Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES AG > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES AG (12) > Сторінка 1 з 1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AUIRF3710ZSTRL AUIRF3710ZSTRL Infineon Technologies AG auirf3710z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CE6327HTSA1 BC847CE6327HTSA1 Infineon Technologies AG bc847_8_9_bc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
41+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CWH6327XTSA1 BC847CWH6327XTSA1 Infineon Technologies AG bc847_8_9_bc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+19.71 грн
31+13.48 грн
100+7.72 грн
250+6.06 грн
500+5.03 грн
1000+4.18 грн
2500+3.25 грн
3000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710LPBF IRF3710LPBF Infineon Technologies AG irf3710spbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies AG irf3710.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+103.92 грн
10+84.77 грн
50+68.79 грн
100+61.89 грн
250+53.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies AG irf3710spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+136.17 грн
10+90.67 грн
50+76.45 грн
100+70.46 грн
250+62.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRRPBF IRF3710STRRPBF Infineon Technologies AG irf3710spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies AG irf3710z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+131.69 грн
5+88.18 грн
10+68.88 грн
20+63.30 грн
50+56.82 грн
100+52.41 грн
200+48.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies AG irf3710zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF IRFP260MPBF Infineon Technologies AG irfp260mpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.54 грн
5+154.72 грн
10+128.94 грн
25+105.64 грн
50+94.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies AG irfp260n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+328.77 грн
10+177.18 грн
25+163.87 грн
50+155.56 грн
100+144.74 грн
125+143.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2453DSTRPBF IRS2453DSTRPBF Infineon Technologies AG irs2453d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; SO14; -260÷180mA; 1W; Ch: 4; 10÷16.6VDC; 600V
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: ballast controller; gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -260...180mA
Power: 1W
Number of channels: 4
Supply voltage: 10...16.6V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+111.08 грн
10+75.70 грн
25+74.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZSTRL auirf3710z.pdf
AUIRF3710ZSTRL
Виробник: Infineon Technologies AG
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CE6327HTSA1 bc847_8_9_bc850.pdf
BC847CE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies AG
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
41+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CWH6327XTSA1 bc847_8_9_bc850.pdf
BC847CWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies AG
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+19.71 грн
31+13.48 грн
100+7.72 грн
250+6.06 грн
500+5.03 грн
1000+4.18 грн
2500+3.25 грн
3000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710LPBF irf3710spbf.pdf
IRF3710LPBF
Виробник: Infineon Technologies AG
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF irf3710.pdf
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies AG
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+103.92 грн
10+84.77 грн
50+68.79 грн
100+61.89 грн
250+53.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf
IRF3710STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies AG
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+136.17 грн
10+90.67 грн
50+76.45 грн
100+70.46 грн
250+62.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRRPBF irf3710spbf.pdf
IRF3710STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies AG
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: Infineon Technologies AG
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+131.69 грн
5+88.18 грн
10+68.88 грн
20+63.30 грн
50+56.82 грн
100+52.41 грн
200+48.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF irf3710zpbf.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies AG
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF irfp260mpbf.pdf
IRFP260MPBF
Виробник: Infineon Technologies AG
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.54 грн
5+154.72 грн
10+128.94 грн
25+105.64 грн
50+94.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF irfp260n.pdf
IRFP260NPBF
Виробник: Infineon Technologies AG
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+328.77 грн
10+177.18 грн
25+163.87 грн
50+155.56 грн
100+144.74 грн
125+143.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2453DSTRPBF irs2453d.pdf
IRS2453DSTRPBF
Виробник: Infineon Technologies AG
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; SO14; -260÷180mA; 1W; Ch: 4; 10÷16.6VDC; 600V
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: ballast controller; gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -260...180mA
Power: 1W
Number of channels: 4
Supply voltage: 10...16.6V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+111.08 грн
10+75.70 грн
25+74.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.