Продукція > MICRON TECHNOLOGY INC. > Всі товари виробника MICRON TECHNOLOGY INC. (10607) > Сторінка 19 з 177
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MT48LC8M32LFB5-10 TR | Micron Technology Inc. | Description: IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA |
товар відсутній |
|
 |
MT48LC8M32LFF5-10 | Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA Packaging: Tray Package / Case: 90-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM - Mobile LPSDR Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 90-VFBGA (8x13) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 7 ns Memory Organization: 8M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|
|
|
MT48LC8M32LFF5-8 | Micron Technology Inc. |
 Description: IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGAPackaging: Box Package / Case: 90-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM - Mobile LPSDR Clock Frequency: 125 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 90-VFBGA (8x13) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 7 ns Memory Organization: 8M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|
 |
MT48LC8M8A2P-75:G | Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II |
товар відсутній |
|
|
|
MT48LC8M8A2P-75:G TR | Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II |
товар відсутній |
|
|
|
MT48LC8M8A2P-7E:G | Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V4M32LFB5-10 IT:G | Micron Technology Inc. |
Description: IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 90VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V4M32LFB5-10 IT:G TR | Micron Technology Inc. |
Description: IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 90VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V4M32LFB5-10:G | Micron Technology Inc. |
Description: IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 90VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V4M32LFB5-10:G TR | Micron Technology Inc. |
Description: IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 90VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V4M32LFB5-8 IT:G | Micron Technology Inc. |
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V4M32LFB5-8 IT:G TR | Micron Technology Inc. |
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V4M32LFB5-8 XT:G | Micron Technology Inc. |
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V4M32LFB5-8 XT:G TR | Micron Technology Inc. |
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V4M32LFB5-8:G | Micron Technology Inc. |
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V4M32LFB5-8:G TR | Micron Technology Inc. |
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V4M32LFF5-10:G | Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA Packaging: Box Package / Case: 90-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 128Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V Technology: SDRAM - Mobile LPSDR Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 90-VFBGA (8x13) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 7 ns Memory Organization: 4M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V4M32LFF5-8:G | Micron Technology Inc. |
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V4M32LFF5-8:G TR | Micron Technology Inc. |
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA |
товар відсутній |
|
 |
MT48V8M16LFB4-10 IT:G | Micron Technology Inc. |
Description: IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 54VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V8M16LFB4-10 IT:G TR | Micron Technology Inc. |
Description: IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 54VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V8M16LFB4-10:G | Micron Technology Inc. |
Description: IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 54VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V8M16LFB4-10:G TR | Micron Technology Inc. |
Description: IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 54VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V8M16LFB4-8 IT:G | Micron Technology Inc. |
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V8M16LFB4-8 IT:G TR | Micron Technology Inc. |
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V8M16LFB4-8 XT:G | Micron Technology Inc. |
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V8M16LFB4-8 XT:G TR | Micron Technology Inc. |
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V8M16LFB4-8:G | Micron Technology Inc. |
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V8M16LFB4-8:G TR | Micron Technology Inc. |
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA |
товар відсутній |
|
 |
MT48V8M16LFF4-10:G | Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA Packaging: Box Package / Case: 54-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 128Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V Technology: SDRAM - Mobile LPSDR Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-VFBGA (8x8) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 7 ns Memory Organization: 8M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V8M16LFF4-8 IT:G | Micron Technology Inc. |
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V8M16LFF4-8 IT:G TR | Micron Technology Inc. |
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V8M16LFF4-8 XT:G | Micron Technology Inc. |
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V8M16LFF4-8 XT:G TR | Micron Technology Inc. |
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V8M16LFF4-8:G | Micron Technology Inc. |
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V8M16LFF4-8:G TR | Micron Technology Inc. |
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V8M32LFB5-10 | Micron Technology Inc. | Description: IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V8M32LFB5-10 IT | Micron Technology Inc. | Description: IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V8M32LFB5-10 IT TR | Micron Technology Inc. | Description: IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V8M32LFB5-10 TR | Micron Technology Inc. | Description: IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V8M32LFF5-10 | Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA Packaging: Tray Package / Case: 90-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V Technology: SDRAM - Mobile LPSDR Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 90-VFBGA (8x13) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 7 ns Memory Organization: 8M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|
|
|
MT48V8M32LFF5-8 | Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA Packaging: Tray Package / Case: 90-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V Technology: SDRAM - Mobile LPSDR Clock Frequency: 125 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 90-VFBGA (8x13) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 7 ns Memory Organization: 8M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|
 |
MT4HTF1664AY-40EB1 | Micron Technology Inc. |
Description: MODULE DDR2 SDRAM 128MB 240UDIMM |
товар відсутній |
|
|
|
MT4HTF1664AY-53EB1 | Micron Technology Inc. |
Description: MODULE DDR2 SDRAM 128MB 240UDIMM |
товар відсутній |
|
|
|
MT4HTF1664AY-667B1 | Micron Technology Inc. |
Description: MODULE DDR2 SDRAM 128MB 240UDIMM |
товар відсутній |
|
 |
MT4HTF1664HY-40EB2 | Micron Technology Inc. | Description: MOD DDR2 SDRAM 128MB 200SODIMM |
товар відсутній |
|
|
|
MT4HTF1664HY-40EB3 | Micron Technology Inc. | Description: MOD DDR2 SDRAM 128MB 200SODIMM |
товар відсутній |
|
|
|
MT4HTF1664HY-53EB2 | Micron Technology Inc. | Description: MOD DDR2 SDRAM 128MB 200SODIMM |
товар відсутній |
|
|
|
MT4HTF1664HY-53EB3 | Micron Technology Inc. | Description: MOD DDR2 SDRAM 128MB 200SODIMM |
товар відсутній |
|
|
|
MT4HTF1664HY-667B3 | Micron Technology Inc. | Description: MOD DDR2 SDRAM 128MB 200SODIMM |
товар відсутній |
|
|
|
MT4HTF3264AY-40EB1 | Micron Technology Inc. | Description: MODULE DDR2 SDRAM 256MB 240UDIMM |
товар відсутній |
|
|
|
MT4HTF3264AY-40EB2 | Micron Technology Inc. | Description: MODULE DDR2 SDRAM 256MB 240UDIMM |
товар відсутній |
|
|
|
MT4HTF3264AY-53EB1 | Micron Technology Inc. | Description: MODULE DDR2 SDRAM 256MB 240UDIMM |
товар відсутній |
|
|
|
MT4HTF3264AY-53EB2 | Micron Technology Inc. | Description: MODULE DDR2 SDRAM 256MB 240UDIMM |
товар відсутній |
|
|
|
MT4HTF3264AY-667B1 | Micron Technology Inc. | Description: MODULE DDR2 SDRAM 256MB 240UDIMM |
товар відсутній |
|
| MT4HTF3264HY-40EA3 | Micron Technology Inc. | Description: MOD DDR2 SDRAM 256MB 200SODIMM |
товар відсутній |
||
| MT4HTF3264HY-40EB3 | Micron Technology Inc. | Description: MOD DDR2 SDRAM 256MB 200SODIMM |
товар відсутній |
||
| MT4HTF3264HY-40EB4 | Micron Technology Inc. | Description: MOD DDR2 SDRAM 256MB 200SODIMM |
товар відсутній |
||
| MT4HTF3264HY-53EA3 | Micron Technology Inc. | Description: MOD DDR2 SDRAM 256MB 200SODIMM |
товар відсутній |
||
| MT4HTF3264HY-53EB3 | Micron Technology Inc. | Description: MOD DDR2 SDRAM 256MB 200SODIMM |
товар відсутній |
| MT48LC8M32LFB5-10 TR |
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA
Description: IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA
товар відсутній
| MT48LC8M32LFF5-10 |
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 90-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM - Mobile LPSDR
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-VFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 8M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 90-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM - Mobile LPSDR
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-VFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 8M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
| MT48LC8M32LFF5-8 |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
Packaging: Box
Package / Case: 90-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM - Mobile LPSDR
Clock Frequency: 125 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-VFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 8M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
Packaging: Box
Package / Case: 90-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM - Mobile LPSDR
Clock Frequency: 125 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-VFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 8M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
| MT48LC8M8A2P-75:G |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
Description: IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
товар відсутній
| MT48LC8M8A2P-75:G TR |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
Description: IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
товар відсутній
| MT48LC8M8A2P-7E:G |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
Description: IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
товар відсутній
| MT48V4M32LFB5-10 IT:G |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 90VFBGA
Description: IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 90VFBGA
товар відсутній
| MT48V4M32LFB5-10 IT:G TR |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 90VFBGA
Description: IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 90VFBGA
товар відсутній
| MT48V4M32LFB5-10:G |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 90VFBGA
Description: IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 90VFBGA
товар відсутній
| MT48V4M32LFB5-10:G TR |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 90VFBGA
Description: IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 90VFBGA
товар відсутній
| MT48V4M32LFB5-8 IT:G |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA
товар відсутній
| MT48V4M32LFB5-8 IT:G TR |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA
товар відсутній
| MT48V4M32LFB5-8 XT:G |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA
товар відсутній
| MT48V4M32LFB5-8 XT:G TR |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA
товар відсутній
| MT48V4M32LFB5-8:G |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA
товар відсутній
| MT48V4M32LFB5-8:G TR |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA
товар відсутній
| MT48V4M32LFF5-10:G |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
Packaging: Box
Package / Case: 90-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - Mobile LPSDR
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-VFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
Packaging: Box
Package / Case: 90-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - Mobile LPSDR
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-VFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
| MT48V4M32LFF5-8:G |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA
товар відсутній
| MT48V4M32LFF5-8:G TR |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA
товар відсутній
| MT48V8M16LFB4-10 IT:G |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 54VFBGA
Description: IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 54VFBGA
товар відсутній
| MT48V8M16LFB4-10 IT:G TR |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 54VFBGA
Description: IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 54VFBGA
товар відсутній
| MT48V8M16LFB4-10:G |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 54VFBGA
Description: IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 54VFBGA
товар відсутній
| MT48V8M16LFB4-10:G TR |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 54VFBGA
Description: IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 54VFBGA
товар відсутній
| MT48V8M16LFB4-8 IT:G |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
товар відсутній
| MT48V8M16LFB4-8 IT:G TR |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
товар відсутній
| MT48V8M16LFB4-8 XT:G |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
товар відсутній
| MT48V8M16LFB4-8 XT:G TR |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
товар відсутній
| MT48V8M16LFB4-8:G |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
товар відсутній
| MT48V8M16LFB4-8:G TR |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
товар відсутній
| MT48V8M16LFF4-10:G |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
Packaging: Box
Package / Case: 54-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - Mobile LPSDR
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-VFBGA (8x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 8M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
Packaging: Box
Package / Case: 54-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - Mobile LPSDR
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-VFBGA (8x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 8M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
| MT48V8M16LFF4-8 IT:G |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
товар відсутній
| MT48V8M16LFF4-8 IT:G TR |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
товар відсутній
| MT48V8M16LFF4-8 XT:G |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
товар відсутній
| MT48V8M16LFF4-8 XT:G TR |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
товар відсутній
| MT48V8M16LFF4-8:G |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
товар відсутній
| MT48V8M16LFF4-8:G TR |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
Description: IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
товар відсутній
| MT48V8M32LFB5-10 |
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA
Description: IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA
товар відсутній
| MT48V8M32LFB5-10 IT |
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA
Description: IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA
товар відсутній
| MT48V8M32LFB5-10 IT TR |
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA
Description: IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA
товар відсутній
| MT48V8M32LFB5-10 TR |
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA
Description: IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA
товар відсутній
| MT48V8M32LFF5-10 |
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 90-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - Mobile LPSDR
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-VFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 8M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 90-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - Mobile LPSDR
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-VFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 8M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
| MT48V8M32LFF5-8 |
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 90-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - Mobile LPSDR
Clock Frequency: 125 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-VFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 8M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 90-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - Mobile LPSDR
Clock Frequency: 125 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-VFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 8M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
| MT4HTF1664AY-40EB1 |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: MODULE DDR2 SDRAM 128MB 240UDIMM
Description: MODULE DDR2 SDRAM 128MB 240UDIMM
товар відсутній
| MT4HTF1664AY-53EB1 |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: MODULE DDR2 SDRAM 128MB 240UDIMM
Description: MODULE DDR2 SDRAM 128MB 240UDIMM
товар відсутній
| MT4HTF1664AY-667B1 |
|
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: MODULE DDR2 SDRAM 128MB 240UDIMM
Description: MODULE DDR2 SDRAM 128MB 240UDIMM
товар відсутній
| MT4HTF1664HY-40EB2 |
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: MOD DDR2 SDRAM 128MB 200SODIMM
Description: MOD DDR2 SDRAM 128MB 200SODIMM
товар відсутній
| MT4HTF1664HY-40EB3 |
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: MOD DDR2 SDRAM 128MB 200SODIMM
Description: MOD DDR2 SDRAM 128MB 200SODIMM
товар відсутній
| MT4HTF1664HY-53EB2 |
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: MOD DDR2 SDRAM 128MB 200SODIMM
Description: MOD DDR2 SDRAM 128MB 200SODIMM
товар відсутній
| MT4HTF1664HY-53EB3 |
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: MOD DDR2 SDRAM 128MB 200SODIMM
Description: MOD DDR2 SDRAM 128MB 200SODIMM
товар відсутній
| MT4HTF1664HY-667B3 |
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: MOD DDR2 SDRAM 128MB 200SODIMM
Description: MOD DDR2 SDRAM 128MB 200SODIMM
товар відсутній
| MT4HTF3264AY-40EB1 |
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: MODULE DDR2 SDRAM 256MB 240UDIMM
Description: MODULE DDR2 SDRAM 256MB 240UDIMM
товар відсутній
| MT4HTF3264AY-40EB2 |
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: MODULE DDR2 SDRAM 256MB 240UDIMM
Description: MODULE DDR2 SDRAM 256MB 240UDIMM
товар відсутній
| MT4HTF3264AY-53EB1 |
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: MODULE DDR2 SDRAM 256MB 240UDIMM
Description: MODULE DDR2 SDRAM 256MB 240UDIMM
товар відсутній
| MT4HTF3264AY-53EB2 |
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: MODULE DDR2 SDRAM 256MB 240UDIMM
Description: MODULE DDR2 SDRAM 256MB 240UDIMM
товар відсутній
| MT4HTF3264AY-667B1 |
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: MODULE DDR2 SDRAM 256MB 240UDIMM
Description: MODULE DDR2 SDRAM 256MB 240UDIMM
товар відсутній
| MT4HTF3264HY-40EA3 |
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: MOD DDR2 SDRAM 256MB 200SODIMM
Description: MOD DDR2 SDRAM 256MB 200SODIMM
товар відсутній
| MT4HTF3264HY-40EB3 |
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: MOD DDR2 SDRAM 256MB 200SODIMM
Description: MOD DDR2 SDRAM 256MB 200SODIMM
товар відсутній
| MT4HTF3264HY-40EB4 |
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: MOD DDR2 SDRAM 256MB 200SODIMM
Description: MOD DDR2 SDRAM 256MB 200SODIMM
товар відсутній
| MT4HTF3264HY-53EA3 |
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: MOD DDR2 SDRAM 256MB 200SODIMM
Description: MOD DDR2 SDRAM 256MB 200SODIMM
товар відсутній
| MT4HTF3264HY-53EB3 |
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: MOD DDR2 SDRAM 256MB 200SODIMM
Description: MOD DDR2 SDRAM 256MB 200SODIMM
товар відсутній