Продукція > MICRO COMMERCIAL CO > Всі товари виробника MICRO COMMERCIAL CO (7799) > Сторінка 73 з 130

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 91 104 117 130  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MCU60P04-TP MCU60P04-TP Micro Commercial Co MCU60P04(DPAK).pdf Description: P-CHANNEL MOSFET,DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5235 pF @ 20 V
на замовлення 20461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.21 грн
10+54.58 грн
100+42.45 грн
500+33.77 грн
1000+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3139KL3A-TP SI3139KL3A-TP Micro Commercial Co SI3139KL3A(DFN1006-3).pdf Description: P-CHANNEL MOSFET,DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 16 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3139KL3A-TP SI3139KL3A-TP Micro Commercial Co SI3139KL3A(DFN1006-3).pdf Description: P-CHANNEL MOSFET,DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 16 V
на замовлення 12473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.48 грн
14+24.20 грн
100+12.82 грн
500+7.92 грн
1000+5.38 грн
2000+4.86 грн
5000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B27-TP Micro Commercial Co BZT52B2V4-BZT52B75(SOD-123).pdf Description: DIODE ZENER 27V 410MW SOD123
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF13M-TP Micro Commercial Co SM11M-SF18M_RevB_01-01-13.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF13-TP SF13-TP Micro Commercial Co SF11_-_SF18.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF13G-TP SF13G-TP Micro Commercial Co SF11G-SF18G(DO-41).pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF13G-AP SF13G-AP Micro Commercial Co SF11G-SF18G(DO-41).pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO41
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF13-AP SF13-AP Micro Commercial Co SF11_-_SF18.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER101-TP HER101-TP Micro Commercial Co HER101-108(DO-41).pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER101S-TP Micro Commercial Co HER101S-HER108S.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A A-405
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A-405
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER101S-AP Micro Commercial Co HER101S-HER108S.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A A-405
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A-405
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER101-AP HER101-AP Micro Commercial Co HER101-108(DO-41).pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MIW30N65FA-BP MIW30N65FA-BP Micro Commercial Co MIW30N65FA(TO-247AB).pdf Description: IGBT 650V 30A,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AB
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/113ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 300V, 30A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+528.12 грн
10+342.27 грн
100+248.37 грн
500+195.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCU40N10AHE3-TP MCU40N10AHE3-TP Micro Commercial Co Description: MOSFET N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCU65N10YA-TP MCU65N10YA-TP Micro Commercial Co MCU65N10YA(DPAK).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2431 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCU65N10YA-TP MCU65N10YA-TP Micro Commercial Co MCU65N10YA(DPAK).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2431 pF @ 50 V
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.70 грн
10+102.50 грн
100+81.61 грн
500+64.80 грн
1000+54.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MCU65N10Y-TP MCU65N10Y-TP Micro Commercial Co MCU65N10Y(DPAK).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCU65N10Y-TP MCU65N10Y-TP Micro Commercial Co MCU65N10Y(DPAK).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 50 V
на замовлення 2087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.67 грн
10+116.63 грн
100+79.65 грн
500+59.92 грн
1000+55.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5230BHE3-TP MMSZ5230BHE3-TP Micro Commercial Co Description: 500MW ZENER SOD-123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 19 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.96 грн
6000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5230BHE3-TP MMSZ5230BHE3-TP Micro Commercial Co Description: 500MW ZENER SOD-123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 19 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SI0205-TP SI0205-TP Micro Commercial Co SI0205(SOT-523).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-523
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI0205-TP SI0205-TP Micro Commercial Co SI0205(SOT-523).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-523
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCQ15N10B-TP Micro Commercial Co Description: MOSFET N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3530 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCMN2014HE3-TP MCMN2014HE3-TP Micro Commercial Co MCMN2014HE3(DFN2020-6LE).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET, DFN2020-6LE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020-6LE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1791 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCMN2014HE3-TP MCMN2014HE3-TP Micro Commercial Co MCMN2014HE3(DFN2020-6LE).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET, DFN2020-6LE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020-6LE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1791 pF @ 10 V
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.55 грн
11+30.55 грн
100+20.79 грн
500+14.64 грн
1000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
1N5989B-TP 1N5989B-TP Micro Commercial Co 1N5985B-1N6016B_DS.pdf Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ250CAL-TP SMCJ250CAL-TP Micro Commercial Co SMCJ220(C)AL%20THRU%20SMCJ350AL(DO-214AB).pdf Description: TVS DIODE 250VWM 405VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 250V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 279V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 405V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ250CAL-TP SMCJ250CAL-TP Micro Commercial Co SMCJ220(C)AL%20THRU%20SMCJ350AL(DO-214AB).pdf Description: TVS DIODE 250VWM 405VC DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 250V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 279V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 405V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCAC60N150Y-TP MCAC60N150Y-TP Micro Commercial Co MCAC60N150Y_Rev3-4_4-9-22.pdf Description: MOSFET N-CH 150 60A DFN5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2275 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCGD25N04-TP MCGD25N04-TP Micro Commercial Co MCGD25N04(DFN3333-D).pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 25A DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-D
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCGD25N04-TP MCGD25N04-TP Micro Commercial Co MCGD25N04(DFN3333-D).pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 25A DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-D
Part Status: Active
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.09 грн
10+51.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ESD1851P6-TP ESD1851P6-TP Micro Commercial Co ESD0751P6~ESD1851P6(DFN1610-2).pdf Description: TVS DIODE 18VWM 35VC DFN16102
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1610 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 280pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 50A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V (Max)
Supplier Device Package: DFN1610-2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35V
Power - Peak Pulse: 1800W (1.8kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.85 грн
6000+6.88 грн
9000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ESD1851P6-TP ESD1851P6-TP Micro Commercial Co ESD0751P6~ESD1851P6(DFN1610-2).pdf Description: TVS DIODE 18VWM 35VC DFN16102
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1610 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 280pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 50A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V (Max)
Supplier Device Package: DFN1610-2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35V
Power - Peak Pulse: 1800W (1.8kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 89305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.67 грн
13+25.94 грн
100+16.52 грн
500+11.67 грн
1000+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FR2504-BP FR2504-BP Micro Commercial Co Description: DIODE GEN PURP 400V 25A TO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMA3EZ15D5-TP Micro Commercial Co Description: DIODE ZENER DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB3EZ15D5-TP Micro Commercial Co Description: DIODE ZENER DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCMN2014A-TP MCMN2014A-TP Micro Commercial Co MCMN2014A(DFN2020-6J).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,DFN2020-6J
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020-6J
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1791 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MCMN2014A-TP MCMN2014A-TP Micro Commercial Co MCMN2014A(DFN2020-6J).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,DFN2020-6J
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020-6J
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1791 pF @ 10 V
на замовлення 5602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.60 грн
12+28.40 грн
100+21.20 грн
500+15.63 грн
1000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIC1060P-BP SIC1060P-BP Micro Commercial Co SIC1060P(TO-220AC).pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 44 µA @ 650 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.23 грн
10+207.15 грн
100+167.55 грн
500+153.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC0860P-BP SIC0860P-BP Micro Commercial Co SIC0860P(TO-220AC).pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 650 V
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.81 грн
10+295.93 грн
100+239.42 грн
500+199.72 грн
1000+171.01 грн
2000+161.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SICF0860P-BP SICF0860P-BP Micro Commercial Co SICF0860P(ITO-220AC).pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5244B-TP MMBZ5244B-TP Micro Commercial Co MMBZ5221B-MMBZ5259B(SOT-23).pdf Description: DIODE ZENER 14V 350MW SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK5150LHE3-TP SK5150LHE3-TP Micro Commercial Co SK5150LHE3-SK5200LHE3(DO-214AB).pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 5A SMC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK5150LHE3-TP SK5150LHE3-TP Micro Commercial Co SK5150LHE3-SK5200LHE3(DO-214AB).pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 5A SMC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB3EZ150D5-TP Micro Commercial Co Description: DIODE ZENER DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMA3EZ150D5-TP Micro Commercial Co Description: DIODE ZENER DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5239BHE3-TP MMSZ5239BHE3-TP Micro Commercial Co Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 7 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5239BHE3-TP MMSZ5239BHE3-TP Micro Commercial Co Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 7 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4617-TP 1N4617-TP Micro Commercial Co 1N4614-1N4125(DO-35)_DS.pdf Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V
Impedance (Max) (Zzt): 1400 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCP55H12-BP MCP55H12-BP Micro Commercial Co MCP5H12.pdf Description: MOSFET N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCB145N15Y-TP MCB145N15Y-TP Micro Commercial Co MCB145N15Y_Rev3-2_4-9-22.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7950 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK5150AFL-TP SK5150AFL-TP Micro Commercial Co SK52AFL_SK5200AFL(DO-221AC).pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO221AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-221AC (SMA-FL)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK5150AFL-TP SK5150AFL-TP Micro Commercial Co SK52AFL_SK5200AFL(DO-221AC).pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO221AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-221AC (SMA-FL)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMY1N-TP Micro Commercial Co Description: DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AZ23C4V3HE3-TP AZ23C4V3HE3-TP Micro Commercial Co AZ23C2V4HE3~AZ23C39HE3(SOT-23).pdf Description: 300MW ZENER SOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.95 грн
6000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AZ23C4V3HE3-TP AZ23C4V3HE3-TP Micro Commercial Co AZ23C2V4HE3~AZ23C39HE3(SOT-23).pdf Description: 300MW ZENER SOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.13 грн
14+22.93 грн
100+12.98 грн
500+8.07 грн
1000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DZ23C4V3HE3-TP DZ23C4V3HE3-TP Micro Commercial Co DZ23C2V4HE3_DZ23C47HE3(SOT-23).pdf Description: 300MW ZENER SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.57 грн
6000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DZ23C4V3HE3-TP DZ23C4V3HE3-TP Micro Commercial Co DZ23C2V4HE3_DZ23C47HE3(SOT-23).pdf Description: 300MW ZENER SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.54 грн
19+17.14 грн
100+8.64 грн
500+6.62 грн
1000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA05-BP Micro Commercial Co MPSA05_Rev3-2_12-1-2020.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCU60P04-TP MCU60P04(DPAK).pdf
MCU60P04-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: P-CHANNEL MOSFET,DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5235 pF @ 20 V
на замовлення 20461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.21 грн
10+54.58 грн
100+42.45 грн
500+33.77 грн
1000+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3139KL3A-TP SI3139KL3A(DFN1006-3).pdf
SI3139KL3A-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: P-CHANNEL MOSFET,DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 16 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3139KL3A-TP SI3139KL3A(DFN1006-3).pdf
SI3139KL3A-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: P-CHANNEL MOSFET,DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 16 V
на замовлення 12473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.48 грн
14+24.20 грн
100+12.82 грн
500+7.92 грн
1000+5.38 грн
2000+4.86 грн
5000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B27-TP BZT52B2V4-BZT52B75(SOD-123).pdf
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE ZENER 27V 410MW SOD123
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF13M-TP SM11M-SF18M_RevB_01-01-13.pdf
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF13-TP SF11_-_SF18.pdf
SF13-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF13G-TP SF11G-SF18G(DO-41).pdf
SF13G-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF13G-AP SF11G-SF18G(DO-41).pdf
SF13G-AP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO41
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF13-AP SF11_-_SF18.pdf
SF13-AP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER101-TP HER101-108(DO-41).pdf
HER101-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER101S-TP HER101S-HER108S.pdf
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A A-405
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A-405
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER101S-AP HER101S-HER108S.pdf
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A A-405
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A-405
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER101-AP HER101-108(DO-41).pdf
HER101-AP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MIW30N65FA-BP MIW30N65FA(TO-247AB).pdf
MIW30N65FA-BP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: IGBT 650V 30A,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AB
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/113ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 300V, 30A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+528.12 грн
10+342.27 грн
100+248.37 грн
500+195.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCU40N10AHE3-TP
MCU40N10AHE3-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCU65N10YA-TP MCU65N10YA(DPAK).pdf
MCU65N10YA-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2431 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCU65N10YA-TP MCU65N10YA(DPAK).pdf
MCU65N10YA-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2431 pF @ 50 V
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.70 грн
10+102.50 грн
100+81.61 грн
500+64.80 грн
1000+54.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MCU65N10Y-TP MCU65N10Y(DPAK).pdf
MCU65N10Y-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCU65N10Y-TP MCU65N10Y(DPAK).pdf
MCU65N10Y-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 50 V
на замовлення 2087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.67 грн
10+116.63 грн
100+79.65 грн
500+59.92 грн
1000+55.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5230BHE3-TP
MMSZ5230BHE3-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: 500MW ZENER SOD-123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 19 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.96 грн
6000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5230BHE3-TP
MMSZ5230BHE3-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: 500MW ZENER SOD-123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 19 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SI0205-TP SI0205(SOT-523).pdf
SI0205-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-523
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI0205-TP SI0205(SOT-523).pdf
SI0205-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-523
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCQ15N10B-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3530 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCMN2014HE3-TP MCMN2014HE3(DFN2020-6LE).pdf
MCMN2014HE3-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET, DFN2020-6LE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020-6LE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1791 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCMN2014HE3-TP MCMN2014HE3(DFN2020-6LE).pdf
MCMN2014HE3-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET, DFN2020-6LE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020-6LE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1791 pF @ 10 V
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.55 грн
11+30.55 грн
100+20.79 грн
500+14.64 грн
1000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
1N5989B-TP 1N5985B-1N6016B_DS.pdf
1N5989B-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ250CAL-TP SMCJ220(C)AL%20THRU%20SMCJ350AL(DO-214AB).pdf
SMCJ250CAL-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: TVS DIODE 250VWM 405VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 250V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 279V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 405V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ250CAL-TP SMCJ220(C)AL%20THRU%20SMCJ350AL(DO-214AB).pdf
SMCJ250CAL-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: TVS DIODE 250VWM 405VC DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 250V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 279V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 405V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCAC60N150Y-TP MCAC60N150Y_Rev3-4_4-9-22.pdf
MCAC60N150Y-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH 150 60A DFN5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2275 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCGD25N04-TP MCGD25N04(DFN3333-D).pdf
MCGD25N04-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET 2N-CH 40V 25A DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-D
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCGD25N04-TP MCGD25N04(DFN3333-D).pdf
MCGD25N04-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET 2N-CH 40V 25A DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-D
Part Status: Active
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.09 грн
10+51.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ESD1851P6-TP ESD0751P6~ESD1851P6(DFN1610-2).pdf
ESD1851P6-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: TVS DIODE 18VWM 35VC DFN16102
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1610 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 280pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 50A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V (Max)
Supplier Device Package: DFN1610-2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35V
Power - Peak Pulse: 1800W (1.8kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.85 грн
6000+6.88 грн
9000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ESD1851P6-TP ESD0751P6~ESD1851P6(DFN1610-2).pdf
ESD1851P6-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: TVS DIODE 18VWM 35VC DFN16102
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1610 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 280pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 50A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V (Max)
Supplier Device Package: DFN1610-2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35V
Power - Peak Pulse: 1800W (1.8kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 89305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.67 грн
13+25.94 грн
100+16.52 грн
500+11.67 грн
1000+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FR2504-BP
FR2504-BP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 400V 25A TO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMA3EZ15D5-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE ZENER DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB3EZ15D5-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE ZENER DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCMN2014A-TP MCMN2014A(DFN2020-6J).pdf
MCMN2014A-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,DFN2020-6J
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020-6J
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1791 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MCMN2014A-TP MCMN2014A(DFN2020-6J).pdf
MCMN2014A-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,DFN2020-6J
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020-6J
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1791 pF @ 10 V
на замовлення 5602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.60 грн
12+28.40 грн
100+21.20 грн
500+15.63 грн
1000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIC1060P-BP SIC1060P(TO-220AC).pdf
SIC1060P-BP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 44 µA @ 650 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.23 грн
10+207.15 грн
100+167.55 грн
500+153.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC0860P-BP SIC0860P(TO-220AC).pdf
SIC0860P-BP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 650 V
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+365.81 грн
10+295.93 грн
100+239.42 грн
500+199.72 грн
1000+171.01 грн
2000+161.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SICF0860P-BP SICF0860P(ITO-220AC).pdf
SICF0860P-BP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5244B-TP MMBZ5221B-MMBZ5259B(SOT-23).pdf
MMBZ5244B-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE ZENER 14V 350MW SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK5150LHE3-TP SK5150LHE3-SK5200LHE3(DO-214AB).pdf
SK5150LHE3-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 5A SMC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK5150LHE3-TP SK5150LHE3-SK5200LHE3(DO-214AB).pdf
SK5150LHE3-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 5A SMC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB3EZ150D5-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE ZENER DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMA3EZ150D5-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE ZENER DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5239BHE3-TP
MMSZ5239BHE3-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 7 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5239BHE3-TP
MMSZ5239BHE3-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 7 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4617-TP 1N4614-1N4125(DO-35)_DS.pdf
1N4617-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V
Impedance (Max) (Zzt): 1400 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCP55H12-BP MCP5H12.pdf
MCP55H12-BP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCB145N15Y-TP MCB145N15Y_Rev3-2_4-9-22.pdf
MCB145N15Y-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7950 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK5150AFL-TP SK52AFL_SK5200AFL(DO-221AC).pdf
SK5150AFL-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO221AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-221AC (SMA-FL)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK5150AFL-TP SK52AFL_SK5200AFL(DO-221AC).pdf
SK5150AFL-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO221AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-221AC (SMA-FL)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMY1N-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AZ23C4V3HE3-TP AZ23C2V4HE3~AZ23C39HE3(SOT-23).pdf
AZ23C4V3HE3-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: 300MW ZENER SOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.95 грн
6000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AZ23C4V3HE3-TP AZ23C2V4HE3~AZ23C39HE3(SOT-23).pdf
AZ23C4V3HE3-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: 300MW ZENER SOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.13 грн
14+22.93 грн
100+12.98 грн
500+8.07 грн
1000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DZ23C4V3HE3-TP DZ23C2V4HE3_DZ23C47HE3(SOT-23).pdf
DZ23C4V3HE3-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: 300MW ZENER SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.57 грн
6000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DZ23C4V3HE3-TP DZ23C2V4HE3_DZ23C47HE3(SOT-23).pdf
DZ23C4V3HE3-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: 300MW ZENER SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.54 грн
19+17.14 грн
100+8.64 грн
500+6.62 грн
1000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA05-BP MPSA05_Rev3-2_12-1-2020.pdf
Виробник: Micro Commercial Co
Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 91 104 117 130  [ Наступна Сторінка >> ]