Результат пошуку "30ETH06" : 42

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
VS-30ETH06FP VS-30ETH06FP
Код товару: 174425 		Vishay vs-30eth06fp-n3.pdf Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: TO-220-2
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 30 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 23 ns
THT
у наявності: 29 шт
29 шт - склад
1+66 грн
10+ 59.4 грн
100+ 53.5 грн
VS-30ETH06PBF VS-30ETH06PBF
Код товару: 43537 		Vishay 30eth06pcsdcv.pdf Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: TO-220AC
Uзвор., V: 600 V
Iвипр., A: 30 A
Опис: Швидкий
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,34 V
у наявності: 38 шт
10 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+72 грн
10+ 64.4 грн
30ETH06 IR 30ETH06.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
30ETH06 ir 30ETH06.pdf 08+
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
30ETH06 IR 30ETH06.pdf 09+ DIP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
30ETH06-1
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
30ETH06PBF IR 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
30ETH06S IR 07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
30ETH06S IR TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
30ETH06SPBF IR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VS-30ETH06-M3 VS-30ETH06-M3 VISHAY vs-30eth06-m3.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 200A; TO220AC; 77ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Capacitance: 33pF
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 0.5mA
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Reverse recovery time: 77ns
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.05 грн
8+ 121.22 грн
10+ 120.47 грн
21+ 114.44 грн
50+ 113.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-30ETH06-M3 Vishay/IR vs-30eth06-m3.pdf Випрямний ультрашвидкий діод вивідний; Uзвор, В = 600; Io, А = 30; Uf (max), В = 2,6; If, A = 30; I, мкА @ Ur, В = 50 @ 600; trr, нс = 35; Тексп, °C = -65...+175; TO-220AC
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
5+144.55 грн
10+ 130.1 грн
100+ 115.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-30ETH06-M3 VS-30ETH06-M3 VISHAY vs-30eth06-m3.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 200A; TO220AC; 77ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Capacitance: 33pF
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 0.5mA
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Reverse recovery time: 77ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+204.33 грн
3+ 178.27 грн
8+ 145.46 грн
10+ 144.56 грн
21+ 137.33 грн
50+ 136.43 грн
250+ 131.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
VS-30ETH06-M3 VS-30ETH06-M3 Vishay Semiconductors vs-30eth06-m3.pdf Rectifiers 600V 30A TO-220 Fred Pt
на замовлення 9231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.06 грн
10+ 93.93 грн
100+ 64.84 грн
500+ 54.93 грн
1000+ 44.67 грн
2000+ 42.07 грн
5000+ 39.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-30ETH06-M3 VS-30ETH06-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-30eth06-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 6231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.34 грн
50+ 82.25 грн
100+ 65.18 грн
500+ 51.85 грн
1000+ 42.23 грн
2000+ 39.76 грн
5000+ 37.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-30ETH06S-M3 VS-30ETH06S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-30eth06s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 5747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.72 грн
50+ 89.88 грн
100+ 73.95 грн
500+ 58.72 грн
1000+ 49.82 грн
2000+ 47.33 грн
5000+ 44.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-30ETH06S-M3 VS-30ETH06S-M3 Vishay Semiconductors vs-30eth06s-m3.pdf Rectifiers 600V 30A IF (TO-263AB) 200A IFSM
на замовлення 8368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.82 грн
10+ 73.4 грн
100+ 56.45 грн
500+ 51.9 грн
1000+ 48.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-30ETH06STRL-M3 VS-30ETH06STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-30eth06s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.31 грн
1600+ 53.36 грн
2400+ 50.69 грн
5600+ 45.78 грн
Мінімальне замовлення: 800
VS-30ETH06STRL-M3 VS-30ETH06STRL-M3 Vishay Semiconductors vs-30eth06s-m3.pdf Rectifiers 600V 30A IF TO-220AC 200A IFSM
на замовлення 6815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.06 грн
10+ 98.92 грн
100+ 70.62 грн
500+ 59.13 грн
800+ 49.73 грн
2400+ 48.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-30ETH06STRL-M3 VS-30ETH06STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-30eth06s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 7496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.5 грн
10+ 93.36 грн
100+ 74.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-30ETH06STRR-M3 VS-30ETH06STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-30eth06s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+64.6 грн
1600+ 52.78 грн
2400+ 50.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
VS-30ETH06STRR-M3 VS-30ETH06STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-30eth06s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 4582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.94 грн
10+ 92.38 грн
100+ 73.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-30ETH06-M3 Vishay/IR vs-30eth06-m3.pdf Hyperfast 30A 600V TO-220AC
на замовлення 180 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
30ETH06PBF
Код товару: 177995 		Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
товар відсутній
VS-30ETH06 VS-30ETH06
Код товару: 26994 		Vishay Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: TO-220-2
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 30 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 35 ns
товар відсутній
1+85 грн
10+ 77 грн
100+ 72 грн
30ETH06 30ETH06 Vishay Semiconductors 30ETH06.pdf Rectifiers RECOMMENDED ALT VS-30ETH06-M3
товар відсутній
30ETH06 30ETH06 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30ETH06.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-30ETH06-1-M3 VS-30ETH06-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-30eth06s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO262AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-262AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-30ETH06-1-M3 VS-30ETH06-1-M3 Vishay Semiconductors vs-30eth06s-m3.pdf Rectifiers 600V 30A IF TO-262AA 200A IFSM
товар відсутній
VS-30ETH06-1PBF VS-30ETH06-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30ETH06.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 30
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-30ETH06-N-S1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE TO220-E3
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товар відсутній
VS-30ETH06-N-S1 VS-30ETH06-N-S1 Vishay Semiconductors Rectifiers FRED Pt - TO-220 FP
товар відсутній
VS-30ETH06-N3 VS-30ETH06-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division irlz44.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-30ETH06FP-F3 VS-30ETH06FP-F3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30ETH06FP(-N3,-F3).pdf Description: DIODE GP 600V 30A TO220-2FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-30ETH06FP-N3 VS-30ETH06FP-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-30eth06fp-n3.pdf Description: DIODE GP 600V 30A TO220-2FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 30
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-30ETH06FP-N3 VS-30ETH06FP-N3 Vishay Semiconductors vs-30eth06fp-n3.pdf Rectifiers Freds - FULLPAK-220-e3
товар відсутній
VS-30ETH06PBF VS-30ETH06PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division irlz44.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-30ETH06SPBF VS-30ETH06SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30ETH06.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-30ETH06STRLPBF VS-30ETH06STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30ETH06.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
VS-30ETH06STRR-M3 VS-30ETH06STRR-M3 Vishay Semiconductors vs-30eth06s-m3.pdf Rectifiers 600V 30A IF TO-220AC 200A IFSM
товар відсутній
VS-30ETH06STRRPBF VS-30ETH06STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30ETH06.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 30
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
VS-30ETH06FP
Код товару: 174425		 vs-30eth06fp-n3.pdf
VS-30ETH06FP
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: TO-220-2
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 30 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 23 ns
THT
у наявності: 29 шт
29 шт - склад
Кількість Ціна без ПДВ
1+66 грн
10+ 59.4 грн
100+ 53.5 грн
VS-30ETH06PBF
Код товару: 43537		 30eth06pcsdcv.pdf
VS-30ETH06PBF
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: TO-220AC
Uзвор., V: 600 V
Iвипр., A: 30 A
Опис: Швидкий
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,34 V
у наявності: 38 шт
10 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+72 грн
10+ 64.4 грн
30ETH06 30ETH06.pdf
Виробник: IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
30ETH06 30ETH06.pdf
Виробник: ir
08+
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
30ETH06 30ETH06.pdf
Виробник: IR
09+ DIP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
30ETH06-1
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
30ETH06PBF
Виробник: IR
09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
30ETH06S
Виробник: IR
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
30ETH06S
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
30ETH06SPBF
Виробник: IR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VS-30ETH06-M3 vs-30eth06-m3.pdf
VS-30ETH06-M3
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 200A; TO220AC; 77ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Capacitance: 33pF
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 0.5mA
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Reverse recovery time: 77ns
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+143.05 грн
8+ 121.22 грн
10+ 120.47 грн
21+ 114.44 грн
50+ 113.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-30ETH06-M3 vs-30eth06-m3.pdf
Виробник: Vishay/IR
Випрямний ультрашвидкий діод вивідний; Uзвор, В = 600; Io, А = 30; Uf (max), В = 2,6; If, A = 30; I, мкА @ Ur, В = 50 @ 600; trr, нс = 35; Тексп, °C = -65...+175; TO-220AC
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+144.55 грн
10+ 130.1 грн
100+ 115.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-30ETH06-M3 vs-30eth06-m3.pdf
VS-30ETH06-M3
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 200A; TO220AC; 77ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Capacitance: 33pF
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 0.5mA
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Reverse recovery time: 77ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+204.33 грн
3+ 178.27 грн
8+ 145.46 грн
10+ 144.56 грн
21+ 137.33 грн
50+ 136.43 грн
250+ 131.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
VS-30ETH06-M3 vs-30eth06-m3.pdf
VS-30ETH06-M3
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 600V 30A TO-220 Fred Pt
на замовлення 9231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.06 грн
10+ 93.93 грн
100+ 64.84 грн
500+ 54.93 грн
1000+ 44.67 грн
2000+ 42.07 грн
5000+ 39.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-30ETH06-M3 vs-30eth06-m3.pdf
VS-30ETH06-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 6231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.34 грн
50+ 82.25 грн
100+ 65.18 грн
500+ 51.85 грн
1000+ 42.23 грн
2000+ 39.76 грн
5000+ 37.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-30ETH06S-M3 vs-30eth06s-m3.pdf
VS-30ETH06S-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 5747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.72 грн
50+ 89.88 грн
100+ 73.95 грн
500+ 58.72 грн
1000+ 49.82 грн
2000+ 47.33 грн
5000+ 44.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-30ETH06S-M3 vs-30eth06s-m3.pdf
VS-30ETH06S-M3
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 600V 30A IF (TO-263AB) 200A IFSM
на замовлення 8368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.82 грн
10+ 73.4 грн
100+ 56.45 грн
500+ 51.9 грн
1000+ 48.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-30ETH06STRL-M3 vs-30eth06s-m3.pdf
VS-30ETH06STRL-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+65.31 грн
1600+ 53.36 грн
2400+ 50.69 грн
5600+ 45.78 грн
Мінімальне замовлення: 800
VS-30ETH06STRL-M3 vs-30eth06s-m3.pdf
VS-30ETH06STRL-M3
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 600V 30A IF TO-220AC 200A IFSM
на замовлення 6815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.06 грн
10+ 98.92 грн
100+ 70.62 грн
500+ 59.13 грн
800+ 49.73 грн
2400+ 48.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-30ETH06STRL-M3 vs-30eth06s-m3.pdf
VS-30ETH06STRL-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 7496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.5 грн
10+ 93.36 грн
100+ 74.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-30ETH06STRR-M3 vs-30eth06s-m3.pdf
VS-30ETH06STRR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+64.6 грн
1600+ 52.78 грн
2400+ 50.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
VS-30ETH06STRR-M3 vs-30eth06s-m3.pdf
VS-30ETH06STRR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 4582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.94 грн
10+ 92.38 грн
100+ 73.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-30ETH06-M3 vs-30eth06-m3.pdf
Виробник: Vishay/IR
Hyperfast 30A 600V TO-220AC
на замовлення 180 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
30ETH06PBF
Код товару: 177995
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
товар відсутній
VS-30ETH06
Код товару: 26994
VS-30ETH06
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: TO-220-2
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 30 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 35 ns
товар відсутній
Кількість Ціна без ПДВ
1+85 грн
10+ 77 грн
100+ 72 грн
30ETH06 30ETH06.pdf
30ETH06
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers RECOMMENDED ALT VS-30ETH06-M3
товар відсутній
30ETH06 30ETH06.pdf
30ETH06
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-30ETH06-1-M3 vs-30eth06s-m3.pdf
VS-30ETH06-1-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO262AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-262AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-30ETH06-1-M3 vs-30eth06s-m3.pdf
VS-30ETH06-1-M3
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 600V 30A IF TO-262AA 200A IFSM
товар відсутній
VS-30ETH06-1PBF VS-30ETH06.pdf
VS-30ETH06-1PBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 30
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-30ETH06-N-S1
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE TO220-E3
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товар відсутній
VS-30ETH06-N-S1
VS-30ETH06-N-S1
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers FRED Pt - TO-220 FP
товар відсутній
VS-30ETH06-N3 irlz44.pdf
VS-30ETH06-N3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-30ETH06FP-F3 VS-30ETH06FP(-N3,-F3).pdf
VS-30ETH06FP-F3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 30A TO220-2FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-30ETH06FP-N3 vs-30eth06fp-n3.pdf
VS-30ETH06FP-N3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 30A TO220-2FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 30
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-30ETH06FP-N3 vs-30eth06fp-n3.pdf
VS-30ETH06FP-N3
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers Freds - FULLPAK-220-e3
товар відсутній
VS-30ETH06PBF irlz44.pdf
VS-30ETH06PBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-30ETH06SPBF VS-30ETH06.pdf
VS-30ETH06SPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-30ETH06STRLPBF VS-30ETH06.pdf
VS-30ETH06STRLPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
VS-30ETH06STRR-M3 vs-30eth06s-m3.pdf
VS-30ETH06STRR-M3
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 600V 30A IF TO-220AC 200A IFSM
товар відсутній
VS-30ETH06STRRPBF VS-30ETH06.pdf
VS-30ETH06STRRPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 30
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній