Продукція > MITSUBISHI ELECTRIC EUROPE B.V. > Всі товари виробника MITSUBISHI ELECTRIC EUROPE B.V. (75) > Сторінка 2 з 2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
V2N22-M3/I V2N22-M3/I Mitsubishi Electric Europe B.V. v2n22.pdf Description: DIODE SCHOTTK 200V 1.5A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 200 V
на замовлення 13800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.56 грн
15+20.22 грн
100+12.85 грн
500+9.05 грн
1000+8.08 грн
2000+7.27 грн
5000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
V2N22-M3/I V2N22-M3/I Mitsubishi Electric Europe B.V. v2n22.pdf Description: DIODE SCHOTTK 200V 1.5A DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V8PA103HM3/H V8PA103HM3/H Mitsubishi Electric Europe B.V. v8pa103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO221BC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 920pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 740 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 330 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V8PA103-M3/H V8PA103-M3/H Mitsubishi Electric Europe B.V. v8pa103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO221BC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 920pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 740 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 330 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VMMBZ23C1DD1-G3-08 Mitsubishi Electric Europe B.V. vmmbz16c1dd1_to_vmmbz33c1dd1.pdf Description: ESD PROTECTION DIODE DFN1006-2B
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VMMBZ23C1DD1HG3-08 Mitsubishi Electric Europe B.V. vmmbz16c1dd1_to_vmmbz33c1dd1.pdf Description: ESD PROTECTION DIODE DFN1006-2B
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0112HM3/I VS-E7FX0112HM3/I Mitsubishi Electric Europe B.V. vs-e7fx0112hm3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 1A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.66 грн
13+23.23 грн
100+14.88 грн
500+9.19 грн
1000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0112HM3/I VS-E7FX0112HM3/I Mitsubishi Electric Europe B.V. vs-e7fx0112hm3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0112-M3/I VS-E7FX0112-M3/I Mitsubishi Electric Europe B.V. vs-e7fx0112-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0112-M3/I VS-E7FX0112-M3/I Mitsubishi Electric Europe B.V. vs-e7fx0112-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 1A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
на замовлення 15992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.71 грн
44+6.84 грн
100+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0212HM3/I VS-E7FX0212HM3/I Mitsubishi Electric Europe B.V. vs-e7fx0212hm3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 2A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0212HM3/I VS-E7FX0212HM3/I Mitsubishi Electric Europe B.V. vs-e7fx0212hm3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 2A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.08 грн
25+12.25 грн
100+11.91 грн
500+9.90 грн
1000+9.09 грн
2000+9.00 грн
5000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0212-M3/I VS-E7FX0212-M3/I Mitsubishi Electric Europe B.V. vs-e7fx0212-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 2A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0212-M3/I VS-E7FX0212-M3/I Mitsubishi Electric Europe B.V. vs-e7fx0212-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 2A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1200 V
на замовлення 5020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.22 грн
17+17.89 грн
100+13.39 грн
500+9.45 грн
1000+7.81 грн
2000+7.45 грн
5000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
VS-SC40FA65 VS-SC40FA65 Mitsubishi Electric Europe B.V. vs-sc40fa65.pdf Description: DIODE MOD SIC 650V 20A SOT-227
Packaging: Strip
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2420.54 грн
10+1729.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
V2N22-M3/I v2n22.pdf
V2N22-M3/I
Виробник: Mitsubishi Electric Europe B.V.
Description: DIODE SCHOTTK 200V 1.5A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 200 V
на замовлення 13800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.56 грн
15+20.22 грн
100+12.85 грн
500+9.05 грн
1000+8.08 грн
2000+7.27 грн
5000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
V2N22-M3/I v2n22.pdf
V2N22-M3/I
Виробник: Mitsubishi Electric Europe B.V.
Description: DIODE SCHOTTK 200V 1.5A DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V8PA103HM3/H v8pa103.pdf
V8PA103HM3/H
Виробник: Mitsubishi Electric Europe B.V.
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO221BC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 920pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 740 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 330 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V8PA103-M3/H v8pa103.pdf
V8PA103-M3/H
Виробник: Mitsubishi Electric Europe B.V.
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO221BC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 920pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 740 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 330 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VMMBZ23C1DD1-G3-08 vmmbz16c1dd1_to_vmmbz33c1dd1.pdf
Виробник: Mitsubishi Electric Europe B.V.
Description: ESD PROTECTION DIODE DFN1006-2B
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VMMBZ23C1DD1HG3-08 vmmbz16c1dd1_to_vmmbz33c1dd1.pdf
Виробник: Mitsubishi Electric Europe B.V.
Description: ESD PROTECTION DIODE DFN1006-2B
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0112HM3/I vs-e7fx0112hm3.pdf
VS-E7FX0112HM3/I
Виробник: Mitsubishi Electric Europe B.V.
Description: DIODE STANDARD 1200V 1A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.66 грн
13+23.23 грн
100+14.88 грн
500+9.19 грн
1000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0112HM3/I vs-e7fx0112hm3.pdf
VS-E7FX0112HM3/I
Виробник: Mitsubishi Electric Europe B.V.
Description: DIODE STANDARD 1200V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0112-M3/I vs-e7fx0112-m3.pdf
VS-E7FX0112-M3/I
Виробник: Mitsubishi Electric Europe B.V.
Description: DIODE STANDARD 1200V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0112-M3/I vs-e7fx0112-m3.pdf
VS-E7FX0112-M3/I
Виробник: Mitsubishi Electric Europe B.V.
Description: DIODE STANDARD 1200V 1A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
на замовлення 15992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.71 грн
44+6.84 грн
100+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0212HM3/I vs-e7fx0212hm3.pdf
VS-E7FX0212HM3/I
Виробник: Mitsubishi Electric Europe B.V.
Description: DIODE STANDARD 1200V 2A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0212HM3/I vs-e7fx0212hm3.pdf
VS-E7FX0212HM3/I
Виробник: Mitsubishi Electric Europe B.V.
Description: DIODE STANDARD 1200V 2A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.08 грн
25+12.25 грн
100+11.91 грн
500+9.90 грн
1000+9.09 грн
2000+9.00 грн
5000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0212-M3/I vs-e7fx0212-m3.pdf
VS-E7FX0212-M3/I
Виробник: Mitsubishi Electric Europe B.V.
Description: DIODE STANDARD 1200V 2A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0212-M3/I vs-e7fx0212-m3.pdf
VS-E7FX0212-M3/I
Виробник: Mitsubishi Electric Europe B.V.
Description: DIODE STANDARD 1200V 2A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1200 V
на замовлення 5020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.22 грн
17+17.89 грн
100+13.39 грн
500+9.45 грн
1000+7.81 грн
2000+7.45 грн
5000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
VS-SC40FA65 vs-sc40fa65.pdf
VS-SC40FA65
Виробник: Mitsubishi Electric Europe B.V.
Description: DIODE MOD SIC 650V 20A SOT-227
Packaging: Strip
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2420.54 грн
10+1729.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2