Продукція > MITSUBISHI ELECTRIC EUROPE B.V. > Всі товари виробника MITSUBISHI ELECTRIC EUROPE B.V. (72) > Сторінка 2 з 2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
V8PA103-M3/H V8PA103-M3/H Mitsubishi Electric Europe B.V. v8pa103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO221BC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 330 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 740 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 920pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VMMBZ23C1DD1-G3-08 Mitsubishi Electric Europe B.V. vmmbz16c1dd1_to_vmmbz33c1dd1.pdf Description: ESD PROTECTION DIODE DFN1006-2B
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VMMBZ23C1DD1HG3-08 Mitsubishi Electric Europe B.V. vmmbz16c1dd1_to_vmmbz33c1dd1.pdf Description: ESD PROTECTION DIODE DFN1006-2B
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0112HM3/I VS-E7FX0112HM3/I Mitsubishi Electric Europe B.V. vs-e7fx0112hm3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 1A DO219AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0112HM3/I VS-E7FX0112HM3/I Mitsubishi Electric Europe B.V. vs-e7fx0112hm3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 1A DO219AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.45 грн
13+23.06 грн
100+14.77 грн
500+9.12 грн
1000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0112-M3/I VS-E7FX0112-M3/I Mitsubishi Electric Europe B.V. vs-e7fx0112-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 1A DO219AB
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0112-M3/I VS-E7FX0112-M3/I Mitsubishi Electric Europe B.V. vs-e7fx0112-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 1A DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.62 грн
44+6.79 грн
100+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0212HM3/I VS-E7FX0212HM3/I Mitsubishi Electric Europe B.V. vs-e7fx0212hm3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 2A DO219AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0212HM3/I VS-E7FX0212HM3/I Mitsubishi Electric Europe B.V. vs-e7fx0212hm3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 2A DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.92 грн
25+12.16 грн
100+11.83 грн
500+9.83 грн
1000+9.02 грн
2000+8.94 грн
5000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0212-M3/I VS-E7FX0212-M3/I Mitsubishi Electric Europe B.V. vs-e7fx0212-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 2A DO219AB
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 2A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0212-M3/I VS-E7FX0212-M3/I Mitsubishi Electric Europe B.V. vs-e7fx0212-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 2A DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.00 грн
17+17.76 грн
100+13.29 грн
500+9.38 грн
1000+7.75 грн
2000+7.39 грн
5000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-SC40FA65 VS-SC40FA65 Mitsubishi Electric Europe B.V. vs-sc40fa65.pdf Description: DIODE MOD SIC 650V 20A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Packaging: Strip
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2402.99 грн
10+1716.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
V8PA103-M3/H v8pa103.pdf
V8PA103-M3/H
Виробник: Mitsubishi Electric Europe B.V.
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO221BC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 330 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 740 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 920pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VMMBZ23C1DD1-G3-08 vmmbz16c1dd1_to_vmmbz33c1dd1.pdf
Виробник: Mitsubishi Electric Europe B.V.
Description: ESD PROTECTION DIODE DFN1006-2B
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VMMBZ23C1DD1HG3-08 vmmbz16c1dd1_to_vmmbz33c1dd1.pdf
Виробник: Mitsubishi Electric Europe B.V.
Description: ESD PROTECTION DIODE DFN1006-2B
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0112HM3/I vs-e7fx0112hm3.pdf
VS-E7FX0112HM3/I
Виробник: Mitsubishi Electric Europe B.V.
Description: DIODE STANDARD 1200V 1A DO219AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0112HM3/I vs-e7fx0112hm3.pdf
VS-E7FX0112HM3/I
Виробник: Mitsubishi Electric Europe B.V.
Description: DIODE STANDARD 1200V 1A DO219AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+29.45 грн
13+23.06 грн
100+14.77 грн
500+9.12 грн
1000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0112-M3/I vs-e7fx0112-m3.pdf
VS-E7FX0112-M3/I
Виробник: Mitsubishi Electric Europe B.V.
Description: DIODE STANDARD 1200V 1A DO219AB
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0112-M3/I vs-e7fx0112-m3.pdf
VS-E7FX0112-M3/I
Виробник: Mitsubishi Electric Europe B.V.
Description: DIODE STANDARD 1200V 1A DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
27+11.62 грн
44+6.79 грн
100+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0212HM3/I vs-e7fx0212hm3.pdf
VS-E7FX0212HM3/I
Виробник: Mitsubishi Electric Europe B.V.
Description: DIODE STANDARD 1200V 2A DO219AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Grade: Automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0212HM3/I vs-e7fx0212hm3.pdf
VS-E7FX0212HM3/I
Виробник: Mitsubishi Electric Europe B.V.
Description: DIODE STANDARD 1200V 2A DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+20.92 грн
25+12.16 грн
100+11.83 грн
500+9.83 грн
1000+9.02 грн
2000+8.94 грн
5000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0212-M3/I vs-e7fx0212-m3.pdf
VS-E7FX0212-M3/I
Виробник: Mitsubishi Electric Europe B.V.
Description: DIODE STANDARD 1200V 2A DO219AB
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 2A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E7FX0212-M3/I vs-e7fx0212-m3.pdf
VS-E7FX0212-M3/I
Виробник: Mitsubishi Electric Europe B.V.
Description: DIODE STANDARD 1200V 2A DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+31.00 грн
17+17.76 грн
100+13.29 грн
500+9.38 грн
1000+7.75 грн
2000+7.39 грн
5000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-SC40FA65 vs-sc40fa65.pdf
VS-SC40FA65
Виробник: Mitsubishi Electric Europe B.V.
Description: DIODE MOD SIC 650V 20A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Packaging: Strip
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2402.99 грн
10+1716.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2