Результат пошуку "IRL7472L" : 9

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRL7472L1TRPBF IRL7472L1TRPBF Infineon Technologies 119666814576816irl7472l1pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+151.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRL7472L1TRPbF IRL7472L1TRPbF Infineon Technologies Infineon-IRL7472L1-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401555d17178250d8 Description: MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20082 pF @ 25 V
на замовлення 14578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.83 грн
10+ 237.55 грн
100+ 170.13 грн
500+ 132.61 грн
1000+ 130.46 грн
IRL7472L1TRPBF IRL7472L1TRPBF Infineon Technologies 119666814576816irl7472l1pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+162.4 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRL7472L1TRPbF IRL7472L1TRPbF Infineon Technologies Infineon_IRL7472L1_DS_v02_00_EN-1732064.pdf MOSFETs 40V, 375A, .59 mOhm 220 nC Qg, Logic Lvl
на замовлення 8853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+388.75 грн
10+ 274.3 грн
100+ 171.3 грн
500+ 143.84 грн
IRL7472L1TRPBF IRL7472L1TRPBF INFINEON 2334228.pdf Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 340 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 340µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+268.39 грн
50+ 229.47 грн
250+ 203.52 грн
1000+ 161.88 грн
2000+ 141.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL7472L1TRPBF IRL7472L1TRPBF Infineon Technologies 119666814576816irl7472l1pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 7814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+431.14 грн
36+ 347.36 грн
50+ 263.59 грн
100+ 239.39 грн
200+ 207.98 грн
500+ 176.89 грн
1000+ 157.63 грн
4000+ 155.87 грн
Мінімальне замовлення: 29
IRL7472L1TRPBF IRL7472L1TRPBF INFINEON 2334228.pdf Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 340 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 340µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+229.47 грн
250+ 203.52 грн
1000+ 161.88 грн
2000+ 141.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRL7472L1TRPbF IRL7472L1TRPbF Infineon Technologies Infineon-IRL7472L1-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401555d17178250d8 Description: MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20082 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+144.36 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRL7472L1TRPbF Infineon Infineon-IRL7472L1-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401555d17178250d8
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL7472L1TRPBF 119666814576816irl7472l1pbf.pdf
IRL7472L1TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+151.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRL7472L1TRPbF Infineon-IRL7472L1-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401555d17178250d8
IRL7472L1TRPbF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20082 pF @ 25 V
на замовлення 14578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+369.83 грн
10+ 237.55 грн
100+ 170.13 грн
500+ 132.61 грн
1000+ 130.46 грн
IRL7472L1TRPBF 119666814576816irl7472l1pbf.pdf
IRL7472L1TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+162.4 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRL7472L1TRPbF Infineon_IRL7472L1_DS_v02_00_EN-1732064.pdf
IRL7472L1TRPbF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V, 375A, .59 mOhm 220 nC Qg, Logic Lvl
на замовлення 8853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+388.75 грн
10+ 274.3 грн
100+ 171.3 грн
500+ 143.84 грн
IRL7472L1TRPBF 2334228.pdf
IRL7472L1TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 340 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 340µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+268.39 грн
50+ 229.47 грн
250+ 203.52 грн
1000+ 161.88 грн
2000+ 141.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL7472L1TRPBF 119666814576816irl7472l1pbf.pdf
IRL7472L1TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 7814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+431.14 грн
36+ 347.36 грн
50+ 263.59 грн
100+ 239.39 грн
200+ 207.98 грн
500+ 176.89 грн
1000+ 157.63 грн
4000+ 155.87 грн
Мінімальне замовлення: 29
IRL7472L1TRPBF 2334228.pdf
IRL7472L1TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 340 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 340µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+229.47 грн
250+ 203.52 грн
1000+ 161.88 грн
2000+ 141.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRL7472L1TRPbF Infineon-IRL7472L1-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401555d17178250d8
IRL7472L1TRPbF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20082 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+144.36 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRL7472L1TRPbF Infineon-IRL7472L1-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401555d17178250d8
Виробник: Infineon
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)