstemperatur, max.: 70 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| HY5DU561622ETP-J | Hynix Semiconductor |
Память DDR SDRAM ( 256Mb, VDDQ = 2.5V ± 0.2V, synchronous)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шткількість в упаковці: 96 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| HY628400LLG-70 | Hynix Semiconductor | Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Isb=30uA, Vdr=2.0V, 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| H27U518S2CTR-BC |
![]() |
Виробник: HYNIX SEMICONDUCTOR
Description: HYNIX SEMICONDUCTOR - H27U518S2CTR-BC - Flash-Speicher, SLC-NAND, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, TSOP, 48 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
Flash-Speicher: SLC-NAND
Zugriffszeit: -
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Taktfrequenz: -
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Anzahl der Pins: 48
Speichergröße: 512
Produktpalette: 3V SLC NAND Flash Memories
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: HYNIX SEMICONDUCTOR - H27U518S2CTR-BC - Flash-Speicher, SLC-NAND, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, TSOP, 48 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
Flash-Speicher: SLC-NAND
Zugriffszeit: -
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Taktfrequenz: -
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Anzahl der Pins: 48
Speichergröße: 512
Produktpalette: 3V SLC NAND Flash Memories
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| H57V2562GTR-75C |
Виробник: HYNIX SEMICONDUCTOR
Description: HYNIX SEMICONDUCTOR - H57V2562GTR-75C - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 bit, 133 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
DRAM-Ausführung: SDRAM
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
DRAM-Dichte: 256
Zugriffszeit: 6
Versorgungsspannung, nom.: 3.3
IC-Schnittstelle: LVTTL
Betriebstemperatur, min.: 0
Taktfrequenz: 133
Anzahl der Pins: 54
Produktpalette: H57V
Betriebstemperatur, max.: 70
Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 16 bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: HYNIX SEMICONDUCTOR - H57V2562GTR-75C - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 bit, 133 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
DRAM-Ausführung: SDRAM
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
DRAM-Dichte: 256
Zugriffszeit: 6
Versorgungsspannung, nom.: 3.3
IC-Schnittstelle: LVTTL
Betriebstemperatur, min.: 0
Taktfrequenz: 133
Anzahl der Pins: 54
Produktpalette: H57V
Betriebstemperatur, max.: 70
Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 16 bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| H57V2562GTR-75C |
Виробник: Hynix Semiconductor
Синхронная динамическая память (SDRAM) (4M x 16 bit x 4 banks, 75ns , Vdd=3.3V )... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
Синхронная динамическая память (SDRAM) (4M x 16 bit x 4 banks, 75ns , Vdd=3.3V )... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| HY27UF081G2A-TPCB |
Виробник: Hynix Semiconductor
Параллельная Flash-память 1Gb (128Mx8 bit включ. bad bloks, Vcc=2.7-3.6V, 0 to +70C) Pb-free... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 96 шт
Параллельная Flash-память 1Gb (128Mx8 bit включ. bad bloks, Vcc=2.7-3.6V, 0 to +70C) Pb-free... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 96 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| HY27UF082G2B-TPCB |
![]() |
Виробник: HYNIX SEMICONDUCTOR
Description: HYNIX SEMICONDUCTOR - HY27UF082G2B-TPCB - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 GB, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 48 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
Flash-Speicher: SLC-NAND
Zugriffszeit: 20
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Taktfrequenz: -
Speicherkonfiguration Flash: 256M x 8 Bit
Anzahl der Pins: 48
Speichergröße: 2
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: HYNIX SEMICONDUCTOR - HY27UF082G2B-TPCB - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 GB, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 48 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
Flash-Speicher: SLC-NAND
Zugriffszeit: 20
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Taktfrequenz: -
Speicherkonfiguration Flash: 256M x 8 Bit
Anzahl der Pins: 48
Speichergröße: 2
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| HY5DU561622ETP-J |
![]() |
Виробник: Hynix Semiconductor
Память DDR SDRAM ( 256Mb, VDDQ = 2.5V ± 0.2V, synchronous)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
кількість в упаковці: 96 шт
Память DDR SDRAM ( 256Mb, VDDQ = 2.5V ± 0.2V, synchronous)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
кількість в упаковці: 96 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| HY628400LLG-70 |
Виробник: Hynix Semiconductor
Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Isb=30uA, Vdr=2.0V, 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Isb=30uA, Vdr=2.0V, 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.


