Результат пошуку "17NF03" : 21
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 25
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STD17NF03LT4 | STMicroelectronics |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 30W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A Power dissipation: 30W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 2336 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STD17NF03LT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 30W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A Power dissipation: 30W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2336 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STD17NF03LT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STD17NF03LT4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 17A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STD17NF03LT4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 17A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V |
на замовлення 4309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STD17NF03LT4 | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 30V; 16V; 60mOhm; 17A; 30W; -55°C ~ 175°C; STD17NF03LT4 STD17NF03L TSTD17NF03L кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| D17NF03L |
на замовлення 990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| STD17NF03 | STM | SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| STD17NF03 | ST | 07+ TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| STD17NF03 | ST | TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| STD17NF03L | ST | 07+ TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| STD17NF03L | ST | TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| STD17NF03L | STM | SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| STD17NF03LT4-E | ST | TO252 |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| STD17NF03LT4G |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| STD17NF03LT4SH1 |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
STD17NF03LT4 Код товару: 117816 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||
| STD17NF03L-1 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
STD17NF03L-1 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
STD17NF03L-1 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 17A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V |
товар відсутній |
| STD17NF03LT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 24.65 грн |
| 25+ | 19.91 грн |
| 53+ | 15.22 грн |
| 146+ | 14.39 грн |
| 500+ | 14.15 грн |
| STD17NF03LT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 29.58 грн |
| 25+ | 24.81 грн |
| 53+ | 18.26 грн |
| 146+ | 17.27 грн |
| 500+ | 16.98 грн |
| 2500+ | 16.65 грн |
| STD17NF03LT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 18.26 грн |
| STD17NF03LT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 19.44 грн |
| STD17NF03LT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V
на замовлення 4309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 51.15 грн |
| 10+ | 42.73 грн |
| 100+ | 29.56 грн |
| 500+ | 23.18 грн |
| 1000+ | 19.73 грн |
| STD17NF03LT4 |
|
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 30V; 16V; 60mOhm; 17A; 30W; -55°C ~ 175°C; STD17NF03LT4 STD17NF03L TSTD17NF03L
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 30V; 16V; 60mOhm; 17A; 30W; -55°C ~ 175°C; STD17NF03LT4 STD17NF03L TSTD17NF03L
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 22.06 грн |
| STD17NF03L-1 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
| STD17NF03L-1 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
| STD17NF03L-1 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V
товар відсутній