| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Транзистор IRF7317PBF | IR | Транз. Пол. ММ 1N-1P-HEXFET logik SO8 Udss=+-20V; Id=6,6A; Id=-5,3A Pdmax=2,0W; Rds=0,029 Ohm |
на замовлення 68 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Транзистор IRF7324PBF | IR | Транз. Пол. ММ P-HEXFET SO8 Udss=-20V; Id=-9A; Pdmax=2W; Rds=0,018 Ohm |
на замовлення 19 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Транзистор IRF7331TRPBF | IR | Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET SO8 Udss=20V; Id=7A; Pdmax=2W; Rds=0,030 Ohm |
на замовлення 3592 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Транзистор IRF7342PBF | IR | Транз. Пол. ММ 2P-Channel SO8 -55V -3,4A 2W 105mOhm |
на замовлення 14 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Транзистор IRF7389PBF | IR | Транз. Пол. ММ 1N/1P-Channel SO8 30V 7,3/-5,3A 2,5W 29/58mOhm |
на замовлення 235 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Транзистор IRF7416PBF | IR | Транз. Пол. ММ P-HEXFET SO8 Udss=-30V; Id=-10A; Pdmax=2,5W; Rds=0,02Ohm |
на замовлення 240 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Транзистор IRF7450PBF | IR | Транз. Пол. ММ HEXFET SMPS MOSFET SO8 Udss=200V; Id=2,5A; Pdmax=2,5W; Rds=0,17 Ohm |
на замовлення 140 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Транзистор IRF7470TRPBF | IR | MOSFET MOSFT 40V 11A 13mOhm 29nC |
на замовлення 23 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Транзистор IRF7473TRPBF | IR | Транз. Пол. ММ N-Channel SO8 Udss=100V Id=6.9A P=2.5W Rds=0.026Ohm |
на замовлення 1764 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Транзистор IRF7501TR | IR | Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik MICRO8 Udss=20V; Id=2,4A; Pdmax=1,25W; Rds=0,135 Ohm |
на замовлення 4930 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Транзистор IRF7507TR | IR | Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik MICRO8 Udss=(20; -20)V; Id=(2,4; -1,7)A; Pdmax=1,25W; Rds=(0,135; 0,27) Ohm |
на замовлення 3038 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Транзистор IRF7509TRPBF | IR | Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik MICRO8 Udss=(30; -30)V; Id=(2,4; -1,7)A; Pdmax=1,25W; Rds=(0,135; 0,27) Ohm |
на замовлення 3998 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Транзистор IRF7705 | IR | Транз. Пол. ММ P-Channel TSSOP-8 Udss=-30V Id=-8A P=1.5W Rds=4mOhm |
на замовлення 30 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Транзистор IRF8313PBF | IR | Транз. Пол. ММ N-Channel SO8 Udss=30V Idm=81A Pd=2.0W |
на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Транзистор IRFL014NPBF | IR | Транз. Пол. ММ 60V 2,7A N-Channel HEXFET SOT223 No Pb |
на замовлення 25 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Транзистор IRFL9014PBF | IR | Транзистор SOT-223 -60V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET |
на замовлення 16 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Транзистор IRLL014NTRPBF | IR | Транз. Пол. ММ N-HEXFET logik SOT223 Udss=55V; Id=2A; Pdmax=2,1W; Rds=0,14 Ohm |
на замовлення 1091 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Транзистор IRLML0030TRPBF | IR | Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=30V; Id=5,2A; Rds=0,028 Ohm |
на замовлення 1706 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Транзистор IRLML2244TRPBF | IR | MOSFET Transistor, P Channel, -4.3 A, -20 V, 0.042 ohm, -4.5 V, -1.1 V |
на замовлення 158 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Транзистор IRLML6302TR | IR | Транз. Пол. ММ P-HEXFET SOT23 Udss=-20V; Id=-0,78A; Pdmax=0,54W; Rds=0,6 Ohm |
на замовлення 4135 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Транзистор IRG4BC30F | IR | Транз. IGBT Fast TO220AB Uces=600V; Ic=31A; Ic=17A(100°C); Pdmax=100W |
на замовлення 133 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Транзистор IRG4BC30K | IR | Транз. IGBT UltraFast TO220AB Uces=600V; Ic=28A; Ic=16A(100°C); Pdmax=100W |
на замовлення 32 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Транзистор IRG4BC30KD | IR | Транз. IGBT UltraFast TO-220 Uces=600V; Ic=28A; Ic=16A(100°C); Pdmax=100W; (с диодом) |
на замовлення 194 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Транзистор IRG4BC30W | IR | Транз. IGBT WARP TO220AB Uces=600V; Ic=23A; Ic=12A(100°C); Pdmax=100W |
на замовлення 45 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Транзистор IRG4PC30F | IR | Транз. IGBT Fast TO247AC Uces=600V; Ic=31A; Ic=17A(100°C); Pdmax=100W |
на замовлення 359 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Транзистор IRGP4062DPBF | IR | IGBT 600V 48A 250W TO247AC |
на замовлення 8 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Мікросхема IPS7071GTRPBF | IR | ИМС SOIC8 Драйвер верхн. уровня для управления мощн. N-MOSFET и IGBT |
на замовлення 70 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Мікросхема IR2153PBF | IR | ИМС DIP8 Полумост. драйвер для упр-ния мощ. N-MOSFET и IGBT |
на замовлення 13 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Мікросхема IR2156SPBF | IR | ИМС IC CTRLR BALLAST 600V .5A 14SOIC |
на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Мікросхема IR21834SPBF | IR | ИМС SOIC14 Драйвер нижн. уровня для управления мощн. N-MOSFET и IGBT |
на замовлення 26 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Мікросхема IR4426SPBF | IR | ИМС SO8, Драйвер управления затвором MOSFET (2 затвора) |
на замовлення 84 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Мікросхема IRS21844MPBF | IR | ИМС MLPQ4x4 Драйвер высок./нижн. уровня для управления мощн. MOSFET и IGBT |
на замовлення 4 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Мікросхема PVA3054N | IR | ИМС DIP8 BOSFET фотоэлект реле,однополярное, 40mA, 0-300V AC/DC |
на замовлення 40 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Мікросхема PVA3324N | IR | ИМС DIP8 BOSFET фотоэлект реле,однополярное, 130mA, 0-300V AC/DC |
на замовлення 67 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| Мікросхема PVU414 | IR | ИМС DIP6 400V 1 Form A Photo Voltaic Relay |
на замовлення 38 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
| Транзистор IRF7317PBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 1N-1P-HEXFET logik SO8 Udss=+-20V; Id=6,6A; Id=-5,3A Pdmax=2,0W; Rds=0,029 Ohm
Транз. Пол. ММ 1N-1P-HEXFET logik SO8 Udss=+-20V; Id=6,6A; Id=-5,3A Pdmax=2,0W; Rds=0,029 Ohm
на замовлення 68 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.15 грн |
| 10+ | 58.42 грн |
| 100+ | 53.51 грн |
| Транзистор IRF7324PBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ P-HEXFET SO8 Udss=-20V; Id=-9A; Pdmax=2W; Rds=0,018 Ohm
Транз. Пол. ММ P-HEXFET SO8 Udss=-20V; Id=-9A; Pdmax=2W; Rds=0,018 Ohm
на замовлення 19 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 74.68 грн |
| 10+ | 60.06 грн |
| 100+ | 54.60 грн |
| Транзистор IRF7331TRPBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET SO8 Udss=20V; Id=7A; Pdmax=2W; Rds=0,030 Ohm
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET SO8 Udss=20V; Id=7A; Pdmax=2W; Rds=0,030 Ohm
на замовлення 3592 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 39.40 грн |
| 10+ | 32.21 грн |
| 100+ | 29.48 грн |
| Транзистор IRF7342PBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2P-Channel SO8 -55V -3,4A 2W 105mOhm
Транз. Пол. ММ 2P-Channel SO8 -55V -3,4A 2W 105mOhm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.22 грн |
| 10+ | 39.86 грн |
| 100+ | 36.04 грн |
| Транзистор IRF7389PBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 1N/1P-Channel SO8 30V 7,3/-5,3A 2,5W 29/58mOhm
Транз. Пол. ММ 1N/1P-Channel SO8 30V 7,3/-5,3A 2,5W 29/58mOhm
на замовлення 235 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.04 грн |
| 10+ | 38.77 грн |
| 100+ | 34.94 грн |
| Транзистор IRF7416PBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ P-HEXFET SO8 Udss=-30V; Id=-10A; Pdmax=2,5W; Rds=0,02Ohm
Транз. Пол. ММ P-HEXFET SO8 Udss=-30V; Id=-10A; Pdmax=2,5W; Rds=0,02Ohm
на замовлення 240 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 43.51 грн |
| 10+ | 36.04 грн |
| 100+ | 32.76 грн |
| Транзистор IRF7450PBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ HEXFET SMPS MOSFET SO8 Udss=200V; Id=2,5A; Pdmax=2,5W; Rds=0,17 Ohm
Транз. Пол. ММ HEXFET SMPS MOSFET SO8 Udss=200V; Id=2,5A; Pdmax=2,5W; Rds=0,17 Ohm
на замовлення 140 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 102.90 грн |
| 10+ | 81.90 грн |
| 100+ | 68.25 грн |
| Транзистор IRF7470TRPBF |
Виробник: IR
MOSFET MOSFT 40V 11A 13mOhm 29nC
MOSFET MOSFT 40V 11A 13mOhm 29nC
на замовлення 23 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.16 грн |
| Транзистор IRF7473TRPBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ N-Channel SO8 Udss=100V Id=6.9A P=2.5W Rds=0.026Ohm
Транз. Пол. ММ N-Channel SO8 Udss=100V Id=6.9A P=2.5W Rds=0.026Ohm
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.62 грн |
| 10+ | 45.32 грн |
| 100+ | 39.86 грн |
| Транзистор IRF7501TR |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik MICRO8 Udss=20V; Id=2,4A; Pdmax=1,25W; Rds=0,135 Ohm
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik MICRO8 Udss=20V; Id=2,4A; Pdmax=1,25W; Rds=0,135 Ohm
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 27.64 грн |
| 12+ | 22.93 грн |
| 100+ | 20.75 грн |
| Транзистор IRF7507TR |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik MICRO8 Udss=(20; -20)V; Id=(2,4; -1,7)A; Pdmax=1,25W; Rds=(0,135; 0,27) Ohm
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik MICRO8 Udss=(20; -20)V; Id=(2,4; -1,7)A; Pdmax=1,25W; Rds=(0,135; 0,27) Ohm
на замовлення 3038 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 52.33 грн |
| 10+ | 43.13 грн |
| 100+ | 28.39 грн |
| Транзистор IRF7509TRPBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik MICRO8 Udss=(30; -30)V; Id=(2,4; -1,7)A; Pdmax=1,25W; Rds=(0,135; 0,27) Ohm
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik MICRO8 Udss=(30; -30)V; Id=(2,4; -1,7)A; Pdmax=1,25W; Rds=(0,135; 0,27) Ohm
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.11 грн |
| 14+ | 20.20 грн |
| 100+ | 18.02 грн |
| Транзистор IRF7705 |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ P-Channel TSSOP-8 Udss=-30V Id=-8A P=1.5W Rds=4mOhm
Транз. Пол. ММ P-Channel TSSOP-8 Udss=-30V Id=-8A P=1.5W Rds=4mOhm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 44.69 грн |
| 10+ | 38.22 грн |
| Транзистор IRF8313PBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ N-Channel SO8 Udss=30V Idm=81A Pd=2.0W
Транз. Пол. ММ N-Channel SO8 Udss=30V Idm=81A Pd=2.0W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 294.00 грн |
| Транзистор IRFL014NPBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 60V 2,7A N-Channel HEXFET SOT223 No Pb
Транз. Пол. ММ 60V 2,7A N-Channel HEXFET SOT223 No Pb
на замовлення 25 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.04 грн |
| 10+ | 36.04 грн |
| 100+ | 27.30 грн |
| Транзистор IRFL9014PBF |
Виробник: IR
Транзистор SOT-223 -60V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET
Транзистор SOT-223 -60V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET
на замовлення 16 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 288.12 грн |
| Транзистор IRLL014NTRPBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ N-HEXFET logik SOT223 Udss=55V; Id=2A; Pdmax=2,1W; Rds=0,14 Ohm
Транз. Пол. ММ N-HEXFET logik SOT223 Udss=55V; Id=2A; Pdmax=2,1W; Rds=0,14 Ohm
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.04 грн |
| 10+ | 38.22 грн |
| 100+ | 32.76 грн |
| Транзистор IRLML0030TRPBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=30V; Id=5,2A; Rds=0,028 Ohm
Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=30V; Id=5,2A; Rds=0,028 Ohm
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 9.41 грн |
| 36+ | 7.64 грн |
| 100+ | 7.10 грн |
| Транзистор IRLML2244TRPBF |
Виробник: IR
MOSFET Transistor, P Channel, -4.3 A, -20 V, 0.042 ohm, -4.5 V, -1.1 V
MOSFET Transistor, P Channel, -4.3 A, -20 V, 0.042 ohm, -4.5 V, -1.1 V
на замовлення 158 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.86 грн |
| Транзистор IRLML6302TR |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ P-HEXFET SOT23 Udss=-20V; Id=-0,78A; Pdmax=0,54W; Rds=0,6 Ohm
Транз. Пол. ММ P-HEXFET SOT23 Udss=-20V; Id=-0,78A; Pdmax=0,54W; Rds=0,6 Ohm
на замовлення 4135 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 8.82 грн |
| 39+ | 7.10 грн |
| 100+ | 6.01 грн |
| Транзистор IRG4BC30F |
Виробник: IR
Транз. IGBT Fast TO220AB Uces=600V; Ic=31A; Ic=17A(100°C); Pdmax=100W
Транз. IGBT Fast TO220AB Uces=600V; Ic=31A; Ic=17A(100°C); Pdmax=100W
на замовлення 133 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 184.04 грн |
| 10+ | 155.06 грн |
| 100+ | 141.41 грн |
| Транзистор IRG4BC30K |
Виробник: IR
Транз. IGBT UltraFast TO220AB Uces=600V; Ic=28A; Ic=16A(100°C); Pdmax=100W
Транз. IGBT UltraFast TO220AB Uces=600V; Ic=28A; Ic=16A(100°C); Pdmax=100W
на замовлення 32 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 171.70 грн |
| 10+ | 144.69 грн |
| 100+ | 131.59 грн |
| Транзистор IRG4BC30KD |
Виробник: IR
Транз. IGBT UltraFast TO-220 Uces=600V; Ic=28A; Ic=16A(100°C); Pdmax=100W; (с диодом)
Транз. IGBT UltraFast TO-220 Uces=600V; Ic=28A; Ic=16A(100°C); Pdmax=100W; (с диодом)
на замовлення 194 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 264.60 грн |
| 10+ | 245.70 грн |
| 100+ | 229.32 грн |
| Транзистор IRG4BC30W |
Виробник: IR
Транз. IGBT WARP TO220AB Uces=600V; Ic=23A; Ic=12A(100°C); Pdmax=100W
Транз. IGBT WARP TO220AB Uces=600V; Ic=23A; Ic=12A(100°C); Pdmax=100W
на замовлення 45 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 196.98 грн |
| 10+ | 161.62 грн |
| 100+ | 146.87 грн |
| Транзистор IRG4PC30F |
Виробник: IR
Транз. IGBT Fast TO247AC Uces=600V; Ic=31A; Ic=17A(100°C); Pdmax=100W
Транз. IGBT Fast TO247AC Uces=600V; Ic=31A; Ic=17A(100°C); Pdmax=100W
на замовлення 359 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 189.92 грн |
| 10+ | 160.52 грн |
| 100+ | 145.78 грн |
| Транзистор IRGP4062DPBF |
Виробник: IR
IGBT 600V 48A 250W TO247AC
IGBT 600V 48A 250W TO247AC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 343.98 грн |
| 10+ | 303.58 грн |
| 100+ | 288.29 грн |
| Мікросхема IPS7071GTRPBF |
Виробник: IR
ИМС SOIC8 Драйвер верхн. уровня для управления мощн. N-MOSFET и IGBT
ИМС SOIC8 Драйвер верхн. уровня для управления мощн. N-MOSFET и IGBT
на замовлення 70 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 276.36 грн |
| 10+ | 223.86 грн |
| 100+ | 202.02 грн |
| Мікросхема IR2153PBF |
Виробник: IR
ИМС DIP8 Полумост. драйвер для упр-ния мощ. N-MOSFET и IGBT
ИМС DIP8 Полумост. драйвер для упр-ния мощ. N-MOSFET и IGBT
на замовлення 13 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.14 грн |
| 10+ | 79.17 грн |
| 100+ | 73.71 грн |
| Мікросхема IR2156SPBF |
Виробник: IR
ИМС IC CTRLR BALLAST 600V .5A 14SOIC
ИМС IC CTRLR BALLAST 600V .5A 14SOIC
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 141.12 грн |
| 10+ | 117.94 грн |
| 100+ | 105.92 грн |
| Мікросхема IR21834SPBF |
Виробник: IR
ИМС SOIC14 Драйвер нижн. уровня для управления мощн. N-MOSFET и IGBT
ИМС SOIC14 Драйвер нижн. уровня для управления мощн. N-MOSFET и IGBT
на замовлення 26 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 224.62 грн |
| 10+ | 184.55 грн |
| 100+ | 168.17 грн |
| Мікросхема IR4426SPBF |
Виробник: IR
ИМС SO8, Драйвер управления затвором MOSFET (2 затвора)
ИМС SO8, Драйвер управления затвором MOSFET (2 затвора)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 199.33 грн |
| 10+ | 163.80 грн |
| 100+ | 149.06 грн |
| Мікросхема IRS21844MPBF |
Виробник: IR
ИМС MLPQ4x4 Драйвер высок./нижн. уровня для управления мощн. MOSFET и IGBT
ИМС MLPQ4x4 Драйвер высок./нижн. уровня для управления мощн. MOSFET и IGBT
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 452.76 грн |
| 10+ | 382.20 грн |
| 100+ | 364.73 грн |
| Мікросхема PVA3054N |
Виробник: IR
ИМС DIP8 BOSFET фотоэлект реле,однополярное, 40mA, 0-300V AC/DC
ИМС DIP8 BOSFET фотоэлект реле,однополярное, 40mA, 0-300V AC/DC
на замовлення 40 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 256.96 грн |
| 10+ | 216.76 грн |
| 100+ | 197.11 грн |
| Мікросхема PVA3324N |
Виробник: IR
ИМС DIP8 BOSFET фотоэлект реле,однополярное, 130mA, 0-300V AC/DC
ИМС DIP8 BOSFET фотоэлект реле,однополярное, 130mA, 0-300V AC/DC
на замовлення 67 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 362.80 грн |
| 10+ | 298.12 грн |
| 100+ | 271.36 грн |
| Мікросхема PVU414 |
Виробник: IR
ИМС DIP6 400V 1 Form A Photo Voltaic Relay
ИМС DIP6 400V 1 Form A Photo Voltaic Relay
на замовлення 38 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 321.05 грн |
| 10+ | 263.72 грн |
| 100+ | 239.69 грн |