Результат пошуку "IXA60IF1200NA" : 7
Вид перегляду :
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXA60IF1200NA | IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 56A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 56A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Power dissipation: 290W Technology: XPT™ Features of semiconductor devices: high voltage Mechanical mounting: screw |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||
IXA60IF1200NA | IXYS | IGBT Modules XPT IGBT Copack |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||
IXA60IF1200NA Код товару: 116936 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||
IXA60IF1200NA | IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 56A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 56A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Power dissipation: 290W Technology: XPT™ Features of semiconductor devices: high voltage Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IXA60IF1200NA | Littelfuse | Trans IGBT Chip N-CH 1200V |
товар відсутній |
||||||||||
IXA60IF1200NA | Littelfuse | Trans IGBT Module N-CH 1200V |
товар відсутній |
IXA60IF1200NA |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 56A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 290W
Technology: XPT™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 56A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 290W
Technology: XPT™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1580 грн |
2+ | 1387.37 грн |
IXA60IF1200NA |
Виробник: IXYS
IGBT Modules XPT IGBT Copack
IGBT Modules XPT IGBT Copack
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2215.01 грн |
10+ | 2011.82 грн |
20+ | 1714.78 грн |
50+ | 1583.59 грн |
IXA60IF1200NA |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 56A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 290W
Technology: XPT™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 56A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 290W
Technology: XPT™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1896 грн |
2+ | 1728.87 грн |